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公开(公告)号：CN103138026B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201210507531.0
申请日：2012-11-30
Applicant: 日产自动车株式会社
Abstract: 本发明涉及电池组的控制装置，能够判断电池的异常的种类，具备包含多个单电池的电池组、检测单电池的电压值的电压检测单元。具备：调整单元，将多个单电池(C1~CN)的电压或充电状态调整为规定的目标值；预测值计算单元，根据多个单电池的电压值的电压差，来预测由调整单元调整多个单电池的电压或充电状态的偏差的调整时间、调整单元的每个单位时间的调整次数、调整容量，作为预测值；实测值计算单元，计算利用调整单元将多个单电池的电压或充电状态调整为目标值为止实际需要的调整时间、利用调整单元实际进行调整的每个单位时间的调整次数、利用调整单元实际进行调整的调整容量，作为实测值；判断单元，使用预测值和实测值判断电池组(100)的异常的种类。
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公开(公告)号：CN104106158A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201380008274.9
申请日：2013-02-13
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01M4/13 , H01M4/66 , H01M10/052 , H01M10/0585
CPC classification number: H01M10/0418 , H01M4/13 , H01M4/66 , H01M10/0525 , H01M2004/029 , H01M2220/20 , Y02T10/7011
Abstract: 一种双极型电极，在集电体的一面上形成有正极活性物质层，在另一面上形成有负极活性物质层而构成，其中，所述集电体与所述正极活性物质层及负极活性物质层的体积电阻比为10－3～104，并包含具有比所述正极活性物质层及负极活性物质层中的任一方的体积电阻率都低的体积电阻率的电流分布缓和层，且在所述电流分布缓和层与所述集电体之间至少含有一层体积电阻率比所述电流分布缓和层高的活性物质层。
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公开(公告)号：CN103221835A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201080070228.8
申请日：2010-12-09
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: G01R31/36
CPC classification number: H02J7/007 , G01R31/362 , G01R31/3658 , G01R31/3679 , H01M10/4207 , H02J7/0016 , Y02T10/7055
Abstract: 具备多个单电池的电池组的控制装置，具备：目标电压设定单元，其设定用于使多个单电池的电压均一的目标电压；容量调整单元，其进行容量调整，使得多个单电池的电压均一化为目标电压；内部状态检测单元，其检测多个单电池的端子电压或者SOC，根据检测出的端子电压或者SOC来检测多个单电池间的电压差或者SOC差，来作为电压差数据或者SOC差数据；时间序列数据存储单元，其按时间序列存储电压差数据或者SOC差数据；以及预测单元，其根据时间序列数据存储单元中存储的电压差数据或者SOC差数据中的、在与目标电压相差规定电压以上的电压区域或者与在该电压区域对应的SOC区域检测出的电压差数据或者SOC差数据的随时间变化，来预测上述电池组成为第一异常状态的时期。该控制装置恰当地预测具备多个单电池的电池组成为异常状态的时期。
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公开(公告)号：CN103081286A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180041723.0
申请日：2011-08-03
Applicant: 日产自动车株式会社
CPC classification number: H02J7/00 , H01M10/0418 , H01M10/052 , H01M10/441 , H01M10/482 , H02J7/0021
Abstract: 提供一种电池控制装置，在用来控制构成双极型电池的单电池之间的电压偏差或容量偏差的该电池控制装置中，对构成双极型电池的单电池进行容量调整放电，并且在对构成所述双极型电池的所有单电池中的一个或多个单电池进行容量调整放电的情况下，计算没有进行容量调整放电的其余单电池的电压上升值，并且在发生容量调整放电的情况下，基于所述电压上升值的计算结果来设置总放电电流值。
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公开(公告)号：CN101233618B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200680028008.2
申请日：2006-08-02
Applicant: 日产自动车株式会社
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L21/0445 , H01L29/0696 , H01L29/1608 , H01L29/267 , H01L29/66068 , H01L29/7828
Abstract: 一种半导体装置，包括：第一导电类型的半导体基体；与所述半导体基体相接触的异质半导体区域；隔着栅极绝缘膜与所述异质半导体区域和所述半导体基体之间的接合部的一部分相邻的栅电极；连接至所述异质半导体区域的源电极；以及连接至所述半导体基体的漏电极。所述异质半导体区域具有与所述半导体基体的带隙不同的带隙。所述异质半导体区域包括第一异质半导体区域和第二异质半导体区域。在形成所述栅极绝缘膜之前形成所述第一异质半导体区域，在形成所述栅极绝缘膜之后形成所述第二异质半导体区域。
