公开(公告)号：CN115358282A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202211292155.8

申请日：2022-10-21

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网上海市电力公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  成睿琦 ,  梁英宗 ,  陈燕宁 ,  王立城 ,  仝傲宇 ,  王帅鹏 ,  彭鹏 ,  邵宇鹰

IPC分类号： G06K9/00

摘要： 本申请涉及数据处理领域，提供一种电磁环境数据压缩方法及装置。所述电磁环境数据压缩方法，包括：对电磁环境数据中的突变信号数据进行截取；对截取的突变信号数据进行滤波处理；对滤波处理后的数据进行特征点选取；对选取的特征点连接形成的包络线进行数据拟合，提取描述包络线波形的特征参数，将描述包络线波形的特征参数作为电磁环境数据的特征值。本申请实施例通过选取电磁环境数据的特征点，将特征点连接形成的包络线进行数据拟合，将拟合得到的特征参数作为电磁环境数据的特征值，实现对电磁环境数据的压缩。在对电磁环境数据进行存储时，大大降低了数据存储容量，且可以从存储的数据中直接获取特征数据。

公开(公告)号：CN118297012A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410727943.8

申请日：2024-06-06

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网山西省电力公司 ,  国网山西省电力公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

发明人： 刘芳 ,  陈燕宁 ,  郁文 ,  陆珊珊 ,  曹永万 ,  吴波 ,  梁英宗 ,  孟庆萌 ,  常泽洲

IPC分类号： G06F30/33 ,  G06F119/04

摘要： 本发明涉及芯片领域，公开一种老化效应的仿真方法、仿真系统与芯片。所述方法包括：根据Finfet在一时间段内的漏源电压与电流、热电容及热电阻，确定自热引起Finfet的温升；根据温升与未考虑自热的Finfet在该时间段内的工作温度，确定考虑自热的Finfet在该时间段内的实际温度；及根据漏源电压、实际温度及未考虑自热的Finfet在该时间段内的原始阈值电压，确定考虑自热的Finfet的阈值电压，和/或根据漏源电流、实际温度及未考虑自热的Finfet在该时间段内的原始饱和电流，确定考虑自热的Finfet的饱和电流。本发明精确且有效地仿真考虑自热的Finfet的老化量，可提前预判Finfet性能。

公开(公告)号：CN117094268B

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202311340163.X

申请日：2023-10-17

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 池泊明 ,  邵亚利 ,  梁英宗 ,  刘芳 ,  陈燕宁

IPC分类号： G06F30/367 ,  G06T11/20

摘要： 本发明提供一种网格间数据传递方法、装置、存储介质及电子设备，属于电子设计自动化技术领域。所述网格间数据传递方法包括：分别获取原始网格和新网格；在原始网格中分别查找新网格中各个节点所在的网格单元，得到各个节点对应的数据传递网格单元；分别基于各个节点对应的数据传递网格单元，确定得到各个节点的参数。实现了基于网格单元的线性插值算法，相较于最临近插值法，由于基于的是网格单元，参与运算的不再是单个的节点，从而使精度大幅提升；同时相较于双线性插值法，通过网格单元，可以快速查找到对应的数据传递网格单元，从而保证了精度且提高了效率。

公开(公告)号：CN117094268A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202311340163.X

申请日：2023-10-17

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 池泊明 ,  邵亚利 ,  梁英宗 ,  刘芳 ,  陈燕宁

IPC分类号： G06F30/367 ,  G06T11/20

摘要： 本发明提供一种网格间数据传递方法、装置、存储介质及电子设备，属于电子设计自动化技术领域。所述网格间数据传递方法包括：分别获取原始网格和新网格；在原始网格中分别查找新网格中各个节点所在的网格单元，得到各个节点对应的数据传递网格单元；分别基于各个节点对应的数据传递网格单元，确定得到各个节点的参数。实现了基于网格单元的线性插值算法，相较于最临近插值法，由于基于的是网格单元，参与运算的不再是单个的节点，从而使精度大幅提升；同时相较于双线性插值法，通过网格单元，可以快速查找到对应的数据传递网格单元，从而保证了精度且提高了效率。

公开(公告)号：CN117556777B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410048392.2

申请日：2024-01-12

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 邓永峰 ,  梁英宗 ,  吴波 ,  刘芳 ,  解尧明 ,  王凯 ,  张同 ,  李君建 ,  连亚军 ,  吴祖谋 ,  章明瑞 ,  董子斌

