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公开(公告)号：CN105369216B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201510764938.5
申请日：2015-11-11
Abstract: 一种前驱体时间分隔式的自限制性表面吸附反应制备BiAlO3薄膜材料的方法，BiAlO3薄膜材料生长在衬底材料上，所述的BiAlO3薄膜材料的空间群为R3c，晶格常数为a=7.611Å，c=7.942Å；采用前驱体时间分隔式的自限制性表面吸附反应得到，所述表面吸附反应特指朗缪尔吸附机制的不可逆的化学吸附反应。通过采用本发明的制备BiAlO3薄膜材料的方法，可以实现BiAlO3薄膜生长厚度的精确可控，且BiAlO3薄膜表面平整度大大优于现有技术。
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公开(公告)号：CN105274492B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201510766708.2
申请日：2015-11-11
Abstract: 一种制备Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料的方法，Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料生长在衬底材料上，采用铝镓有机源脉冲混插式的自限制性表面吸附反应得到，所述表面吸附反应特指朗缪尔吸附机制的不可逆的化学吸附反应。通过采用本发明的制备Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料的方法，可以实现Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜生长厚度的精确可控，且Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜表面平整度大大优于现有技术。由于Bi(AlxGa1‑x)O3为无铅材料，使其成为Pb(Zr1‑xTix)O3的潜在替换者。
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公开(公告)号：CN105386006A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510766400.8
申请日：2015-11-11
CPC classification number: C23C16/409 , C23C16/52 , C30B25/16 , C30B29/22
Abstract: 前驱体时间分隔式制备镓酸铋薄膜的方法。一种前驱体时间分隔式的自限制性表面吸附反应制备BiGaO3薄膜材料的方法，BiGaO3薄膜材料生长在衬底材料上，BiGaO3薄膜材料的空间群为Pcca，晶格常数为a=5.626？，b=5.081？，c=10.339？，BiGaO3薄膜材料在所选择的衬底上生长得到的择优取向为（112），采用前驱体时间分隔式的自限制性表面吸附反应得到，所述表面吸附反应特指朗缪尔吸附机制的不可逆的化学吸附反应。通过采用本发明的制备BiGaO3薄膜材料的方法，可以实现BiGaO3薄膜生长厚度的精确可控，且BiGaO3薄膜表面平整度大大优于现有技术。
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公开(公告)号：CN105386005A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510764503.0
申请日：2015-11-11
CPC classification number: C23C16/409 , C23C16/52 , C30B25/16 , C30B29/22
Abstract: 一种制备组分渐变、跨越准同型相界的Bi(AlxGa1-x)O3薄膜材料的方法，薄膜材料采用自限制性表面吸附反应得到。在由程序控制的每个生长周期中，设置两个计数器分别用于设定和控制每一个生长周期中有机铝源气体脉冲、有机镓源气体脉冲的数量，在逐次生长过程中，其中一个计数器的值逐渐增加，另一个计数器的值逐渐减小。通过采用本发明的制备Bi(AlxGa1-x)O3薄膜材料的方法，可以实现组分渐变、跨越准同型相界的Bi(AlxGa1-x)O3薄膜材料，且Bi(AlxGa1-x)O3薄膜生长厚度的精确可控。由于Bi(AlxGa1-x)O3为无铅材料，使其成为Pb(Zr1-xTix)O3的潜在替换者。
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公开(公告)号：CN103326695A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310245583.X
申请日：2013-06-20
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明涉一种含MEMS开关的可重构匹配网络匹配器，包括六个MEMS桥单元、地线、信号线以及六个偏压垫，所述第地线、信号线依次平行设置于衬底上，所述六个MEMS桥单元依次垂直于所述两地线排列于衬底上，所述每个MEMS桥单元包括两个悬臂梁桥膜、一个支撑梁桥膜以及四个桥墩。其有益效果为：硅片上的MEMS开关替代传统的PIN开关二极管、变容二极管或FET等开关器件实现滤波器的频率重构；共面波导传输线替代了传统的PCB板上的共面波导传输线；结构紧凑简单、尺寸微小、控制电路功耗低、工作频率高；可与传统的IC工艺兼容，工艺成熟，成本低廉，适合于批量生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115241421B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202210687047.4
