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公开(公告)号：CN104558356A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410816114.3
申请日：2014-12-25
Applicant: 常州大学
IPC: C08F212/08 , C08F220/06 , C08F220/34 , C08F220/14 , C08F220/28 , C08F218/08 , C08F220/56 , C08F220/18 , C08F2/44 , C08K3/36 , C08K3/22
Abstract: 本发明公开了一种半连续聚合合成Pickering型乳液的方法，属于高分子聚合领域。按照下述步骤进行：水相的制备；半连续乳液聚合滴加组分的制备；半连续乳液聚合制备Pickering型乳液，即可得到Pickering型乳液。该方法可以明显降低固体颗粒的使用比例（0.1- 2.0 wt%），并且可以形成尺寸在100nm左右的乳胶粒子，固体颗粒在乳胶粒子表面包覆形态完整，乳液稳定性能良好。
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公开(公告)号：CN119947555A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510021125.0
申请日：2025-01-06
Applicant: 常州大学
Abstract: 本发明属于锡基钙钛矿电池技术领域，具体公开了一种锡基钙钛矿前驱体溶液及其制备方法和应用。本发明在锡基钙钛矿前驱体溶液中添加2‑苄基‑2‑异硫脲盐酸盐，其含有的氨基(‑NH2)与硫醚(C‑S‑C)起到路易斯碱的作用，能与配位不足的Sn2+进行结合，抑制Sn2+向Sn4+的氧化，进而降低钙钛矿结晶速率以及钝化薄膜生长缺陷，改善锡基钙钛矿吸光层电荷输运性能，提高了光电转换效率，具有良好的稳定性。
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公开(公告)号：CN119751048A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411673807.1
申请日：2024-11-21
Applicant: 常州大学
IPC: C04B35/468 , H10N30/097 , H10N30/853 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明属于无铅压电陶瓷应用领域，尤其涉及一种直接获得压电性能的压电陶瓷制备方法。包括如下操作步骤：（1）通过固相反应法制备得到BDTbT‑CCdW，合成的BDTbT‑CCdW用胶体磨研磨成亚微米粉体；（2）通过无容器气悬浮工艺制备玻璃粉BaASTB；（3）用高能球磨机将BDTbT‑CCdW粉体和BaASTB玻璃粉混合均匀；（4）通过快烧急冷制备BT基压电陶瓷。急冷过程玻璃相BaASTB钉扎于晶界，收缩产生压应力，诱导出压电性能，使得BT基陶瓷无需极化直接获得压电性能且不会退极化。
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公开(公告)号：CN119462142A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411673978.4
申请日：2024-11-21
Applicant: 常州大学
IPC: C04B35/491 , H10N30/097 , H10N30/853 , C04B35/622 , C04B35/628 , C04B35/64
Abstract: 本发明属于铅基压电陶瓷应用领域，尤其涉及一种无需极化获得压电性能的压电陶瓷制备方法。通过油相纳米反应器在PZT‑BZnI粉体表面均匀包覆纳米膜ZSO，通过固相反应快速烧结快速冷却制备PZT基压电陶瓷，快速冷却过程ZSO发生相变，在PZT基陶瓷晶界产生大小适当、分布均匀压应力，诱导出压电效应，使得压电陶瓷无需极化直接获得压电性能。本发明的优点：油相纳米反应器实现在铅基粉体表面均匀包覆纳米膜，克服现有核‑壳结构制备工艺复杂、分布不均匀的不足；均匀包覆纳米膜ZSO通过相变产生持久均匀压应力，实现铅基压电陶瓷无需极化获得压电性能，且不会退极化。
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公开(公告)号：CN112979306B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202110168549.1
申请日：2021-02-07
Applicant: 常州大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/628 , C04B35/64