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公开(公告)号：CN101218681B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200680024512.5
申请日：2006-06-26
IPC: H01L29/78 , H01L29/267 , H01L21/04 , H01L29/772 , H01L29/24
CPC classification number: H01L21/049 , H01L29/1608 , H01L29/267 , H01L29/66068 , H01L29/772 , H01L29/7828
Abstract: 公开了一种半导体装置(20)的制造方法。所述半导体装置(20)包括：1.半导体衬底(1，2)；2.异质半导体区域(3)，其被配置为与半导体衬底(1，2)的第一主面(1A)接触，并且在带隙上与半导体衬底(1，2)不同；3.栅电极(7)，其通过栅极绝缘膜(6)与异质半导体区域(3)和半导体衬底(1，2)之间的接合部(13)的一部分接触；4.源电极(8)，其被配置为连接到异质半导体区域(3)；以及5.漏电极(9)，其被配置为与半导体衬底(1，2)进行欧姆连接。所述方法包括以下连续工序：i.形成栅极绝缘膜(6)；ii.氮化所述栅极绝缘膜(6)。
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公开(公告)号：CN101263606B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200680033530.X
申请日：2006-08-22
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L29/861 , H01L29/24 , H01L29/06 , H01L29/49
CPC classification number: H01L29/861 , H01L21/046 , H01L29/0623 , H01L29/0653 , H01L29/1608 , H01L29/267 , H01L29/6606 , H01L29/66068 , H01L29/7828
Abstract: 一种半导体装置，其包括：半导体基体；异质半导体区域，其与半导体基体接触，并且其具有带隙与半导体基体的带隙不同；第一电极，其与异质半导体区域连接；以及第二电极，其与半导体基体欧姆接触。异质半导体区域包括通过层叠多个半导体层形成的层状异质半导体区域，其中，在至少两层之间的界面处的晶格对准不连续。
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公开(公告)号：CN101101879B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200710122884.8
申请日：2007-07-06
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7828 , H01L29/0623 , H01L29/1608 , H01L29/267 , H01L29/66068
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。制备由半导体材料制成的半导体衬底，并在半导体衬底上形成异质半导体区，以在异质半导体区和半导体衬底之间的界面处形成异质结。异质半导体区由带隙与该半导体材料的带隙不同的半导体材料制成，异质半导体区的一部分包括膜厚薄于异质半导体区的其它部分的膜厚的膜厚控制部分。通过以等于膜厚控制部分的膜厚的厚度氧化异质半导体区，形成与异质结相邻的栅绝缘膜。在栅绝缘膜上形成栅电极。这使得可以制造包括具有较低的导通电阻以及较高的绝缘特性和可靠性的栅绝缘膜的半导体装置。
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公开(公告)号：CN100524662C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200610059812.9
申请日：2006-03-15
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/336
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，可提高导通时的驱动力，包含：使用具有规定开口的掩模层，在由基板(1)和漏区(2)构成的半导体基体的一个主面侧形成规定的沟槽(15)的工序；至少与沟槽(15)的侧壁相连接，且从该沟槽(15)露出地形成埋入区域(11)的工序；与半导体基体以及埋入区域(11)相连接地形成异质半导体层(30)的工序；对异质半导体层(30)进行图案形成，形成异质半导体区域(3)的工序。
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公开(公告)号：CN101263606A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200680033530.X
申请日：2006-08-22
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L29/861 , H01L29/24 , H01L29/06 , H01L29/49
CPC classification number: H01L29/861 , H01L21/046 , H01L29/0623 , H01L29/0653 , H01L29/1608 , H01L29/267 , H01L29/6606 , H01L29/66068 , H01L29/7828
Abstract: 一种半导体装置，其包括：半导体基体；异质半导体区域，其与半导体基体接触，并且其具有带隙与半导体基体的带隙不同；第一电极，其与异质半导体区域连接；以及第二电极，其与半导体基体欧姆接触。异质半导体区域包括通过层叠多个半导体层形成的层状异质半导体区域，其中，在至少两层之间的界面处的晶格对准不连续。
