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公开(公告)号：CN117092748B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202311214508.7
申请日：2023-09-19
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种紧凑型绝热模式演化器，属于集成光学技术领域。该绝热模式演化器包括下包层、上包层及硅芯，下包层的上端设置硅芯，硅芯的四周设置上包层；TE1模式从输入端输入，第一绝热锥形波导传输TE1模式至第一绝热模式转换器，第一绝热模式转换器将TE1模式演化成TM0模式，第二绝热锥形波导传输TM0模式至过渡结构，通过过渡结构传输TM0模式至第三绝热锥形波导，第三绝热锥形波导传输TM0模式至第二绝热模式转换器，第二绝热模式转换器将TM0模式演化成TE1模式并传输至第四绝热锥形波导，第四绝热锥形波导通过输出端将TE1模式输出。本发明实现TE1模式到TM0模式再到TE1模式的循环演化传输。
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公开(公告)号：CN117075257B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202311137559.4
申请日：2023-09-05
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种TE0模式和TE1模式功率均分器。本发明包括下包层、硅芯及上包层；所述硅芯设置在下包层顶端；硅芯的折射率nSi＝3.455，高度为h2＝220nm，输入端宽度为WI＝0.45μm，输出端宽度WO＝1.5μm，输入端的中心和输出端的中心之间的偏移宽度为Woffset＝315.5nm，输入端的长度为LI，中间锥形波导的长度为L＝0，输出端的长度为LO。本发明的功率均分器可以将输入端的TE0模式转换成输出端的TE0模式和TE1模式。本发明提出的TE0模式和TE1模式功率均分器可以实现TE0模式和TE1模式在输出端的功率平均分配。
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公开(公告)号：CN117826323A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410120552.X
申请日：2024-01-29
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明属于集成光电子技术领域，具体涉及一种双层绝热模式转换器。本发明包括第一硅芯、第二硅芯及包层；第一硅芯、第二硅芯四周均设置包层；第一硅芯设置在第二硅芯下方；沿光束传播方向，第一硅芯包括依次连接的输入端、第一绝热锥形波导、第二绝热锥形波导、第三绝热锥形波导、第四绝热锥形波导、第五绝热锥形波导、第六绝热锥形波导、第七绝热锥形波导、第八绝热锥形波导、第九绝热锥形波导、第十绝热锥形波导、第十一绝热锥形波导、第十二绝热锥形波导及输出端。本发明的双层绝热模式转换器可以实现TM0模式和TE1模式之间的转换传输。
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公开(公告)号：CN116449560B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202310354371.9
申请日：2023-04-04
Applicant: 南通大学
IPC: G02B27/00
Abstract: 本发明涉及集成光电子技术领域，尤其涉及一种光通信中绝热锥形波导的逆向设计方法。解决了目前波导尺寸大、集成度低的问题，其技术方案为：包括以下步骤：S1：确定波导输入端宽度WI和输出端宽度WF；S2：对整个锥形波导进行均匀分段；S3：求出各个片段的长度Li；S4：组成完整的波导；S5：仿真模拟功率传输效率曲线；S6：根据器件选择波导长度。本发明的有益效果为：本发明具有尺寸小、损耗低、传输效率高、结构简单易加工的绝热锥形波导结构的优点。
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公开(公告)号：CN117092748A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311214508.7
申请日：2023-09-19
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种紧凑型绝热模式演化器，属于集成光学技术领域。该绝热模式演化器包括下包层、上包层及硅芯，下包层的上端设置硅芯，硅芯的四周设置上包层；TE1模式从输入端输入，第一绝热锥形波导传输TE1模式至第一绝热模式转换器，第一绝热模式转换器将TE1模式演化成TM0模式，第二绝热锥形波导传输TM0模式至过渡结构，通过过渡结构传输TM0模式至第三绝热锥形波导，第三绝热锥形波导传输TM0模式至第二绝热模式转换器，第二绝热模式转换器将TM0模式演化成TE1模式并传输至第四绝热锥形波导，第四绝热锥形波导通过输出端将TE1模式输出。本发明实现TE1模式到TM0模式再到TE1模式的循环演化传输。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117055161A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311044784.3
