一种降低Ti-V-Ta-Nb系难熔高熵合金中杂质含量的方法

    公开(公告)号:CN115612954A

    公开(公告)日:2023-01-17

    申请号:CN202211296855.4

    申请日:2022-10-21

    IPC分类号: C22F1/18 C22F1/02 B32B15/01

    摘要: 本发明涉及一种降低Ti‑V‑Ta‑Nb系难熔高熵合金中杂质含量的方法,属于高熵合金制备技术领域。该方法是在Ti‑V‑Ta‑Nb系难熔高熵合金板的两个表面固定纯Zr板或者纯Zr箔,然后在惰性气体保护气氛下进行高温处理,利用Zr的吸收作用使Ti‑V‑Ta‑Nb系难熔高熵合金板中的杂质原子扩散Zr板或Zr箔中并与Zr反应形成Zr‑(CNO)相,从而降低Ti‑V‑Ta‑Nb系难熔高熵合金板中游离态杂质元素的含量,由于Zr‑(CNO)相并不是作为第二相分布在难熔高熵合金板中,而且Zr在难熔高熵合金板表面的扩散层厚度也很小,不会对难熔高熵合金板的组织与力学性能产生不利影响。

    一种确定VVER型反应堆压力容器的辐照硬化的方法

    公开(公告)号:CN114547846A

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202210002806.9

    申请日:2022-01-04

    摘要: 本发明提供一种确定VVER型反应堆压力容器的辐照硬化的方法,包括:S1、修正第一弥散强化模型为第二弥散强化模型;其中,第一弥散强化模型表征材料的屈服应力增量与第一参数、缺陷数量以及缺陷尺寸之间的关系,第二弥散强化模型表征材料的屈服应力增量与第二参数以及辐照缺陷结构函数之间的关系;第一参数为缺陷尺寸的函数,第二参数与缺陷尺寸无关;辐照缺陷结构函数为缺陷数量和缺陷尺寸的函数;S2、确定第二弥散强化模型的第二参数;S3、获取辐照缺陷结构函数与中子注量之间的关系;S4、根据辐照缺陷结构函数与中子注量之间的关系以及第二弥散强化模型,确定材料的屈服应力增量与中子注量之间的关系。

    一种辐照导致材料结构演化的模拟方法和系统

    公开(公告)号:CN109727647B

    公开(公告)日:2020-11-24

    申请号:CN201811653394.5

    申请日:2018-12-29

    IPC分类号: G16C10/00 G16C20/70

    摘要: 本申请提供了一种辐照导致材料结构演化的模拟方法和系统。所述方法包括:获取不同缺陷浓度和元素含量下的团簇的成分、团簇内原子的分布、以及团簇的几何结构;获取所述不同缺陷浓度和元素含量下的团簇中能量最低的团簇的几何结构、团簇成分;通过分子静力学方法计算通过步骤2得到的能量最低的团簇的形成能、结合能、以及扩散势垒;获取能量最低的团簇的团簇形成路径;建立辐照导致材料结构演化的动力学模型。

    反应堆关键材料并行模拟的MD和KMC耦合方法

    公开(公告)号:CN110427711A

    公开(公告)日:2019-11-08

    申请号:CN201910724903.7

    申请日:2019-08-07

    IPC分类号: G06F17/50

    摘要: 本发明涉及一种反应堆关键材料并行模拟的MD和KMC耦合方法,该方法通过MD模块进行分子动力学级联碰撞模拟;在MD模块完成调用后,针对MD模块模拟完成后的原子状态进行缺陷统计与分析;将级联碰撞的初始缺陷信息传送给KMC模块进行KMC模拟;最后等待KMC模块模拟结束,输出较长时间的缺陷演化结构或将缺陷信息传递给速率理论(RT)模块,进行更长时间的缺陷演化分析。本发明通过紧耦合方式,提高了耦合模拟的效率,通过调用接口的设计,以及统一的原子与晶格点表示方法和任务划分方式,方便了程序交互。

