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公开(公告)号：CN109750356A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201910250202.4
申请日：2019-03-29
申请人： 上海玺唐半导体科技有限公司 , 四川航空工业川西机器有限责任公司
摘要： 本发明提供了一种用于在超临界流体中生长材料的装置和材料的生长方法。用于在超临界流体中生长材料的装置包括第一容器、第二容器和加热部件，所述第二容器被容纳于所述第一容器的内腔，所述加热部件设置于所述第一容器的内腔并用于给所述第二容器加热，待生长的材料能够被设置在所述第二容器内生长，所述第一容器和所述第二容器均能够填充用于传递压力的介质，使所述第一容器内的压强与所述第二容器内的压强的差值小于所述第二容器内的压强与标准大气压的差值。根据本发明的装置的制作成本低且能使生长的材料达到较大的尺寸。
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公开(公告)号：CN110670118B
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN201911010751.0
申请日：2019-10-23
申请人： 上海玺唐半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种晶体生长装置以及晶体生长方法。晶体生长装置包括反应釜，所述反应釜包括：反应釜釜体，具有第一开口；衬管，用于通过所述第一开口放入所述反应釜釜体内，具有第二开口；所述衬管放入所述反应釜釜体内以后，所述第二开口朝向所述第一开口；所述衬管的内部区域包括原料区以及生长区，所述原料区用于放置原料，所述生长区用于放置籽晶；密封件，用于密封所述第一开口，且具有可以被密封的溶剂进孔，所述溶剂进孔用于向所述衬管内通入溶剂。利用本发明的晶体生长装置进行目标晶体的生长时，可以有效提高生产效率。
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公开(公告)号：CN112048771A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010770309.4
申请日：2020-08-04
申请人： 上海玺唐半导体科技有限公司
发明人： 高明哲
摘要： 本发明涉及一种反应釜、生长氮化镓晶体的装置以及生长方法。反应釜为材料在超临界流体中生长提供高温和超高压环境，包括釜体，具有第一筒体和套设于第一筒体外壁的第二筒体，其中，第一筒体具有容纳待生长材料的容腔，第二筒体用于使所述第一筒体产生压缩预应力；密封件，设置于釜体的开口端，用于密封釜体；以及加热部件，设于第二筒体外壁，用于加热釜体。上述反应釜的内径范围可以为25mm至300mm，利用上述反应釜生长氮化镓晶体可以显著提高氮化镓晶体的尺寸和产量，同时还可以降低生产成本，有利于氮化镓晶体的工业化生产。
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公开(公告)号：CN110952135A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201911268465.4
申请日：2019-12-11
申请人： 上海玺唐半导体科技有限公司
摘要： 本申请涉及一种多晶氮化镓生长装置。该多晶氮化镓生长装置包括反应容器，反应容器在其轴向设置有相互连通的第一腔室主体和第二腔室主体，第一腔室主体连接有至少两条气体流入通道，第二腔室主体中设置有筒体；筒体具有与至少两条气体流入通道对应设置的开口，且筒体在其轴向间隔设置有多个带通孔的部件。上述多晶氮化镓生长装置能够有效提升多晶氮化镓的产量，同时不会增加多晶氮化镓生长装置的尺寸。
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公开(公告)号：CN110935688A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911269695.2
申请日：2019-12-11
申请人： 上海玺唐半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及反应釜清洗技术领域，特别涉及一种清洗方法，包括向所述反应釜腔室注入清洗水，控制所述超声波清洗器向清洗水介质中发射超声波对所述反应釜腔室内壁上的残留物进行一次清洗；当所述一次清洗完成后，向所述反应釜腔室注入反应溶液，所述反应溶液用于与部分所述残留物发生反应以产生溶解物；控制所述超声波清洗器向所述反应溶液介质中发射超声波对所述溶解物进行二次清洗；当所述二次清洗完成后，向所述反应釜腔室内再次注入所述清洗水并控制所述超声波清洗器发射超声波对所述反应釜腔室内残留的反应溶液进行三次清洗。通过将超声波清洗技术应用到对反应釜的三次清洗过程中，可以在不挪动反应釜的情况下，实现对反应釜的高效清洗工作。
