半导体芯片及其制造方法
    31.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110875271A

    公开(公告)日:2020-03-10

    申请号:CN201910481256.1

    申请日:2019-06-04

    Abstract: 本发明提供半导体芯片及其制造方法。半导体芯片包含:衬底;层间绝缘层,包含位于衬底的上表面上的底部层间绝缘层和位于底部层间绝缘层上的顶部层间绝缘层;蚀刻终止层,位于底部层间绝缘层与顶部层间绝缘层之间;接地焊盘,位于层间绝缘层上;以及贯通孔,经由衬底、层间绝缘层以及蚀刻终止层连接到接地焊盘。蚀刻终止层经隔离以免与接地焊盘直接接触。

    便携式存储装置和使用该便携式存储装置的内容管理方法

    公开(公告)号:CN100421102C

    公开(公告)日:2008-09-24

    申请号:CN200580001106.2

    申请日:2005-02-28

    CPC classification number: G06F21/10 G06F21/78

    Abstract: 提供一种数字权限管理(DRM)结构、一种便携式存储装置以及一种使用该便携式存储装置的内容管理方法以使权限对象或加密的内容的移动变得容易。该数字权限管理结构包括:安全部分,包括对已由主机装置进行加密的信息进行解密所需的私钥信息和密码方法;限制部分,包括与主机装置认证所需的认证信息和关于内容的权限对象信息;以及数据部分,包括主机装置尝试访问的加密的内容。

    制造半导体装置的方法
    39.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112018028B

    公开(公告)日:2024-07-05

    申请号:CN202010078912.6

    申请日:2020-02-03

    Abstract: 公开了制造半导体装置的方法。所述方法可以包括形成包括金属图案的第一结构和在第一结构上的第二结构。金属图案包括面对第二结构的上表面。所述方法还可以包括:蚀刻第二结构以形成暴露金属图案的过孔;使过孔中的第一蚀刻残余物氧化以将第一蚀刻残余物转化为氧化的第一蚀刻残余物;以及去除氧化的第一蚀刻残余物。在去除氧化的第一蚀刻残余物之后,金属图案的上表面可以包括包含凹槽并具有第一表面粗糙度的第一部分和与第一部分不同并具有第二表面粗糙度的第二部分。第一表面粗糙度可以比第二表面粗糙度大。

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