公开(公告)号：CN103754879A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201410032830.2

申请日：2014-01-24

Applicant: 扬州大学

Inventor： 朱骏 ,  胡珊 ,  陈小兵 ,  朱爱萍

IPC: C01B31/36 ,  B82Y30/00 ,  C09K11/65

Abstract: 本发明公开了一种激光烧蚀法制备粒径2nm的3C-SiC纳米颗粒：将6H-SiC多晶陶瓷片依次在去离子水，无水乙醇，丙酮中超声清洗5-10分钟，用电吹风或氮气流吹干。再次置于去离子水超声3-5分钟后，清洗残留有机物。然后将清洗好6H-SiC多晶陶瓷片放在烧杯中，加入去离子水，水面高出6H-SiC多晶陶瓷片的上表面4-5mm。烧杯放在三维可控平台上，可使之在水平方向上来回缓慢移动。用波长248nm的准分子脉冲激光为激光光源，强度为300-350mJ/Pulse，激光经反射和聚焦后照射到浸于去离子水中的多晶陶瓷片上，照射时间为45-60分钟。最后得到悬浮于去离子水中的3C-SiC纳米颗粒。本发明制备的3C-SiC纳米颗粒直径为2nm左右，无团聚现象，样品在波长为415-495nm的紫-蓝-蓝绿光范围内具有较强的光发射。

公开(公告)号：CN103739007A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201310739625.5

申请日：2013-12-30

Applicant: 扬州大学

Inventor： 陈海涛 ,  张丹 ,  周旭明 ,  朱骏 ,  陈小兵 ,  曾祥华

IPC: C01G19/02 ,  B82Y30/00 ,  B01J23/14

Abstract: 模板法制备尺寸可控的多孔二氧化锡纳米结构，包括以下步骤：（1）将苯乙烯和去离子水混合，超声处理15-25min，水浴加热至65-75℃，之后加入超声处理的过硫酸钾溶液，室温下搅拌7-13h，得到聚苯乙烯小球悬浊液；（2）采用垂直沉降法制备聚苯乙烯小球模板；（3）将SnCl4?4H2O加入到无水乙醇溶液中，搅拌后冷却到室温并静置，得到前驱体溶胶溶液；（4）将前驱体溶胶溶液逐滴滴加到聚苯乙烯小球模板上，然后烘干，烘干后渐渐升温至480-530℃并保持2-4h，然后自然冷却。本发明通过对苯乙烯小球尺寸的控制来实现对光催化性能的调控，制备出的多孔二氧化锡纳米结构稳定，尺寸可控，光催化性能稳定，可以反复多次使用。

公开(公告)号：CN201826011U

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN201020559163.0

申请日：2010-09-29

Applicant: 扬州大学

Inventor： 孟祥东 ,  曾祥华 ,  陈小兵

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/46

Abstract: 用于氧化物半导体薄膜生长的水汽外延装置，涉及半导体薄膜生长技术领域，立式反应室内设有在一下竖直方向上的一个上加热器和一个下加热器，上加热器为以石墨为加热基体的电阻加热装置，下加热器为以石英片为加热基体的电阻加热装置，水汽产生系统连接在立式反应室的一侧，与该侧相对的另一侧设置废气排出孔。本实用新型提供的水汽外延装置，成本低廉，其源和衬底之间有一温度梯度，在温度梯度的作用下，水汽和被挥发的金属蒸汽在衬底表面发生氧化反应，从而生长出均匀高质量的氧化物半导体薄膜。反应室内金属原料在下，衬底在上，可有效避免环境内杂质在衬底上的沉积，可生长出致密均匀的高质量氧化物半导体薄膜。