一种多胺类铀吸附材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN109231344A

    公开(公告)日:2019-01-18

    申请号:CN201811272399.3

    申请日:2018-10-30

    IPC分类号: C02F1/28 B01J20/26 B01J20/30

    摘要: 本发明公开了一种多胺类铀吸附材料及其制备方法,该多胺类铀吸附材料的原料组分为聚丙烯腈、超支化胺、盐酸羟胺。该制备方法首先使用不同质量的聚丙烯腈和超支化胺缩合得到聚合物PAN-AC;将缩合产物加入盐酸羟胺溶液中进行偕胺肟化反应,获得本发明的多胺类铀吸附材料PAO-AC。本发明的多胺类铀吸附材料能够有效捕获铀离子,具有吸附容量大、酸碱稳定性好等优点;本发明的多胺类铀吸附材料制备方法简便、效率高,有良好的市场前景。

    一种抗菌高分子提铀材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN107824167A

    公开(公告)日:2018-03-23

    申请号:CN201711095068.2

    申请日:2017-11-09

    发明人: 李昊 文君 汪小琳

    摘要: 本发明公开了一种抗菌高分子提铀材料及其制备方法,该抗菌高分子提铀材料的原料组分为丙烯酰胺(AM)、丙烯腈(AN)、盐酸胍、1,6-己二胺、戊二醛、盐酸羟胺,引发剂为:过硫酸铵、亚硫酸氢钠。该制备方法首先利用引发剂使丙烯酰胺和丙烯腈发生共聚,制备得到聚合物Poly(AM/AN);同时使用等摩尔质量的盐酸胍和1,6-己二胺共聚得到聚六亚甲基盐酸胍(PHGC);接着用两种聚合物混合,并加入戊二醛溶液,交联后得到Poly(AM/AN)-g-PHGC;最后,将交联产物加入盐酸羟胺溶液中进行偕胺肟化反应,获得本发明的抗菌高分子提铀材料Poly(AM/AO)-g-PHGC。本发明的抗菌高分子提铀材料能够有效捕获铀离子,具有吸附容量大、酸碱稳定性好、抗菌性好等优点;其制备方法简便、效率高,有良好的市场前景。

    一种氮化镓基多结换能单元同位素电池

    公开(公告)号:CN102610289B

    公开(公告)日:2015-03-04

    申请号:CN201210110741.6

    申请日:2012-04-17

    IPC分类号: G21H1/06

    摘要: 本发明公开了一种氮化镓基多结换能单元同位素电池,所述的同位素电池包括氮化镓基多结换能单元和辅助部件。在换能单元中的上面P+型层或N+型层制作正面电极,下面N+型层或P+型层制作台阶电极,并由正负引线连接至正负电极柱;辅助部件中的放射源片置于换能单元正面正中央;以上部分通过绝缘胶固定于底座正中央;放射源片至底座之间排布的各部分均通过内封装层固定,在内封装层的外围包覆有外封装层;正负电极柱垂直于底座,并穿过底座、内封装层和外封装层。本发明的同位素电池体型微小,工作时不需要外界提供能量,能够实现输出电流的短路电流100nA~1μA、开路电压0.8V~1.5V;可保持6年以上不间断地输出电流。

    一种氚同位素微型电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN102446572B

    公开(公告)日:2014-04-02

    申请号:CN201110426033.9

    申请日:2011-12-19

    IPC分类号: G21H1/06

    摘要: 本发明公开了一种氚同位素微型电池及其制备方法,所述的微型电池含有换能单元和附属部件两部分。换能单元的Si3N4层位于硅基PN结上表面;附属部件中的环电极在Si3N4层的外延。氘化钛+氚化钛放射层是先后在Si3N4层上表面蒸镀金层、镍层,然后用氘氚混合气体制作而成。硅基PN结的下表面是金层,负引线的一端连接在金层上,另一端连接在负电极上;正引线的一端连接在环电极上,另一端连接在正电极上;金层的下方是陶瓷片;陶瓷片位于底座正中央;外封装层覆盖在底座外部。本发明的氚同位素微型电池体型微小、工作时不需要外界提供能量,能够实现电流40nA~1μA、功率6nW~0.1μW、6年以上不间断地输出。本发明的制备方法安全可靠。

    一种用于中子静高压实验的密封腔

    公开(公告)号:CN207163939U

    公开(公告)日:2018-03-30

    申请号:CN201721152676.8

    申请日:2017-09-11

    IPC分类号: G01N23/207

    摘要: 本实用新型提供了一种用于中子静高压实验的密封腔,所述密封腔的密封腔盖包括密封腔顶板、波纹管和上法兰口,密封腔顶板和上法兰口分别与波纹管的上下端连接,上法兰口为密封腔盖的开口端,密封腔顶板为密封腔盖的封闭端;密封腔底包括下法兰口、中子窗、密封腔定位孔和高压腔卡口;下法兰口处于密封腔底上端开口处,中子窗口位于下法兰口下方,密封腔定位孔位于密封腔底的底部中心处,高压腔卡口位于密封腔底的底部。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利