一种立体栽培模式下栽培层直射光进光率分析方法及装置

    公开(公告)号:CN112800627A

    公开(公告)日:2021-05-14

    申请号:CN202110192227.0

    申请日:2021-02-19

    Abstract: 本发明提供一种立体栽培模式下栽培层直射光进光率分析方法及装置。其中,该方法包括:获取栽培层对应的目标参数;将所述目标参数分别输入到所述栽培层对应的南北方向瞬时进光率模型和东西方向瞬时进光率模型中,获得所述栽培层瞬时进光率随时间变化的函数关系;根据温室所在地理纬度、目标时间段对应的顺序数以及赤纬角,得到所述目标时间段内所述栽培层的进光率随时间变化的信息。采用本发明公开的立体栽培模式下栽培层直射光进光率分析方法,操作更加便捷,成本较低,无需安装外部传感器设备,能够有效提高现有温室立体栽培模式中栽培层直射光进光率计算效率及实用性。

    一种预防果蔬缺钙的栽培方法及装置

    公开(公告)号:CN109121810A

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201811252027.4

    申请日:2018-10-25

    CPC classification number: A01G7/04

    Abstract: 本发明公开一种预防果蔬缺钙的栽培方法,为在太阳光利用型植物工厂或人工光利用型植物工厂内的所栽培的果蔬上方架设水平的电极线网,通过该电极线网产生其与大地之间的竖直向下的与植物本征电位波动相似频率的高频电场,通过该高频电场调控所述植物体内的钙离子,以预防果蔬缺钙。本发明还公开一种预防果蔬缺钙的栽培装置,包括一电源和一电极线网;该电源的负极通过一接地电极线接地,正极连接该电极线网;在该电源与该电极线网之间设有调节该电源频率的一控制装置;该电极线网通过若干绝缘子固定于所栽培的果蔬上方,用于形成其与大地之间的一均匀分布的电场;该电场在所述控制装置的调节下为一与植物本征电位波动相似频率的高频电场。

    一种日光温室覆盖层直射光透射率的测定方法

    公开(公告)号:CN107643270A

    公开(公告)日:2018-01-30

    申请号:CN201711021027.9

    申请日:2017-10-27

    Abstract: 本发明属于农业环境技术领域,具体涉及一种日光温室覆盖层直射光透射率的测定方法,其为:将覆盖层分成若干微小曲面作为一个微单元,将每个微单元考虑为平面计算其与地面的夹角,之后结合温室方位角、温室所处纬度在待测定时间点的太阳高度角和太阳方位角计算太阳直射光与日光温室覆盖层每一微单元法线的夹角;再计算每一微单元透射率,并进行加权,即得整个日光温室覆盖层直射光透射率,以此指导温室内的生产。本发明的方法将温室覆盖层分为多段曲面并简化为平面,分析每一平面太阳辐射直射光透射率随时间变化的规律,再综合计算整个覆盖层太阳辐射直射光随随时间变化的规律,更能精确反应覆盖材料、温室结构对太阳辐射直射光透射率的影响。

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