公开(公告)号：CN111668166B

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202010157229.1

申请日：2020-03-09

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 蔡永福 ,  宫崎州平

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 在两元件之间的空间被含填充剂的树脂填充的组件中，提供了一种既可以限制组件的尺寸又可以限制填充剂成本的构造。层叠元件的组件(10)具有：具有第一面(21)的第一元件(2)；设置在第一面(21)上并且包含多种填充剂(F)的树脂层(61)；以及设置在树脂层(61)上并且具有与树脂层(61)接触的第二面(41)的第二元件(4)。在垂直于第二面(41)的截面中，与第二面(41)接触的填充剂(F2)的平均扁平率大于不与第二面(41)接触的填充剂(F1、F3)的平均扁平率。此处，扁平率是填充剂在平行于第二面(41)的方向上的最大长度与填充剂在垂直于第二面(41)的方向上的最大厚度的比率。

公开(公告)号：CN113048868B

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202011561766.9

申请日：2020-12-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 蔡永福 ,  平林启 ,  一桥秀辅

IPC: G01B7/00

Abstract: 本发明提供位置检测信号的校正方法和位置检测装置。位置检测装置是用于检测能够在规定的可动范围内移动的检测对象物的位置的装置。该位置检测装置包括：以随着上述检测对象物的移动而一体地移动的方式配置的第一磁体和第二磁体；配置在可动范围外的位置的、检测第一磁体的磁场的第一磁检测电路和检测第二磁体的磁场的第二磁检测电路；以及差分放大器，其将从第一磁检测电路和第二磁检测电路输出的磁场的检测信号之差放大，作为检测对象物的位置检测信号输出。

公开(公告)号：CN114063172A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110891138.5

申请日：2021-08-04

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 蔡永福 ,  宫下勇人 ,  梅原刚 ,  斋藤祐太

IPC: G01V3/08

Abstract: 本发明的磁传感器系统具备：磁场发生器和磁传感器。磁传感器包括多个MR元件。多个MR元件的各自构成为使得与第1方向正交的第2方向的偏置磁场施加于自由层上，并且电阻值根据磁场分量的强度变化。施加于多个MR元件的各自的磁场分量的最大强度是偏置磁场强度的1.2倍以上。

公开(公告)号：CN113532486A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110423689.9

申请日：2021-04-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 蔡永福

IPC: G01D5/12 ,  G01B7/00

Abstract: 本发明的磁传感器具备具有第一电阻值的第一电阻器和具有第二电阻值的第一校正用电阻器。第一电阻器和第一校正用电阻器串联连接。第一电阻器以第一电阻值根据磁场分量的强度的周期性变化而周期性地变化的方式构成。第一校正用电阻器以与由噪声磁场引起的第一电阻值的变化相比，由噪声磁场引起的第一电阻值和第二电阻值之和的变化更小的方式构成。

公开(公告)号：CN113494928A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202110377414.6

申请日：2021-04-08

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 蔡永福 ,  平林启 ,  梅原刚

IPC: G01D5/12 ,  G01B7/00

Abstract: 本发明的磁传感器具有第一至第四电阻体、电源端口、接地端口、第一输出端口和第二输出端口。第一电阻体和第二电阻体被配置于第一区域内，且通过与第一输出端口相连的第一连接点串联。第三电阻体和第四电阻体在与X方向平行的方向上，至少一部分被配置于与第一区域不同的第二区域内，且通过与第二输出端口相连的第二连接点串联。第一及第二电阻体在与Y方向平行的方向上，被配置于第三电阻体和第四电阻体之间。

公开(公告)号：CN112050722A

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN202010504561.0

申请日：2020-06-05

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 内田圭祐 ,  蔡永福

IPC: G01B7/00

Abstract: 位置检测装置具备产生检测对象磁场的磁铁和磁传感器。磁传感器检测检测对象磁场，并且生成对应于磁铁的位置的检测值。检测对象磁场在第一平面内的基准位置上具有在第一平面内变化的第一方向。磁传感器包含4个MR元件。各MR元件包含具有能够在对应于其的第二平面内变化的方向的第一磁化的第一磁性层。第一平面和第二平面形成为90°以外的二面角而交叉。检测值依赖于第一磁化的方向。

公开(公告)号：CN111693911A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN202010165768.X

申请日：2020-03-11

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 太田尚城 ,  蔡永福

IPC: G01R33/09 ,  G01R33/00

Abstract: 本发明的磁传感器装置具有自旋阀型的磁阻效应元件，并且能够向该磁阻效应元件的自由层稳定地施加偏置磁场，其具备：自旋阀型的磁阻效应元件；基板，其配置有磁阻效应元件；电源，其供给施加于磁阻效应元件的实质上恒定的电流；以及磁场产生部，其被设置成串联连接于施加于磁阻效应元件的电流的电流路径，并且能够向至少一部分的磁阻效应元件施加偏置磁场，磁场产生部位于一部分的磁阻效应元件的附近，并且位于与基板不同的层。

公开(公告)号：CN110926506A

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201910887182.1

申请日：2019-09-19

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 蔡永福 ,  平林启

IPC: G01D5/14 ,  G01B7/30

Abstract: 本发明涉及角度传感器系统。磁场产生部产生与检测对象的角度相关的检测对象磁场。角度传感器包含第一磁传感器、第二磁传感器和运算器。第一磁传感器在第一检测位置上检测包含检测对象磁场的第一施加磁场，并且生成与检测对象的角度具有对应关系的第一检测信息。第二磁传感器在第二检测位置上检测包含检测对象磁场的第二施加磁场，并且生成与检测对象的角度具有对应关系的第二检测信息。运算器使用第一检测信息和第二检测信息生成角度检测值。第二检测位置上的检测对象磁场的强度相对于第一检测位置上的检测对象磁场的强度之比为1.65以上。

公开(公告)号：CN119298590A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411420831.4

申请日：2021-02-18

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 蔡永福

IPC: H02K33/18 ,  G01B7/00

Abstract: 本发明的位置检测装置具备磁场产生器和磁传感器。磁场产生器构成为：对象角度的变化相对于透镜的位置的变化的方式为相对于透镜的位置的变化非线性地变化。磁传感器构成为：检测信号的变化相对于对象角度的变化的方式为相对于对象磁场的方向的变化非线性地变化。

公开(公告)号：CN114199114B

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202111011292.5

申请日：2021-08-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 蔡永福

IPC: G01B7/00

Abstract: 本发明的位置检测装置具备磁传感器和第一磁场产生部。第一磁场产生部在第一轴向上与磁传感器分开对置，并且产生波及磁传感器的第一磁场。第一磁场产生部具有第一多极磁体，第一多极磁体分别包括多个沿着与第一轴向正交的平面相邻的N极和S极。另外，磁传感器和第一磁场产生部设置为可以沿着第二轴向相对移动，第二轴向与第一轴向正交。第三轴向的磁传感器的中心位置与在第三轴向上相邻的N极与S极的交界的第三轴向的位置不同，第三轴向与第一轴向和第二轴向的双方正交。