一种薄膜制备方法和设备
    44.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113832439B

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202110976165.2

    申请日:2021-08-24

    IPC分类号: C23C14/35

    摘要: 本申请提供了一种薄膜制备方法和设备,包括:提供基底和靶材,基底正对靶材设置,在基底和靶材之间设置空腔,在靶材正对基底的一侧建立正交的电场和磁场;向靶材正对基底的一侧通入氩气,以在电场作用下将氩气电离成氩离子和电子;氩离子在磁场作用下轰击靶材,以使靶材发生溅射产生溅射粒子;向空腔内通入第一气体,以使溅射粒子与第一气体碰撞后沉积在基底上。由于溅射粒子经与第一气体碰撞后,溅射粒子的能量被降低,继而降低了其对基底的轰击效应,减少了对基底已有膜层的损伤。