Abstract: 本发明属于铁电储能陶瓷领域，特别涉及一种制备铁电储能陶瓷的方法。其技术要点如下，包括如下操作步骤：通过溶胶‑溶剂热‑自蔓热工艺在BST粉体表面均匀包覆纳米端基组元BiMT，再通过固相反应、低温烧结制备BST基铁电储能陶瓷；其中BST是(Ba1‑xSrx)TiO3，BiMT是Bi(Mg1/2Ti1/2)O3，x=0.05~0.15。本发明通过溶胶‑溶剂热工艺提高多组分混合的均匀性，均匀包覆的纳米BiMT兼具烧结助剂和固溶体端基组元的作用，实现在空气气氛中、BST基铁电储能陶瓷的低温烧结致密化，具有产业价值。
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公开(公告)号：CN110993803B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN201911230511.1
申请日：2019-12-05
Applicant: 常州大学
Abstract: 本发明属于太阳能电池领域，公开了一种基于全无机金属卤化物钙钛矿材料的太阳电池的界面修饰方法。利用强紫外光或潮湿大气使CsPbI2Br或CsPbI3在表面和晶界处发生部分分解并生成卤化铅；再将CsBr或CsCl的超干甲醇溶液滴涂到钙钛矿层上并静置，在钙钛矿表面和晶界处生成CsPbBr3或CsPbCl3修饰层；用甲醇溶剂冲洗，除去未反应的CsBr或CsCl；最后进行退火。该方法可在钙钛矿晶界和钙钛矿/空穴传输层界面形成钝化层，抑制界面复合，加速空穴的抽取，从而提高器件的效率。此外修饰层材料自身的稳定性优于CsPbI2Br或CsPbI3，提升了器件稳定性，对钙钛矿太阳电池的产业化具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN115197691A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210856743.3
申请日：2022-07-20
Applicant: 常州大学
IPC: C09K11/02 , C09K11/58 , C09K11/66 , B01J27/135
Abstract: 本发明属于钙钛矿量子点领域，涉及钙钛矿量子点/贵金属纳米颗粒复合材料制备方法，该复合材料具有良好的光催化活性，在5h内可降解约69％的苏丹红III，可将其作为降解苏丹红III的新型光催化剂。本发明提出的合成方法是在钙钛矿量子点的前驱体CsX纳米颗粒的表面先还原AuX，从而沉积Au，再进行CsX与Pb(OA)2的反应，生成钙钛矿量子点/Au复合材料。而传统方法是先合成钙钛矿量子点，再进行Au沉积。本发明提出的方法可避免传统方法中造成的钙钛矿量子点与Au+离子的反应，避免副产物(如Cs2Au2Br6)的产生，对量子点的合成和光催化应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN109942205B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN201910231404.4
申请日：2019-03-26
Applicant: 常州大学
IPC: C03C17/25
Abstract: 本发明属于光伏玻璃领域，具体涉及一种玻璃表面减反射自清洁涂层的制备方法，用于提高玻璃的减反射性能，该方法首先对玻璃基片进行氧等离子体处理，使其表面带有负电荷；接着将玻璃基片浸入含有表面活性剂的溶液中进行溶剂热反应，使涂层薄膜前驱体生长到玻璃表面；最后取出玻璃基片，进行烧结。该方法可在玻璃表面形成具有较低折射率和掺杂氧化钛的涂层，从而降低玻璃的反射率，并提高玻璃表面的亲水和自清洁性能。研究表明：本发明制备涂层玻璃的平均漫反射率下降，平均透过率提高。此外，该涂层还提高了玻璃表面的亲水性能，使其具备一定的自清洁功能。该方法对光伏玻璃产业具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN108447992B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201810285981.7
申请日：2018-04-03
Applicant: 常州大学
Abstract: 本发明提出了一种提高有机金属卤化物钙钛矿太阳电池稳定性和效率的方法，属于太阳电池领域。本发明通过物理气相沉积法在FTO/TiO2表面依次沉积PbCl2和PbI2，再将铅卤化物转变为对应的有机金属卤化物钙钛矿层，得到双层钙钛矿，双层钙钛矿结构中CH3NH3PbI3‑XClX层起到了界面修饰和钝化的作用，可使TiO2与钙钛矿之间的结合更牢固，使TiO2/钙钛矿界面处的电荷不易累积，钙钛矿的晶粒尺寸增大，从而提高电池的稳定性。此外，CH3NH3PbI3‑XClX层还可抑制TiO2/钙钛矿界面处缺陷的生成，可降低界面处的复合，提高电池的效率。
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