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公开(公告)号：CN114086115A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111253591.X
申请日：2021-10-27
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开一种超硬TiC涂层及其制备方法。所述方法包括：步骤A、在第一偏压下对基底进行清洗；步骤B、在惰性气体气氛下对金属靶进行磁控溅射放电，采用第二偏压在所述基底表面沉积金属过渡层；步骤C、逐渐通入含C气体，对金属Ti靶和含C气体进行磁控溅射放电，采用第三偏压在所述金属过渡层表面沉积TiC涂层前驱体；步骤D、对所述TiC涂层前驱体进行退火处理，制备得到超硬TiC涂层。本发明中，高能粒子调控和离子轰击作用下，实现了具有纳米晶和非晶混合相结构的TiC涂层前驱体沉积，并通过退火处理，诱导产生了高密度位错，层错及超晶格等微观结构，这些独特的微观结构将TiC涂层材料的硬度提升到超硬状态。
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公开(公告)号：CN109504948B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201811627274.8
申请日：2018-12-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种筒形溅射阴极及离子引出系统，其中，筒形溅射阴极包括具有中空部的筒形壳体，所述筒形壳体内沿径向由外至内依次设置有：用于屏蔽所述筒形壳体以外的带电体的屏蔽罩、抵接在所述屏蔽罩上起绝缘隔离作用的定位套、抵接在所述定位套上的磁短路组件、两个咬合在所述磁短路组件上下两侧的环形磁铁，以及用于轴向固定靶材的靶材固定组件；两个所述环形磁铁相对的一侧磁极相反。本发明通过在筒形壳体中设置环形磁铁，并在环形磁铁的外侧依次设置有磁短路组件和屏蔽罩，解决了现有的等离子源系统中磁场不闭合、起辉及维持放电困难的问题。
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公开(公告)号：CN111027214A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911264545.2
申请日：2019-12-10
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G06F30/20 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种持续辉光放电仿真模型的构建方法、仿真方法，所述仿真模型的构建方法包括步骤：确定放电体系中参与放电的粒子；其中，所述粒子包括离子，中性粒子，冷电子和热电子中的一种或多种；计算放电区域温度，并根据所述放电区域的温度获得中性粒子的扩散通量；和/或计算热电子溢出项，并根据所述热电子溢出项获得热电子平衡方程；根据所述中性离子的扩散通量和所述热电子平衡方程获得所述仿真模型。通过考虑温度和热电子对模型热平衡和动力学平衡的影响改进了整体模型，实现了整体模型对持续辉光放电的仿真。
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公开(公告)号：CN106884191B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201710060908.5
申请日：2017-01-25
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请公开了一种用于微弧氧化的电解液、微弧氧化方法及应用。本申请用于微弧氧化的电解液，包括终浓度为5‑50g/L的磷酸盐、1‑15g/L的含铁化合物和1‑10g/L的络合剂，溶剂为蒸馏水；含铁化合物为二价铁化合物和/或三价铁化合物。本申请的用于微弧氧化的电解液，将磷酸盐、含铁化合物和络合剂溶解于水中，既满足了微弧氧化电解液的使用需求，又将磷化处理的磷酸盐引入其中，将磷化处理和微弧氧化相结合；使得采用本申请的电解液进行微弧氧化获得的膜层具有更好的致密度，进而提高了被处理工件的耐腐蚀性能。
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公开(公告)号：CN110552038A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910926770.1
申请日：2019-09-27
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开一种超疏水材料及其制备方法。所述超疏水材料具有荷叶状纳米结构。所述荷叶状纳米结构，类似T型结构，不需要使用有机低表面能物质改性就可直接实现超疏水性，这种仅靠结构调控实现超疏水性的材料具有较好的稳定性。所述具有荷叶状纳米结构的材料可以为氧化铝，氧化铝作为常见的工件的耐磨耐腐涂层，因此，本发明微弧氧化法制备的特殊结构纳米氧化铝还具有优异的稳定性。另外本发明提供的超疏水材料的制备方法，简单易操作，成本较低，具有潜在的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109709201A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811627273.3
