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公开(公告)号：CN101236897A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810009449.9
申请日：2008-02-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02532 , H01L21/02565 , H01L21/2026 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L27/283 , H01L27/3258 , H01L27/3274 , H01L28/40 , H01L29/24 , H01L29/42356 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/495 , H01L29/66969 , H01L29/78603 , H01L29/7869 , H01L51/003 , H01L51/56 , H01L2227/323 , H01L2227/326 , H01L2251/5338
Abstract: 本发明的目的在于提供一种从衬底剥离通过较低温度(低于500℃)的工艺而制造的元件来制造具有柔性的半导体装置的方法。使用现有的大型玻璃衬底的制造设备，在玻璃衬底上形成钼膜，在其上形成氧化钼膜，在氧化钼膜上层叠非金属无机膜及有机化合物膜，并且在有机化合物膜上形成通过较低温度(低于500℃)的工艺而制造的元件，然后将其元件从玻璃衬底剥离。
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公开(公告)号：CN119032641A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202380034356.4
申请日：2023-04-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K59/122 , G09F9/30 , G09F9/302 , H10K50/852 , H10K59/35 , H10K59/95
Abstract: 提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖显示装置。显示装置包括第一至第四发光器件，第一发光器件包含发光材料并包括夹在第一电极与第二电极之间的第一层及夹在第一层与第一电极之间的第二层。第二发光器件包含发光材料并包括夹在第三电极与第四电极之间的第三层及夹在第三层与第三电极之间的第四层，在第三电极与第一电极之间具有第一间隙，第四层与第二层在第一间隙上连续。第三发光器件包含发光材料并包括夹在第五电极与第六电极之间的第五层及夹在第五层与第五电极之间的第六层，在第五电极与第三电极之间具有第二间隙，在第六层与第四层之间具有与第二间隙重叠的第三间隙。
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公开(公告)号：CN118119214A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311567947.6
申请日：2023-11-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种方便性、实用性或可靠性良好的新颖显示装置、显示模块、电子设备。显示装置包括第一发光器件、第二发光器件及第一层。第一发光器件包括第一电极、第二电极、第一电极与第二电极之间的第一单元及第一电极与第一单元之间的第二层。第一单元包含第一发光性材料。第二发光器件包括第三电极、第四电极、第三电极与第四电极之间的第二单元及第三电极与第二单元之间的第三层。第二单元包含第二发光性材料。第一层在第一电极与第二层之间且在第三电极与第三层之间，并且与第一电极与第三电极之间的第一间隙重叠。
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公开(公告)号：CN111627974B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202010541003.1
申请日：2016-07-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 伊佐敏行
Abstract: 本发明的一个方式的目的之一是减少显示装置的显示不良。提高显示装置的显示品质。本发明的一个方式是包括显示面板和第一导电层的显示装置。显示面板包括具有一对电极的显示元件。一对电极中的靠近于显示面板的一个表面的电极被供应恒定电位。第一导电层被供应恒定电位。当设置在显示面板的另一个表面上的第二导电层接触于第一导电层时，第二导电层也被供应恒定电位。第二导电层包括不与第一导电层固定的部分。
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公开(公告)号：CN111627975A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010541152.8
申请日：2016-07-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 伊佐敏行
Abstract: 本发明的一个方式的目的之一是减少显示装置的显示不良。提高显示装置的显示品质。本发明的一个方式是包括显示面板和第一导电层的显示装置。显示面板包括具有一对电极的显示元件。一对电极中的靠近于显示面板的一个表面的电极被供应恒定电位。第一导电层被供应恒定电位。当设置在显示面板的另一个表面上的第二导电层接触于第一导电层时，第二导电层也被供应恒定电位。第二导电层包括不与第一导电层固定的部分。
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公开(公告)号：CN111627974A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010541003.1
申请日：2016-07-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 伊佐敏行
Abstract: 本发明的一个方式的目的之一是减少显示装置的显示不良。提高显示装置的显示品质。本发明的一个方式是包括显示面板和第一导电层的显示装置。显示面板包括具有一对电极的显示元件。一对电极中的靠近于显示面板的一个表面的电极被供应恒定电位。第一导电层被供应恒定电位。当设置在显示面板的另一个表面上的第二导电层接触于第一导电层时，第二导电层也被供应恒定电位。第二导电层包括不与第一导电层固定的部分。
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公开(公告)号：CN109844684A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201780063303.X
申请日：2017-10-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种包括大显示区域并提高可携带性的电子设备。此外，还提供提高可靠性的电子设备。本发明的一个方式是一种数据处理装置，包括第一薄膜及面板衬底，至少包括第一框体。面板衬底具有柔性并包括显示区域，第一薄膜具有柔性及可见光透过性。第一框体包括第一狭缝，面板衬底包括夹在第一薄膜和第二薄膜之间的区域，第一狭缝具有容纳该区域的功能，面板衬底和第一薄膜中任一个或两个能够沿着第一狭缝滑动。
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公开(公告)号：CN102077331B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN200980124705.1
申请日：2009-06-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1214 , H01L29/04 , H01L29/66765 , H01L29/78696
Abstract: 一种薄膜晶体管，包括作为缓冲层的半导体层，该半导体层包含氮，且在栅极绝缘层和源区及漏区之间的至少源区及漏区一侧的非晶结构中包括晶体区域。与在沟道形成区中具有非晶半导体的薄膜晶体管相比，可以提高薄膜晶体管的导通电流。并且，与在沟道形成区中具有微晶半导体的薄膜晶体管相比，可以降低薄膜晶体管的截止电流。
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公开(公告)号：CN102246310B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200980150030.8
申请日：2009-11-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L27/12 , H01L29/04
Abstract: 减少利用栅电极对半导体层进行遮光的底栅型薄膜晶体管的截止电流。一种薄膜晶体管包括：栅电极层；第一半导体层；设置在所述第一半导体层上并与其接触的第二半导体层；在所述栅电极层和所述第一半导体层之间并与它们接触的栅极绝缘层；接触于所述第二半导体层的杂质半导体层；以及部分地接触于所述杂质半导体层和所述第一及第二半导体层的源电极层及漏电极层。由所述栅电极层覆盖所述第一半导体层在栅电极层一侧上的整个表面，并且所述第一半导体层和所述源电极层及漏电极层接触的部分的势垒为0.5eV以上。
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公开(公告)号：CN101677111B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN200910205017.X
申请日：2006-01-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/088 , H01L27/04 , H01L21/77 , G02F1/1368 , G09F9/33
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/124 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L51/0022 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体装置、电子器具以及制造半导体装置的方法，其目的在于提供提高材料的使用效率且简化制造步骤的半导体装置、显示装置以及其制造技术。此外，另一个目的在于提供将构成这些半导体装置、显示装置的布线等的图形以高控制性形成为所希望的形状的技术。在喷射由包含导电性材料的组合物构成的多个液滴的第一喷射步骤中，将第一液滴喷射为其中心位置位于第一线上，在喷射多个液滴的第二喷射步骤中，将第二液滴向第一液滴之间喷射并使其中心位置位于平行于第一线的第二线上，来形成具有连续波状形状的侧端部分的导电层。
