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公开(公告)号：CN113659827B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202110961698.3
申请日：2021-08-20
申请人： 深圳市优联半导体有限公司 , 华中科技大学
摘要： 本发明属于电力电子技术领域，公开了一种消隐时间自适应去饱和保护改进电路、设计方法及应用，适用于SiC MOSFET的消隐时间自适应去饱和保护改进电路的构成为：在典型去饱和保护电路拓扑再加上一条从MOSFET漏极额外引出的充电支路。本发明通过利用开关器件的电压在“正常工作”与“发生短路故障”这两种不同工况下时的差异性，对去饱和检测电路进行简要改动，以此实现仅仅针对故障状况的保护加速，无需使用额外的数字处理器和逻辑器件，实现简单且成本低，快速而可靠；几乎不影响正常工作时电路的抗干扰性，即不容易误触发保护；保护的加速效果具备一定的自适应性，工作电压越高，短路时的保护触发越迅速。
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公开(公告)号：CN115714112A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211428348.1
申请日：2022-11-15
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种多组分有机‑无机灌封膜、制备方法、结构及器件。所述多组分有机‑无机灌封膜包括有机灌封层和无机层；所述有机灌封层为有机硅凝胶、环氧树脂或者聚氟代对二甲苯层；所述无机层为无机氧化物层、无机氮化物层或金属氧化物层；所述有机灌封层能够在空气中200℃温度下至少24小时不分解。本发明提供的有机‑无机薄膜叠加的高温灌封方案，能够实现在200℃以及250℃高温下被灌装器件的正常运行的可靠性目标需求。与常用的仅有机硅凝胶或环氧树脂封装相比，无机层对水氧优良的阻隔性能使得这种灌封材料具有良好的防潮能力，克服了功率器件在受到冷热冲击后水氧渗进器件内部造成的模块失效。
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公开(公告)号：CN113941380B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202111205524.0
申请日：2021-10-15
申请人： 深圳市优联半导体有限公司 , 华中科技大学
摘要： 本发明提供了一种垂直片层取向结构材料的制备方法及其应用，该材料的制备方法，包括以下步骤：制备含有微管道阵列的微流控芯片；配制含有纳米片材料的分散液；将含有纳米片材料的分散液注入微流控芯片中，然后流入至凝固液里，再经过冷冻干燥即得垂直片层取向结构材料。本发明的材料的制备方法，微流控芯片上的微管道阵列作为模板，由于微管道阵列具有高深宽比，其可以对纳米片材料的取向进行精细控制，高深宽比的微管道阵列影响了纳米片流体在流动期间纳米片的对齐和取向顺序，由此产生了高有序度的宏观垂直片层结构。此发明解决了现有技术中存在的不足，可适用于多种二维材料，独特的垂直片层通道可应用于散热、电化学储能以及催化等领域。
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公开(公告)号：CN113657064A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110963062.2
申请日：2021-08-20
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G06F30/367 , G06F30/23 , G06F119/08 , G06F119/14
摘要： 本发明属于功率半导体模块仿真技术领域，公开了一种功率半导体模块多物理场联合仿真方法，功率半导体模块多物理场联合仿真方法包括：采用支持导入器件spice模型的专业电路仿真软件PSpice，通过设计特定协同分析方法并二次开发软件数据交互接口即构建联合仿真的耦合接口，采用间接耦合的方式进行PSpice和COMSOL两个软件的电‑热‑力的联合协同仿真。本发明结合了电路仿真软件PSpice和有限元仿真软件COMSOL两者的优势，实现了场与路的耦合仿真；本发明考虑了电、热、力之间的强耦合关系，实现了电、热、力之间实时的双向耦合，提高了仿真的精度；本发明步长自适应，大大缩短了仿真所需时间，提高了仿真效率。
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