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公开(公告)号：CN110054147A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910232149.5
申请日：2019-03-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种微米级金属件三维成型方法：选择合适的固体材料作为支撑衬底；制备第零层原始牺牲层，作为结构层材料的支撑层，制备第一层结构层，微细加工出完整的第一层结构层的结构，在所述第一层结构层之上制备第一层牺牲层，然后进行研磨抛光等平坦化工艺至所需的结构层图案完整露出；完成第N层结构层、牺牲层的制备；制备第N+1层结构层制备，微细加工出完整的第N+1层结构层的结构，刻蚀去除N层牺牲层的局部区域材料，获得完整的微米级金属件样品。实现精密三维结构的一次性直接制造，减少后续步骤，提升精度降低成本的技术效果。解决现有技术中对于精密复杂微小结构的加工工艺存在直接加工、后续对准、装配等方面困难的技术问题。
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公开(公告)号：CN107283835A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710600784.5
申请日：2017-07-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: B29C64/20 , B29C64/268 , B29C64/245 , B29C64/135 , B29C64/153 , B22F3/105 , B28B1/00 , B33Y30/00
CPC classification number: Y02P10/295 , B22F3/1055 , B22F2003/1056 , B28B1/001 , B33Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种3D打印装置，应用于3D打印领域，该装置包括：用于产生激光束的激光器；设置于激光器的激光束出射方向的准直透镜，聚焦透镜，设置于准直透镜的准直后光束出射方向；激光传输光纤，激光传输光纤的一端设置于聚焦透镜的汇聚后光束出射方向，激光传输光纤的另一端连接有光纤头，光纤头的端面上设置有用于产生表面等离激元的金属微结构；打印材料容器的容器开口对着光纤头，形成的聚焦光斑指向打印材料容器中，打印材料容器中容置有载物台；用于控制光纤头和载物台进行三维移动的三维移动台与光纤头和载物台均连接。本发明解决了现有小型的3D打印装置打印精度不高的技术问题。
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公开(公告)号：CN112441554B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN201910814031.3
申请日：2019-08-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种微纳金属三维结构的加工仪器，包括：本体，本体包括容置腔；原料及靶材装配模块，设置在容置腔的一端，贯穿容置腔内外，用于提供原料以及靶材；制备金属结构层模块，制备金属结构层模块设置于容置腔的底端，具体包括：光敏材料形成模块、固化处理模块、去除模块、第一金属形成模块、第二金属形成模块，制备金属结构层模块用于形成N层金属结构层，每层金属结构层具体包括图形化的第一金属层和第二金属层，第一金属层与第二金属层的材料不同；牺牲金属释放模块，牺牲金属释放模块用于去除每层金属结构层中的第一金属层或第二金属层，获得微纳金属三维结构，大幅度提高微纳三维金属结构的制备效率，更提高了加工的可靠性。
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公开(公告)号：CN118562599A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202310193359.4
申请日：2023-02-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种扩增芯片以及生物分析装置，该扩增芯片包括：扩增流道以及图案化的控温单元。其中，控温单元在电信号作用下控制扩增流道的温度分布，以在扩增流道中形成变性温区、退火温区和延伸温区。扩增流道包括多个流道段，每个流道段位于变性温区、退火温区和延伸温区中的一个温区，多个流道段之间依次连通，每个流道段的横截面积根据核酸扩增样本经过相应温区所需的流速大小设置，其中至少存在一个流道段的横截面积不同于其他流道段。当核酸扩增样本在扩增流道中流动时，每经过一次变性温区、退火温区和延伸温区，则完成一个扩增周期，待循环完成多个扩增周期后，从扩增流道流出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115069314B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202110268570.9
申请日：2021-03-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: B01L3/00
Abstract: 本申请实施例提供了一种微流体芯片，包括：流体反应单元，流体反应单元包括进样端和出样端；进样管道，连通于流体反应单元的进样端；出样管道，连通于流体反应单元的出样端；第一气管，连通于进样管道；第二气管，连通于出样管道。该微流体芯片能够大大缩短微流体反应单元内通道的长度，能够使微流体芯片小型化、降低微流体芯片的生产成本、提高微流体芯片的便携性。
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公开(公告)号：CN115364913B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202110543108.5
申请日：2021-05-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种热塑性芯片的键合方法，属于芯片键合技术领域，所述方法包括：通过溶剂键合的方式将两块热塑性芯片进行预键合，获得预键合体；将所述预键合体进行加压并浸没于40～80℃的水中，在0.5～5MPa压力下进行水浴键合，获得键合体。该方法能够有效改善溶剂键合中由于溶剂残留而导致的微通道变形和尺寸损失的问题，进而提高热塑性芯片的键合质量。
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公开(公告)号：CN115364913A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202110543108.5
申请日：2021-05-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种热塑性芯片的键合方法，属于芯片键合技术领域，所述方法包括：通过溶剂键合的方式将两块热塑性芯片进行预键合，获得预键合体；将所述预键合体进行加压并浸没于40～80℃的水中，在0.5～5MPa压力下进行水浴键合，获得键合体。该方法能够有效改善溶剂键合中由于溶剂残留而导致的微通道变形和尺寸损失的问题，进而提高热塑性芯片的键合质量。
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公开(公告)号：CN112798156B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN201911109189.7
申请日：2019-11-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明实施例提供的一种纳米线压力传感器及传感器阵列，包括：基底、纳米线阵列以及至少两个金属电极，所述金属电极和所述纳米线阵列均位于所述基底的同一面；所述纳米线阵列分布在所述金属电极之间，所述纳米线阵列含有两个以上的纳米线单元，每个所述纳米线单元至少与一个所述金属电极连接，所述金属电极用于给所述纳米线阵列施加电压。本发明中的纳米线压力传感器及传感器阵列具备高灵敏度可进行大面积应用。
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公开(公告)号：CN115069314A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110268570.9
申请日：2021-03-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: B01L3/00
Abstract: 本申请实施例提供了一种微流体芯片，包括：流体反应单元，流体反应单元包括进样端和出样端；进样管道，连通于流体反应单元的进样端；出样管道，连通于流体反应单元的出样端；第一气管，连通于进样管道；第二气管，连通于出样管道。该微流体芯片能够大大缩短微流体反应单元内通道的长度，能够使微流体芯片小型化、降低微流体芯片的生产成本、提高微流体芯片的便携性。
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