公开(公告)号：CN203069539U

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201220729968.4

申请日：2012-12-26

申请人： 天津大学

发明人： 胡明 ,  李明达 ,  马双云 ,  闫文君 ,  曾鹏

IPC分类号： G01N27/00

摘要： 本实用新型公开了一种用于室温检测超低浓度氮氧化物气体的气敏元件，硅基片衬底为n型单晶硅基片，硅基片衬底的上面设置有多孔硅层，该多孔硅层的平均孔径为170.28nm，厚度为68.78μm，多孔硅层的上面设置有氧化钨薄膜，薄膜厚度为35nm，所述多孔硅层与氧化钨薄膜形成多孔硅基氧化钨纳米复合结构；氧化钨薄膜的上表面设置有铂电极正极和铂电极负极。本实用新型在室温下即可对超低浓度氮氧化物气体具有较高的响应值和很好的选择性，响应/恢复时间短，稳定性好，且体积小巧、结构简单、工艺成熟、价格低廉，有望在气敏传感器领域获得推广应用。

公开(公告)号：CN202928977U

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201220538260.0

申请日：2012-10-19

申请人： 天津大学

发明人： 胡明 ,  李明达 ,  马双云 ,  闫文君 ,  曾鹏

IPC分类号： G01N27/00

摘要： 本实用新型公开了一种氮氧化物气敏传感器元件，包括硅基片衬底（1）、铂电极（3），其特征在于，所述硅基片衬底（1）与铂电极（3）之间设置有多孔硅敏感层（2）；所述多孔硅敏感层（2）是利用双槽电化学腐蚀法在硅片的抛光表面制备而成。本实用新型传感器首创采用孔径在100~200nm，兼有孔隙率高和孔洞高度有序排列的硅基多孔硅作为气敏材料，实现气体的快速吸/脱附；对于低浓度氮氧化物气体具有响应/恢复时间短、稳定性好、体积小巧、结构简单、制作工艺成熟、使用方便、价格低廉的特点。