-
公开(公告)号：CN114956064A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210498061.X
申请日：2022-05-07
申请人： 西南交通大学
IPC分类号： C01B32/194 , B05D3/04
摘要： 本发明公开了一种基于退火处理以改善石墨烯宏观润滑性能的方法，包括如下步骤：S1、将石墨烯粉末、去离子水和表面活性剂混合，得到混合溶液A；S2、将所述混合溶液A进行超声处理；S3、将所述混合溶液A滴定于二氧化硅基底上，干燥后在高纯氩气下进行退火处理；S4、将石墨烯/二氧化硅样品迅速空冷至30℃左右，即可获得宏观润滑性能优异的石墨烯涂层。本发明所提供的一种基于退火处理以改善石墨烯宏观润滑性能的方法，降低了石墨烯在大气环境下的氧化程度及缺陷密度，从而改善大气环境下石墨烯的润滑性能。本发明的方法简单易行，成本极低。
-
公开(公告)号：CN114888646A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210693694.6
申请日：2022-06-18
申请人： 西南交通大学
摘要： 本发明公开了一种高速轴承用多孔聚酰亚胺表面的研磨抛光方法，包括如下步骤：S1、分别使用不同目数的碳化硅砂纸对多孔聚酰亚胺材料表面进行打磨，将表面打磨平整；S2、分别使用不同研磨颗粒大小的氧化铝研磨膏，将其均匀铺撒在抛光垫上，在高速研磨机上进行研磨，实现表面精抛，多孔聚酰亚胺表面达到镜面平整；S3、分别用无水乙醇和去离子水超声清洗多孔聚酰亚胺表面，清洗残存的研磨颗粒。本发明方法可以降低高速轴承用多孔聚酰亚胺的表面粗糙度，提高其润滑性能，同时减少磨损过程中相应的黑色物质产生，延长聚酰亚胺轴承保持架的使用寿命，且方法简单，成本低廉。
-
公开(公告)号：CN114091544A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111429678.8
申请日：2021-11-29
申请人： 西南交通大学
摘要： 本发明公开了一种基于振动信号与神经网络的TBM盘形滚刀磨损识别系统，包括振动信号采集处理子系统与神经网络识别模型，振动信号采集处理子系统包括依次连接的传感器模块、数据采集模块和数据处理输出模块；传感器模块安装在滚刀上，用于获取滚刀破岩振动信号并将振动信号转换为压电信号；数据采集模块以设定的采样频率采集压电信号以得到时域信号，数据处理输出模块对时域信号采用快速傅里叶方法计算得到频域信号并输出频域数据；神经网络识别模型依据频域数据识别单刃盘形滚刀的磨损状态。本发明的识别系统具有较好的稳定性与可靠性，具有良好的特征提取与识别能力，可以较全面地捕捉到振动频域数据的特征，达到良好的准确率水平。
-
公开(公告)号：CN109437085A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811249602.5
申请日：2018-10-25
申请人： 西南交通大学
摘要： 本发明公开了一种无损伤摩擦诱导纳米加工方法，包括以下步骤：S1、对单晶硅样品表面进行清洗以去除表面杂质；S2、通过机械刻划加工设备利用探针在单晶硅样品表面按设定的加工参数进行扫描加工；S3、配置刻蚀溶液，并将盛有刻蚀溶液的容器放置于磁力搅拌器中水浴加热并保持恒温，调制转子转速并保持恒定；S4、将经步骤S2处理后的单晶硅样品冲洗之后，浸入到步骤S3的容器中进行刻蚀，刻蚀时间为10～30min，取出并再次分别对单晶硅样品表面进行清洗即可。该方法通过在化学刻蚀中施加外场的方法来保持刻蚀溶液的高速流动，从而及时有效地带走单晶硅表面生成的反应产物，保证单晶硅表面微/纳结构的质量，同时加快了化学刻蚀的效率且不会对纳米结构造成任何损伤。
-
公开(公告)号：CN109292731A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811054774.7
申请日：2018-09-11
申请人： 西南交通大学
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明公开了一种基于电化学摩擦诱导的微纳加工方法，包括以下步骤：S1、衬底预处理：将半导体衬底表面清洗干净后烘干，获得样品A；S2、摩擦诱导加工：采用硬度大于半导体衬底的加工针尖在样品A表面进行摩擦诱导加工，获得表面具有设定形状图案的样品B；S3、制备微/纳结构：将样品B放入刻蚀溶液中，对其进行电化学刻蚀，即可获得具有高深宽比的微纳结构。总体而言，该制备方法具有成本低、过程可控、操作简单、加工效率高和可定位定点加工的优点，适合规模化生产，此方法得到的微纳结构能够用于微能源器件和微传感器件等，具有很强的实用价值和广阔的应用前景，值得在业内推广。
