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公开(公告)号：CN1755519A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200510107561.2
申请日：2005-09-29
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/14 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/60 , G03F1/50 , Y10T428/31616
Abstract: 一种被曝光系统的掩模台吸附的光刻掩模基板，在光刻掩模基板的主表面上除了从外部外围端部表面向内2mm的区域，平面测量区域的平整度为0.6μm或者更小，光刻掩模基板主表面的一边被掩模台吸附，以及平面测量区域的四个角部分中的至少三个具有朝向外部外围边缘上升的形状。
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公开(公告)号：CN119126477A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411346726.0
申请日：2019-11-27
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供在通过对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而形成转印图案时能够缩短过蚀刻时间、可以形成具有良好的截面形状的转印图案的光掩模坯料。所述光掩模坯料在透明基板上具有图案形成用薄膜，其中，光掩模坯料是用于形成光掩模的原版，所述光掩模通过对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而在透明基板上具有转印图案，图案形成用薄膜含有过渡金属和硅，图案形成用薄膜具有柱状结构。
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公开(公告)号：CN111258175B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN201911179769.3
申请日：2019-11-27
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供在通过对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而形成转印图案时能够缩短过蚀刻时间、可以形成具有良好的截面形状的转印图案的光掩模坯料。所述光掩模坯料在透明基板上具有图案形成用薄膜，其中，光掩模坯料是用于形成光掩模的原版，所述光掩模通过对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而在透明基板上具有转印图案，图案形成用薄膜含有过渡金属和硅，图案形成用薄膜具有柱状结构。
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公开(公告)号：CN110196530B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201910125512.3
申请日：2019-02-20
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/26
Abstract: 本发明提供一种能够以可充分发挥相移效果的截面形状对相移膜进行构图的透过率高的相移掩模坯料。一种相移掩模坯料，其在透明基板上具有相移膜和在该相移膜上的蚀刻掩模膜，其特征在于，所述相移掩模坯料是以在所述蚀刻掩模膜形成有期望的图案的蚀刻掩模膜图案作为掩模，通过对所述相移膜进行湿式蚀刻而在所述透明基板上形成具有相移膜图案的相移掩模，所述相移膜含有过渡金属、硅、氧，氧的含有率为5原子％以上70原子％以下，从所述界面到10nm深度的区域为止的氧相对于硅的含有比率为3.0以下。
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公开(公告)号：CN116699938A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202210319651.1
申请日：2022-03-29
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供能够抑制蚀刻掩模膜因用于清洗等的药液而发生剥离的掩模坯料。上述掩模坯料在透光性基板的主表面上依次层叠有图案形成用的薄膜和蚀刻掩模膜，薄膜含有金属、硅及氮，蚀刻掩模膜含有铬，蚀刻掩模膜的外周部的膜厚小于上述蚀刻掩模膜的除上述外周部以外的部分的膜厚，薄膜的外周部的氮含量相对于硅含量的比率大于上述薄膜的除上述外周部以外的部分的氮含量相对于硅含量的比率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113448161A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110307879.4
申请日：2021-03-23
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供可以制造遮光膜图案的精度优异、并且具有通过曝光转印图案时可以实现高图案精度的光学特性的光掩模的光掩模坯料。为此，本发明的光掩模坯料是在制作显示装置制造用光掩模时使用的光掩模坯料，其具有：透明基板、和设置于透明基板上的遮光膜，遮光膜从透明基板侧起具备第1反射抑制层、遮光层及第2反射抑制层，第1反射抑制层从透明基板侧起依次具备氧相对于氮的比例相对较少的第1低度氧化铬层、和氧相对于氮的比例相对较多的第1高度氧化铬层，第2反射抑制层从透明基板侧起依次具备氧相对于氮的比例相对较少的第2低度氧化铬层、和氧相对于氮的比例相对较多的第2高度氧化铬层。
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公开(公告)号：CN113391515A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110243881.X
申请日：2021-03-05
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供一种光掩模坯料，其在通过对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而形成转印图案时能够缩短过蚀刻时间，可以形成具有良好的截面形状、满足图案形成用薄膜或转印图案中所要求的耐清洗性、且满足要求的线边缘粗糙度的转印图案。所述光掩模坯料在透明基板上具有图案形成用薄膜，其中，光掩模坯料是用于形成光掩模的原版，所述光掩模通过对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而在透明基板上具有转印图案，图案形成用薄膜含有过渡金属和硅，图案形成用薄膜具有柱状结构、且包含上层及下层，构成上层中的柱状结构的粒子的平均尺寸小于构成下层中的柱状结构的粒子的平均尺寸。
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公开(公告)号：CN111258175A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201911179769.3
申请日：2019-11-27
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供在通过对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而形成转印图案时能够缩短过蚀刻时间、可以形成具有良好的截面形状的转印图案的光掩模坯料。所述光掩模坯料在透明基板上具有图案形成用薄膜，其中，光掩模坯料是用于形成光掩模的原版，所述光掩模通过对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而在透明基板上具有转印图案，图案形成用薄膜含有过渡金属和硅，图案形成用薄膜具有柱状结构。
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公开(公告)号：CN102822743B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201180016169.0
申请日：2011-03-29
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 田边胜
Abstract: 通过模拟来计算出设置在曝光装置时的透光性基板的表面形状，当对带抗蚀剂膜的掩模坯料描绘转印图案时，利用表面形状的模拟结果来修正转印图案，并描绘修正后的转印图案。在模拟工序中，基于透光性基板的表面形态、材质以及尺寸、和包括与透光性基板的主表面抵接的区域的掩模台的形状信息，对在曝光装置上设置了透光性基板时的多个上述测量点的距离基准面的高度信息进行模拟，使通过模拟工序得到的多个上述测量点的距离基准面的高度信息与4次、5次或者6次曲面近似，并将表示所得到的近似曲面的多项式的各项的系数、即系数信息与透光性基板对应存储。
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公开(公告)号：CN102372424A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110235783.8
申请日：2011-08-11
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 田边胜
CPC classification number: Y02P40/57
Abstract: 本发明提供一种即使在掩模坯用基板上产生表面缺陷的情况下也能简便且对基板的平坦度和表面粗糙度不带来不良影响地修正掩模坯用基板表面缺陷的、低成本且高合格率的掩模坯用基板的制造方法以及掩模坯和转印用掩模的制造方法。该掩模坯用基板的制造方法的特征在于，是由具有对置的2个主表面的基板形成的掩模坯用基板的制造方法，具有研磨上述基板的2个主表面的工序，和对存在于所述基板的主表面的表面缺陷，使燃烧温度在上述基板的软化点以上的火焰接触而修正上述表面缺陷的工序。
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