申请日：2022-06-16
Applicant: 南通大学
Abstract: 本申请属于锂硫电池正极材料制备技术领域，公开了一种苍耳状结构的锂硫电池正极材料及其制备方法与应用，制备方法包括：将偏钒酸铵和二水合草酸溶解在的GO溶液中，然后进行水热反应制备苍耳状VO2@rGO；之后加入ZnSe QDs悬浮液制备ZnSe‑VO2@rGO；最后与硫粉经熔融法制备ZnSe‑VO2@rGO/S。本发明正极材料应用于锂硫电池中，能改善锂硫电池的循环稳定性能和倍率性能，同时抑制了锂硫电池中的穿梭效应问题，提高了锂硫电池电化学性能。
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公开(公告)号：CN119297270A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411268574.7
申请日：2024-09-11
Applicant: 南通大学
IPC: H01M4/525 , H01M4/62 , H01M10/36 , C01G45/028
Abstract: 本申请公开一种钾掺杂链状四氧化三锰正极材料及其制备方法与应用，属于水系锌离子电池领域，制备方法包括：配置一份异丙醇与去离子水的混合溶液。在磁力搅拌下，将乙酸锰，氯化钾和氨三乙酸溶解到混合溶液中，通过水热法制备K‑Mn‑NTA即K‑Mn‑NCs前驱体；之后通过退火法制备K‑Mn3O4‑NCs；最后将聚苯胺原位聚合在K‑Mn3O4‑NCs上得到K‑Mn3O4‑NCs@PANI；本发明正极材料应用于锌离子电池中，能够改善锌离子电池的循环性能和倍率性能，提高正极材料导电性的同时抑制了Mn的溶解，提高了锌离子电池的电化学性能。
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公开(公告)号：CN113780509B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202110269978.8
申请日：2021-03-12
Applicant: 南通大学
IPC: G06K19/073 , G11C7/24 , G11C7/10 , G06F21/78 , H04L9/40
Abstract: 本发明提供的特殊的可移动存储器，使得需要保护的内网计算机、特定的计算机中的数据信息，只能被复制出来，而外部的任何计算机的数据，无论是纯粹的无执行功能的数据，还是可执行的代码，任何数据都无法转移至本发明提供的特殊的可移动存储器，因为此时的可移动存储器处于只读状态，这样也就不可能转移到需要保护的内网计算机、特定的计算机中。通过这种特殊设计的单向数据传输的移动存储器及单向数据传输方法，内网计算机、特定的计算机，与外部的任何计算机都是物理隔绝的，无法直接传输数据，可以真正确保内网计算机、特定的计算机的信息安全，又不妨碍内部数据的对外传输，实现了单向数据传输的目的。
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公开(公告)号：CN116223571A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202111458343.9
申请日：2021-12-02
Applicant: 南通大学
IPC: G01N27/04
Abstract: 一种用于脉冲喷雾式制造湿度传感器芯片的装置，包括用于容置矩形衬底的腔体，腔体内部相对设置有第一雾化喷嘴和第二雾化喷嘴；第一雾化喷嘴和第二雾化喷嘴分别用于交替脉冲式雾化喷射第一湿度敏感材料和第二湿度敏感材料；第一湿度敏感材料和第二湿度敏感材料的电阻率敏感依赖于环境湿度；第一雾化喷嘴用于向矩形衬底脉冲式雾化喷射第一湿度敏感材料，衬底上沉积的第一湿度敏感材料的分布密度逐渐降低；第二雾化喷嘴用于向矩形衬底脉冲式雾化喷射第二湿度敏感材料，衬底上沉积的第二湿度敏感材料的分布密度逐渐降低。第一雾化喷嘴、第二雾化喷嘴、第一射流式雾化器、第二射流式雾化器均为固定设置，避免了制造装置容易疲劳损坏的问题。
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公开(公告)号：CN116148316A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202111384311.9
申请日：2021-11-22
Applicant: 南通大学
IPC: G01N27/04
Abstract: 一种湿度传感器芯片的制造方法，其目的在于：实现宽湿度测量范围，并且大幅度降低制造工艺复杂性和制造成本。其实现的技术方案为，采用电阻型湿度敏感材料来实现湿度传感器的制造，湿度敏感材料沉积在衬底上，衬底具有叉指电极。从衬底的第一边缘到第二边缘的方向上，沉积的第一湿度敏感材料的分布密度逐渐降低，衬底上沉积的第二湿度敏感材料的分布密度逐渐升高，湿度敏感材料组分发生连续的变化。所选择出的第一湿度敏感材料和第二湿度敏感材料具有不同的湿度敏感特性曲线，具备不同的最佳感湿范围。两种湿度敏感材料的最佳感湿范围差别越大，本发明所得到的最终湿度传感器的湿度测量范围越宽。
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