申请日：2023-08-18
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明属于集成光学技术领域，具体涉及一种绝热光学循环器。本发明包括下包层、上包层及硅芯；下包层的上端设置硅芯；硅芯的四周设置上包层；沿光束传播方向，硅芯包括依次连接的输入端、第一绝热锥形波导、第一绝热模式转换器、直波导、第二绝热模式转换器、第二绝热锥形波导及输出端；TE1模式从输入端输入，第一绝热锥形波导传输TE1模式至第一绝热模式转换器，第一绝热模式转换器将TE1模式转换成TM0模式，通过直波导将TM0模式传输至第二绝热模式转换器，第二绝热模式转换器将TM0模式转换成TE1模式并传输至第二绝热锥形波导，第二绝热锥形波导通过输出端将TE1模式输出。本发明实现TE1模式到TM0模式再到TE1模式的循环传输。
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公开(公告)号：CN114326101B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202210020009.3
申请日：2022-01-10
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种绝热模式演化器的设计方法，先确定其中一个脊波导结构的顶层硅宽wR，然后找另一个脊波导结构的顶层硅宽wL的最佳值，具体通过依次改变wL的值，计算最小反射率，并找到准确的wL值。绝热模式演化器在垂直方向上分成顶层硅宽度变化部分和中部硅宽度变化部分，在水平方向上，对于顶层硅宽度变化部分Δw，初始波导宽度与最终波导宽度通过长度为L的直线相演化；对于中部硅宽度变化部分ΔW，初始波导宽度与最终波导宽度通过长度为L的直线相演化。通过本方法设计得到的器件更为紧凑，其结构简单、尺寸小、带宽大。这种紧凑的绝热模式演化器构成了光子集成电路的关键组件。
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公开(公告)号：CN116626809A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310766878.5
申请日：2023-06-27
Applicant: 南通先进通信技术研究院有限公司 , 南通大学
Abstract: 本发明提供了一种绝热InP波导集成平台及其逆向设计方法，属于光通信和毫米波通信技术领域。解决了目前InP波导集成平台设计尺寸过大的问题。其技术方案为：一种绝热InP波导集成平台，包括InP基光栅波导结构和InP基脊波导结构；一种绝热InP波导集成平台的逆向设计方法，包括以下步骤：步骤一、确定硅芯的变化趋势；步骤二、完善硅芯的变化趋势；步骤三、将光栅末端往中间核心光栅倾斜；步骤四、确定硅芯的宽度划分；步骤五、确定每段硅芯的长度；步骤六、组合成绝热InP波导集成平台。本发明的有益效果为：本发明具有通用性和高效性，适用于设计具有复杂几何形状、边界、材料、以及各种不同类型的绝热InP波导集成平台。
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公开(公告)号：CN116590559A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310572623.5
申请日：2023-05-22
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于强流脉冲电子束强化表面的含Cr镍基粉末冶金材料制备方法，首先按质量比79:21将纯铬、纯镍粉混合成Ni‑21Cr混合粉；采用球磨机混合，获得均匀粉末；再利用模具按压成型，然后在烧结炉中烧结成型；最后用强流脉冲电子束对烧结得到的样品进行若干次辐照处理，得到致密的表面强化Ni‑Cr粉末冶金样品。本方法解决了现有方法制备得到的镍基材料硬度低且耐磨性差这两个主要问题，并且本方法生产成本低、操作简单、工艺周期短，能够改善镍基材料的表面性能，进而延长其服役寿命。
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公开(公告)号：CN115951451B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202211347516.4
申请日：2022-10-31
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于TM1和TE2模式转换的绝热模式转换器，包括硅芯和包层；硅芯为脊波导结构，由底部硅芯和顶部硅芯构成；沿光束传播方向，底部硅芯的宽度保持不变；顶部硅芯的输入端和输出端分别为平行板波导，输入端的宽度WL 2.0μm；沿光束传播方向，输入端和输出端之间的顶部硅芯由片段a～片段k共11个连续的片段构成；本发明的绝热模式转换器基于沿模式传播方向的均衡模式转换功率损耗来选择各个片段的长度，通过这样的布置实现高效紧凑的绝热模式转换器。
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