-
公开(公告)号：CN108892101A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810742627.2
申请日：2018-07-09
申请人： 西南交通大学
摘要： 本发明公开了一种基于摩擦诱导TMAH选择性刻蚀的硅表面纳米加工方法，包括以下步骤：S1、对干净的单晶硅表面进行氧化层去除处理，再依次对其表面进行清洗、干燥；S2、通过原子力显微镜或划痕设备利用金刚石针尖在单晶硅表面进行表面划痕加工；S3、采用四甲基氢氧化铵溶液对单晶硅表面进行刻蚀，刻蚀完成后对单晶硅表面进行清洗，获得单晶硅表面的三维纳米结构。本发明提供的加工方法采用直接对硅表面进行加工的方式，无需复杂的制样过程，方法简单，成本低，表面质量高；在加工过程中可随时更换所加工的位置，做到对加工点位的精确控制；此外，加工过程中除了需在洁净条件下进行外，对其他环境条件要求较低，可快速更换待加工样品，效率高。
-
公开(公告)号：CN102503155B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201110392803.2
申请日：2011-12-01
申请人： 西南交通大学
摘要： 一种基于摩擦诱导选择性刻蚀的玻璃表面纳米加工方法，主要应用于玻璃表面微纳米结构的加工。其具体操作方法是：将尖端为球状的探针安装在原子力显微镜上，将清洗过的玻璃固定在样品台上，启动原子力显微镜，给探针施加定载荷F或者变载荷F′，并使探针沿着设定的扫描轨迹，循环次数N和扫描速率v在玻璃表面进行扫描；扫描后将玻璃置于质量浓度为10‑20％的HF溶液中，腐蚀5‑10秒，即可。该方法不需要模版或掩膜，单次腐蚀就能在玻璃表面加工斜面、台阶、阵列等三维纳米图案；其加工流程极其简便，腐蚀速率极快，是一种简单、精确、高效的玻璃表面的纳米加工方法。
-
公开(公告)号：CN105181501B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201510488002.4
申请日：2015-08-10
申请人： 西南交通大学
IPC分类号： G01N3/56
摘要： 本发明公开了一种真空下多探针摩擦磨损测试及原位形貌探测系统，包括主体和外部手动驱动装置；所述主体包括腔体上盖、安装在腔体上盖上面用于密封的光窗顶盖和安装腔体上盖内部的多探针组件；其能在高真空下实现对具有不同功能的SPM针尖切换，使摩擦学测试及原位形貌探测在高真空环境下可相继完成，且原位定位精度较高。由于更换针尖时无须打开腔体，确保了实验样品不受外界因素干扰，使实验所得结果更为真实可信；不仅如此，也节省了实验前期设备调整校准时间，提高实验效率。
-
公开(公告)号：CN103738916B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201310732192.0
申请日：2013-12-27
申请人： 西南交通大学
摘要： 本发明公开了一种砷化镓表面量子点形核位置的低损伤加工方法，其具体操作是：将尖端为球状的二氧化硅探针安装在扫描探针显微镜上，将清洗过的砷化镓固定在样品台上；启动扫描探针显微镜，给探针施加0.5‑1GPa的接触压力，并使探针按照设定的扫描轨迹、扫描循环次数在砷化镓表面进行扫描。该方法能在不同晶面、不同掺杂类型的砷化镓表面加工各种纳米凹结构，所需的接触压力不引起基体晶格缺陷，且其操作简单、位置可控、灵活性高。
-
公开(公告)号：CN106744671A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611077168.8
申请日：2016-11-30
申请人： 西南交通大学
CPC分类号： B82B3/0014 , B82Y40/00 , C30B33/10
摘要： 本发明公开了一种基于紫外臭氧的单晶硅表面纳米加工方法，该方法不但可以简单快速的在单晶硅样品形成一层致密且均匀的硅氧化物(SiOX)薄层，而且可以获得具有大量羟基(‑OH)的超亲水表面。结合扫描探针设备上的SiO2探针和摩擦化学的原理，可以在不引起单晶硅基底产生损伤的情况下，在单晶硅表面加工出各种纳米结构。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
164 条记录 (耗时 0.04 秒)
