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公开(公告)号：CN100498288C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200610028489.9
申请日：2006-06-30
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种将InAs多量子点红外探测器和发光二极管串联集成在同一块芯片上的红外-近红外波长上转换探测器。所说的多量子点红外探测器是由交替生长10个周期的InAs/InyGa1-yAs/GaAs组成；所说的单量子阱发光二极管由GaAs势垒层和InzGa1-zAs有源势阱层组成。本发明的优点是能实现偏压下正入射辐射的长波热红外向容易被CCD相机成像的近红外光的转换，无需制作光栅，简化了探测系统的结构。本发明器件所用材料的制备工艺成熟，材料的均匀性好。
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公开(公告)号：CN100461465C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200610148069.4
申请日：2006-12-27
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/111
摘要： 本发明公开了一种镓砷/铝镓砷甚长波量子阱红外探测器，该探测器与传统甚长波量子阱红外探测器的区别在于它是由低掺杂的电极层和高掺杂的量子阱层构成。在深低温器件工作温度下，量子阱层掺杂的适度提高不会使整个器件的暗电流明显变化，此时量子阱器件电极层的掺杂浓度的降低，使整个器件暗电流和噪声显著下降；高掺杂的量子阱层使整个器件的光吸收系数显著增强；相比传统的镓砷/铝镓砷甚长波量子阱红外探测器，本发明的甚长波量子阱红外探测器的探测率得到显著提升。
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公开(公告)号：CN100460838C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200610025717.7
申请日：2006-04-14
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种氧化锌基盲阳紫外探测装置，该装置从物方至像方按顺序由窄带反射滤光片、透镜、ZnO基多量子阱层、带通滤光片和Si基CCD5组成。所说的ZnO基多量子阱层是由交替生长30个周期的MgZnO势垒层/MgZnCdO过渡层/ZnCdO势阱层组成。调节各层Mg、Zn、Cd的组分，可使MgZnO势垒层和ZnCdO势阱层的禁带宽度分别对应于吸收的紫外光子能量和发出的可见光子能量。本发明的优点是：目标信号可以正入射，无需背入射。不需要加工作电压和Si基CCD的直接光学读出，这不仅提高了可靠性，还简化了系统结构。
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公开(公告)号：CN100424896C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200610118741.5
申请日：2006-11-24
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/111
摘要： 本发明公开了一种自增益长波量子阱红外探测器，该器件由双势垒共振隧穿结构和10个周期的多量子阱层构成。置于器件发射极端的双势垒共振隧穿结构可以有效控制注入载流子，从而达到减小器件暗电流，降低器件噪声，增强器件的光电流的目的。相比传统的50周期的长波量子阱红外探测器还大大简化了器件系统结构。
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公开(公告)号：CN100407465C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200610117009.6
申请日：2006-10-11
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L33/00 , H01L31/0304 , H01L29/20 , H01L21/20
摘要： 本发明公开了一种生长在Al2O3衬底上的复合缓冲层及制备方法，该复合缓冲层包括：依次排列生成的AlN层、GaN层、InN:Mn层及InN过渡层。制备方法采用MBE生长方式，首先采用高温氮化技术在Al2O3表面形成AlN层；再分三步进行GaN层生长；进一步在GaN层上，生长InN:Mn层；再生长InN过渡层。由于Mn的扩散系数较大，在InN薄膜生长时掺入少量的Mn原子可以起到活性剂作用，有利于InN的成核和InN成核岛之间的融合，使得InN:Mn在GaN层上很快由三维变为二维生长。为防止Mn的扩散对于后续InN单晶薄膜的物理性质的影响，在生长好InN:Mn层后，再生长InN过渡层。最后，在AlN-GaN-InN:Mn-InN复合缓冲层的基础上就可生长高质量的InN单晶薄膜。
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公开(公告)号：CN100354639C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200510110630.5
申请日：2005-11-23
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种检测氮化镓基半导体发光二极管质量优劣的方法。它是根据GaN基半导体发光二极管中存在的压电效应和InN类量子点结构，通过测量在不同注入电流下，发光峰位的蓝移量来判断发光二极管性能的优劣。在相同注入电流下，如果发光峰位蓝移量越大，电流的注入效率就越高，电流在芯片、电极、支架、引线等器件各个部分上的损失就越小。这就说明制造发光二极管的各个工艺过程，如材料生长、电极加工、封装控制的比较好，产品的质量相对就比较高。本发明具有操作简单，易于批量使用的特点。
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公开(公告)号：CN101055882A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710040613.8
申请日：2007-05-14
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L27/144 , H01L31/111
摘要： 本发明公开了一种GaAs/AlGaAs/InGaAs双色量子阱红外焦平面探测器，该器件采用GaAs基材料，交替生长AlGaAs势垒/GaAs量子阱/AlGaAs势垒/InGaAs量子阱/AlGaAs势垒，利用GaAs量子阱中的子带间跃迁形成长波波段的探测，利用InGaAs量子阱中的子带间跃迁形成中波波段的探测。对长波探测的GaAs量子阱，AlGaAs/InGaAs/AlGaAs层构成GaAs量子阱的势垒；对中波探测的InGaAs量子阱，AlGaAs/GaAs/AlGaAs层又构成了InGaAs量子阱的势垒，并且使AlGaAs/InGaAs/AlGaAs层的总厚度和AlGaAs/GaAs/AlGaAs层的总厚度为常规量子阱红外探测器中的一个势垒厚度，除掉了由于厚度增加使得器件的光电耦合效率下降的因素。在光电耦合方式中采用优化的二维双周期衍射光栅，在光栅刻蚀工艺中采用难度较小的浅深度刻蚀法。
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公开(公告)号：CN1306288C
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200510025460.0
申请日：2005-04-27
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： G02B5/20
CPC分类号： G02B5/28
摘要： 本发明公开了一种具有平整谐振腔层的滤光片列阵，它是利用F-P结构滤光片的带通峰位随其谐振腔层厚度的变化而改变的特性设计的。它包括基片，在基片上依次排列下层膜系、谐振腔层膜系、上层膜系。其特征在于：谐振腔膜层是厚度不同的膜层列阵，它是通过组合镀膜来实现不同厚度谐振腔膜层在同一基片上的集成，以达到控制每个微型窄带滤光片的带通峰位，从而实现不同带通峰位窄带滤光片在同一块基片上集成的目的。这种结构的优点是避免了因刻蚀引起界面粗糙而导致的滤光片性能下降和控制精度问题，与传统镀膜方法相比，制备效率和成品率都非常高。
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公开(公告)号：CN1834598A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200610025717.7
申请日：2006-04-14
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种氧化锌基盲阳紫外探测装置，该装置从物方至像方按顺序由窄带反射滤光片、透镜、ZnO基多量子阱层、带通滤光片和Si基CCD5组成。所说的ZnO基多量子阱层是由交替生长30个周期的MgZnO势垒层/MgZnCdO过渡层/ZnCdO势阱层组成。调节各层Mg、Zn、Cd的组分，可使MgZnO势垒层和ZnCdO势阱层的禁带宽度分别对应于吸收的紫外光子能量和发出的可见光子能量。本发明的优点是：目标信号可以正入射，无需背入射。不需要加工作电压和Si基CCD的直接光学读出，这不仅提高了可靠性，还简化了系统结构。
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