公开(公告)号：CN108350355A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680066038.6

申请日：2016-11-01

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 小野雅司

IPC: C09K11/08 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  C01G15/00 ,  C09K11/00 ,  C09K11/70

CPC classification number: B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  C01G15/00 ,  C09K11/00 ,  C09K11/08 ,  C09K11/70

Abstract: 本发明的课题在于提供一种发光效率高且耐久性也优异的核壳粒子及其制造方法、以及使用核壳粒子的薄膜。本发明的核壳粒子具有含有III族元素及V族元素的核、包覆核表面的至少一部分的第1壳及包覆第1壳的至少一部分的第2壳，并且在核壳粒子的表面的至少一部分中具有包含金属元素及烃基的含金属有机化合物。

公开(公告)号：CN103688364B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201280035996.9

申请日：2012-06-19

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 小野雅司 ,  高田真宏 ,  望月文彦 ,  田中淳 ,  铃木真之

IPC: H01L29/786 ,  G01T1/24 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14659 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/148 ,  H01L27/156 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种场效晶体管的制造方法。所述场效晶体管的制造方法包括：在配置于栅极上的栅极绝缘层上，使第一氧化物半导体膜成膜；使第二氧化物半导体膜成膜，第二氧化物半导体膜的阳离子组成与第一氧化物半导体膜的阳离子组成不同、且具有比第一氧化物半导体膜低的导电率；在氧化性环境下以超过300℃进行热处理；使第三氧化物半导体膜成膜，第三氧化物半导体膜的阳离子组成与第一氧化物半导体膜的阳离子组成不同、且具有比第一氧化物半导体膜低的导电率；在氧化性环境下以超过300℃进行热处理；以及在第三氧化物半导体膜上形成源极及漏极。