IPC分类号： G06F30/392 ,  G06T17/00 ,  G06F30/3308

摘要： 本申请公开了一种芯片的三维建模方法、装置、电子设备及存储介质，属于半导体技术领域。该方法包括：获取芯片的平面版图，并获取芯片流片的层级信息和光罩信息；基于层级信息和光罩信息，确定平面版图中芯片各层对应的层级几何参数；基于层级信息和光罩信息，进行逻辑运算，得到芯片的轻掺杂漏结构的层级几何参数；基于平面版图、芯片各层对应的层级几何参数以及轻掺杂漏结构的层级几何参数，进行三维建模，得到芯片的三维结构模型，三维结构模型包括轻掺杂漏结构对应的模块。该方法可以构建出包括LDD区域的三维结构模型，完整、准确地展示芯片的几何结构，保证模型中器件电学性能及可靠性的准确性，有助于提升芯片仿真精度。

公开(公告)号：CN117556777A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202410048392.2

申请日：2024-01-12

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 邓永峰 ,  梁英宗 ,  吴波 ,  刘芳 ,  解尧明 ,  王凯 ,  张同 ,  李君建 ,  连亚军 ,  吴祖谋 ,  章明瑞 ,  董子斌

IPC分类号： G06F30/392 ,  G06T17/00 ,  G06F30/3308

摘要： 本申请公开了一种芯片的三维建模方法、装置、电子设备及存储介质，属于半导体技术领域。该方法包括：获取芯片的平面版图，并获取芯片流片的层级信息和光罩信息；基于层级信息和光罩信息，确定平面版图中芯片各层对应的层级几何参数；基于层级信息和光罩信息，进行逻辑运算，得到芯片的轻掺杂漏结构的层级几何参数；基于平面版图、芯片各层对应的层级几何参数以及轻掺杂漏结构的层级几何参数，进行三维建模，得到芯片的三维结构模型，三维结构模型包括轻掺杂漏结构对应的模块。该方法可以构建出包括LDD区域的三维结构模型，完整、准确地展示芯片的几何结构，保证模型中器件电学性能及可靠性的准确性，有助于提升芯片仿真精度。

公开(公告)号：CN118627291A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410747506.2

申请日：2024-06-11

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 陈燕宁 ,  梁英宗 ,  赵东艳 ,  刘芳 ,  池泊明 ,  朱亚星 ,  赵扬 ,  钱振华

IPC分类号： G06F30/20

摘要： 本发明提供一种掺杂浓度文件生成方法、装置和电子设备，属于计算机技术领域。方法包括：获取新拓扑结构网格中的所有节点坐标；基于原拓扑结构网格中所有图形网格内的指定点坐标构建KD树；基于所述KD树搜索出所述新拓扑结构网格中的每个节点坐标在所述原拓扑结构网格对应的目标图形网格；基于每个所述目标图形网格的节点掺杂浓度对新拓扑结构网格中的每个节点坐标进行插值，得到新拓扑结构网格中的所有节点坐标的掺杂浓度，以形成新掺杂浓度文件。相比现有技术采用顺序遍历原有拓扑结构的三角形网格方式，过程效率低、耗时长。本发明采用KD树的方式建立原有图形网格的快速搜索，实现新拓扑结构网格的节点在原有拓扑结构网格上的快速定位。

公开(公告)号：CN118626374A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410745770.2

申请日：2024-06-11

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 赵东艳 ,  梁英宗 ,  邓永峰 ,  刘芳 ,  池泊明 ,  朱亚星 ,  赵扬 ,  倪芳

IPC分类号： G06F11/36

摘要： 本发明提供一种图形用户界面程序的自动测试方法、装置和电子设备，属于计算机技术领域。其中方法包括：获取图形用户界面程序的测试用例中操作的控件坐标信息；基于测试用例中操作的控件坐标信息，编写自动化测试脚本；运行自动化测试脚本；重复执行以下步骤，直至所有测试任务测试结束：间隔预设时间周期获取图形用户界面的截图，以及提取截图中的多个测试任务的字符和每个测试任务对应的颜色状态；基于截图、多个测试任务的字符和每个测试任务的颜色状态，生成测试用例状态报告；基于测试用例状态报告确定所有测试任务的测试进程。本发明用以解决图形用户界面程序的测试过程中耗费大量的人力成本和时间成本的问题。