公开(公告)号：CN101997054B

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201010267198.1

申请日：2010-08-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 夏秋和弘

IPC: H01L31/101

CPC classification number: G01J1/44 ,  G01J3/02 ,  G01J3/0208 ,  G01J3/0264 ,  G01J3/027 ,  G01J3/0272 ,  G01J3/51 ,  G01J3/513 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14645

Abstract: 本发明提供一种半导体光电探测器元件和半导体装置，该半导体光电探测器元件的制造成本被降低且精度被提高。该半导体光电探测器元件包括：第一光电二极管，形成在P型硅基板中；第二光电二极管，形成在P型硅基板中并且具有与第一光电二极管相同的结构；由绿色滤色器形成在第一光电二极管上方的滤色器层；由黑色滤色器形成在第二光电二极管上方的滤色器层；以及运算电路部，将第二光电二极管的检测信号从第一光电二极管的检测信号减去。

公开(公告)号：CN101997054A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN201010267198.1

申请日：2010-08-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 夏秋和弘

IPC: H01L31/101

CPC classification number: G01J1/44 ,  G01J3/02 ,  G01J3/0208 ,  G01J3/0264 ,  G01J3/027 ,  G01J3/0272 ,  G01J3/51 ,  G01J3/513 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14645

Abstract: 本发明提供一种半导体光电探测器元件和半导体装置，该半导体光电探测器元件的制造成本被降低且精度被提高。该半导体光电探测器元件包括：第一光电二极管，形成在P型硅基板中；第二光电二极管，形成在P型硅基板中并且具有与第一光电二极管相同的结构；由绿色滤色器形成在第一光电二极管上方的滤色器层；由黑色滤色器形成在第二光电二极管上方的滤色器层；以及运算电路部，将第二光电二极管的检测信号从第一光电二极管的检测信号减去。

公开(公告)号：CN1487602A

公开(公告)日：2004-04-07

申请号：CN03155529.2

申请日：2003-08-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 夏秋和弘 ,  福岛稔彦

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/103

Abstract: 本发明公开了一种光接收元件及其制造方法以及具有内建电路的光接收元件，其中该元件包括：衬底；以及，外延层，设置在衬底上并包括从外延层的表面延伸至预定深度的杂质扩散层。该预定深度为小于等于约0.3μm。杂质扩散层包括浓度小于约1×1020cm－3的杂质。