    氦检系统以及检验管件密封性的方法

    公开(公告)号:CN117906863A

    公开(公告)日:2024-04-19

    申请号:CN202410079631.0

    申请日:2024-01-19

    IPC分类号: G01M3/22 G01M3/28

    摘要: 本发明的实施例涉及流体密封性检测技术领域,具体涉及一种氦检系统以及检验管件密封性的方法。第一方面,本发明的实施例提供一种氦检系统,其包括:筒体、加热件、真空件、保护气体提供件、氦气提供件、氦检漏仪。第二方面,本发明的实施例还提供一种利用氦检漏仪来检验管件密封性的方法,管件设置在本发明第一方面的氦检系统内。本发明的实施例中的氦检系统,通过将筒体与管件之间设置成密封,氦检漏仪与管件之间设置成密封,以保证管件与筒体以及氦检漏仪之间连接的气密性,从而使氦检系统能够对管件本体的密封性进行检测。另外,氦检系统利用加热件对筒体进行加热,以使管件处于高温环境中,从而实现在高温条件下对管件的密封性进行检查。

    钼铼合金的制备方法
    47.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117802377A

    公开(公告)日:2024-04-02

    申请号:CN202311840804.8

    申请日:2023-12-28

    摘要: 本发明的实施例涉及金属材料制备的技术领域,具体涉及一种钼铼合金的制备方法。该制备方法包括:步骤S10,将金属钼粉与金属铼粉按比例混合,得到混合粉末;步骤S20,球磨混合粉末,以使混合粉末机械合金化,得到合金粉末;步骤S30,对合金粉末进行还原处理;步骤S40,对还原处理后的合金粉末进行放电等离子烧结,得到钼铼合金。采用本发明的实施例的制备方法,可以制备得到晶粒尺寸更细小、且高致密度的钼铼合金,不需进行后续变形加工。相对于熔炼工艺,流程大为缩短,可大大节约工艺成本。

    燃料芯块的制备方法
    49.
    发明授权

    公开(公告)号:CN115740463B

    公开(公告)日:2023-10-27

    申请号:CN202211383644.4

    申请日:2022-11-07

    摘要: 本申请提出一种燃料芯块的制备方法,包括:将纳米级TaC粉末、纳米级NbC粉末、纳米级UC粉末、硬脂酸锌和铀粉混合后进行球磨处理,得到UC‑NbC‑TaC‑U混合粉末;将UC‑NbC‑TaC‑U混合粉末进行热压烧结处理,得到初始燃料芯块;在通入流动氢气的情况下,将初始燃料芯块在第一温度下反应第一时长以去除游离碳,得到(U,Nb,Ta)C四元燃料芯块,其中,第一温度大于1200℃。

    一种降低Ti-V-Ta-Nb系难熔高熵合金中杂质含量的方法

    公开(公告)号:CN115612954B

    公开(公告)日:2023-09-26

    申请号:CN202211296855.4

    申请日:2022-10-21

    IPC分类号: C22F1/18 C22F1/02 B32B15/01

    摘要: 本发明涉及一种降低Ti‑V‑Ta‑Nb系难熔高熵合金中杂质含量的方法,属于高熵合金制备技术领域。该方法是在Ti‑V‑Ta‑Nb系难熔高熵合金板的两个表面固定纯Zr板或者纯Zr箔,然后在惰性气体保护气氛下进行高温处理,利用Zr的吸收作用使Ti‑V‑Ta‑Nb系难熔高熵合金板中的杂质原子扩散Zr板或Zr箔中并与Zr反应形成Zr‑(CNO)相,从而降低Ti‑V‑Ta‑Nb系难熔高熵合金板中游离态杂质元素的含量,由于Zr‑(CNO)相并不是作为第二相分布在难熔高熵合金板中,而且Zr在难熔高熵合金板表面的扩散层厚度也很小,不会对难熔高熵合金板的组织与力学性能产生不利影响。