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公开(公告)号：CN106573786B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201580043836.2
申请日：2015-08-12
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供一种低聚硅烷的制造方法，特别是提供能改善收率和选择率、可效率良好地在更低温下制造低聚硅烷的方法。在氢硅烷的脱氢缩合反应中，通过在具有短径0.43nm以上、长径0.69nm以下的细孔的沸石存在下进行反应，低聚硅烷的选择率、特别是乙硅烷的选择率提高，能够在更低温下效率良好地制造低聚硅烷。
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