申请日：2018-12-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种高时间分辨的质谱检测设备，包括依次电连接的电容模块、信号转换器以及质谱仪；所述质谱仪用于分析等离子体的粒子种类、能量；所述电容模块，用于接受待测试系统中的脉冲模拟信号，进行脉冲反相交换，并输出控制信号；所述信号转换器，用于确定数据采集的起始位置，进而获得一个脉冲内的等离子体质谱信号。本发明的高时间分辨的质谱检测设备可用于跟踪脉冲放电等离子体质谱信号，测试脉冲放电的瞬态等离子特性，进行等离子体诊断，研究普通质谱仪无法检测的瞬态过程。本设备成本低，且通过采用不同的溅射电源和溅射阴极能够很好地适应不同的放电要求。
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公开(公告)号：CN109708760A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811629737.4
申请日：2018-12-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种高时间分辨的光谱检测设备及应用，其中，光谱检测设备包括光谱仪，以及与所述光谱仪电连接的单光子计数器；所述光谱仪包括：光信号采集模块、分光模块和信号增强模块；所述单光子计数器用于获得所述脉冲光源一个脉冲内的的光谱信号。本发明的光谱检测设备是一种结合了放大器与鉴别器的装置，集成了时钟和数据分析功能，能够跟踪脉冲放电等离子体演化过程的光谱信号，理论时间分辨率可达2 ns，可研究普通光谱仪无法检测的等离子体瞬态过程。
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公开(公告)号：CN106835234B
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201710060909.X
申请日：2017-01-25
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C25D11/06
Abstract: 本申请公开了一种用于微弧氧化的电解液、微弧氧化方法及铝或铝合金材料。本申请的用于微弧氧化的电解液，包括终浓度为5‑40g/L的磷酸盐、1‑10g/L的氟化物和1‑15g/L的铵盐，溶剂为蒸馏水。本申请的用于微弧氧化的电解液，能够在金属表面形成特殊的疏水陶瓷层，对水的接触角可以达到100°‑180°，使被处理工件具备易清洁或自清洁、防指纹、防雾、防结冰、水中减阻、耐腐蚀等多种性能。并且相对有机疏水涂层，采用本申请的电解液形成的疏水陶瓷层具有不易老化、寿命长和力学性能好等特点。
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公开(公告)号：CN105239048B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201510650195.9
申请日：2015-10-09
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C23C14/35
Abstract: 本申请公开了一种金属等离子体源及其应用。本申请的金属等离子体源包括外壳、磁控靶和电子阻挡屏极，外壳呈中空的圆柱筒状，磁控靶铺设于外壳的中空的内腔中，且不与外壳导通，电子阻挡屏极由导电材料制备，同样设置于外壳的中空内腔中，并且电子阻挡屏极为片状，垂直安装于磁控靶的两端；电子阻挡屏极与磁控靶导通，或者电子阻挡屏极与磁控靶不导通，电子阻挡屏极单独连接负电压。本申请的金属等离子体源，在磁控靶两端增加电子阻挡屏极，将逃逸的电子反射回金属等离子体源内部，起到降低放电起辉条件目的；反射的电子增强了溅射粒子碰撞，增强其离化率，增加了靶材表面电子分布的均匀性，提高了靶材溅射均匀性，进而提高靶材利用率。
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公开(公告)号：CN105018891B
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201510313511.3
申请日：2015-06-09
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请公开了一种用于PBIID批量生产的工件架、装置及生产方法。本申请的用于等离子体基离子注入与沉积批量生产的工件架，包括用于放置工件的架体，以及罩设于架体外的网状导电栅，网状导电栅与架体之间绝缘。本申请的工件架，在架体外罩设网状导电栅，负高压不连接在架体和工件上，而是连接在网状导电栅上，实现离子加速，避免了高压电源输出总功率对处理工件数量的限制，杜绝了工件打火问题；同时，也不存在因工件之间的距离太近造成等离子体鞘层重叠，影响离子加速过程的问题。本申请的工件架，解决了等离子体基离子注入与沉积产业化过程中的三个重要技术问题，特别适合于大规模的批量工件镀膜生产。
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