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公开(公告)号:CN114646813A
公开(公告)日:2022-06-21
申请号:CN202210517981.1
申请日:2022-05-13
Abstract: 本发明公开一种光电二极管结电容测量装置及方法,包括待测光电二极管、可调偏置电压模块、跨阻放大模块、锁相放大器以及上位机模块。避光条件下,待测光电二极管一端与可调偏置电压模块相连,一端与跨阻放大模块的反相输入端相连,锁相放大器输出扫频信号接入跨阻放大模块的正相输入端作为激励信号,并采集跨阻放大模块的输出信号上传给上位机,上位机根据系统响应函数拟合出待测光电二极管的结电容。本发明可以间接测量出不同偏置电压下的光电二极管结电容,拟合均方误差仅为10‑4量级,具有测量步骤简单,精度高的优点,适用于光电二极管挑选、提高参数一致性等应用,能够提升平衡探测器的共模抑制比。
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公开(公告)号:CN114189172B
公开(公告)日:2022-05-24
申请号:CN202210137538.1
申请日:2022-02-15
IPC: H02N1/00
Abstract: 本发明公开了一种精准调控微粒净电量的方法及装置。所述的方法,步骤如下:1)悬浮待调节微粒;2)在待调节微粒周围产生自由电荷;3)在待调节微粒周围产生加速电场,定向地控制自由电荷的移动;3.1)电荷正负性的调控:通过调节加速电场的方向,调控吸附至待调节微粒的自由电荷的正负性;3.2)电荷量的调控:通过设置电荷屏蔽罩,控制吸附到待调节微粒上的自由电荷的数量。所述的装置,包括电荷屏蔽罩、针尖电极、平板电极、支撑结构。本发明可精确地调控微粒携带的电荷量及其正负性,为在微纳尺度控制微粒的运动、提升真空光镊系统的力学灵敏度提供可能的解决方案。另外,可应用在静电除尘、静电复印、静电透镜等领域。
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公开(公告)号:CN114189172A
公开(公告)日:2022-03-15
申请号:CN202210137538.1
申请日:2022-02-15
IPC: H02N1/00
Abstract: 本发明公开了一种精准调控微粒净电量的方法及装置。所述的方法,步骤如下:1)悬浮待调节微粒;2)在待调节微粒周围产生自由电荷;3)在待调节微粒周围产生加速电场,定向地控制自由电荷的移动;3.1)电荷正负性的调控:通过调节加速电场的方向,调控吸附至待调节微粒的自由电荷的正负性;3.2)电荷量的调控:通过设置电荷屏蔽罩,控制吸附到待调节微粒上的自由电荷的数量。所述的装置,包括电荷屏蔽罩、针尖电极、平板电极、支撑结构。本发明可精确地调控微粒携带的电荷量及其正负性,为在微纳尺度控制微粒的运动、提升真空光镊系统的力学灵敏度提供可能的解决方案。另外,可应用在静电除尘、静电复印、静电透镜等领域。
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