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公开(公告)号：CN218393641U
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202122699921.X
申请日：2021-11-05
申请人： 上海玺唐半导体科技有限公司
摘要： 这种用于立式HVPE设备的镓舟氨气匀流结构，包括镓舟筒体、载盘、以及设于镓舟筒体内腔上部金属镓存放腔体空间中心位置设置的氯化氢导入管、设置氯化氢导入管两侧的穿透金属镓存放腔体底板的载气导入管和氨气导入管、以及设置在氯化氢导入管下方并同样穿透金属镓存放腔体底板的氯化镓导气管，在氨气导入管和载气导入管的出口下部的镓舟筒体上部设有一个与筒体四周内壁固接的圆环型挡板，并同时在该圆环型挡板下部的氯化氢导入管管壁外上增设一片直径小于上部圆环型挡板的圆型挡板，构成使氨气先沿着圆环挡板与氯化氢导入管的圆环型间隙送入圆型挡板与圆环挡板之间的空间，随后又沿圆环挡板外圈边缘进入下部镓舟筒体内腔参与氮化镓制作。
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公开(公告)号：CN212218258U
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202020419442.0
申请日：2020-03-27
申请人： 上海玺唐半导体科技有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种金相显微镜样品夹具，包括底面为平面的第一夹具和第二夹具，所述第一夹具设有凹部，所述凹部扣合连接第二夹具的凸部，所述凹部和凸部通过空心轴连接，所述空心轴内连接有带刻度的伸缩连接杆，所述伸缩连接杆轴承连接有平行设置的定面片，所述定面片上连接有第一支杆，所述第一夹具和第二夹具上分别各设有第二支杆、挡体和凹槽，所述凹槽内连接有弹片，所述弹片两端分别连接第一夹具和第二夹具上的挡体。本实用新型可以很方便的调整样品的待观察面，结构简单，测试操作简便，可靠。
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公开(公告)号：CN212077202U
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202020535252.5
申请日：2020-04-13
申请人： 上海玺唐半导体科技有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种用于氮化镓晶体生长高压釜的移动装置，包括底板和底座，底板上固定安装有固定板、第一限位板、第二限位板和第三限位板，底板的顶部设置有滑轨，底座的底部固定安装有万向轮，底座的顶部固定连接有高压釜，高压釜的两侧连接有连接块，连接块上连接有滑套，滑套上连接有转动杆，第一限位板上安装有电机，电机的输出轴与转动轴固定连接，转动轴上连接有第一齿轮，第一齿轮的两侧啮合连接有第二齿轮，第二齿轮与转动杆固定连接。本实用新型通过电机带动高压釜、底座和万向轮在滑轨方向上移动，将高压釜沿着滑轨移动至不同的场地区域，进行装料、充氨、生长和清洗等工艺，结构简单，操作方便，节省了人力，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN210368001U
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201921111947.4
申请日：2019-07-16
申请人： 上海玺唐半导体科技有限公司
摘要： 本实用新型提供一种带温度传感器的氮化物制备系统，其包括热等静压设备(1)和若干反应容器(2)，反应容器(2)设置在热等静压设备(1)的内腔，反应容器(2)用于在一定的温度和压力下制备氮化物，反应容器(2)的外周设有在轴向上间隔开的第一加热器(H1)和第二加热器(H2)，系统还包括第一温度传感器(S1)和第二温度传感器(S2)，第一温度传感器(S1)用于测量第一加热器(H1)的加热温度，第二温度传感器(S2)用于测量第二加热器(H2)的加热温度。根据本实用新型的带温度传感器的氮化物制备系统，反应容器的加热器的温度能够被实时测量，有助于合理控制反应温度和反应容器外的压强。
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