一种基于双频注入的电压高精度非侵入式测量方法与装置

    公开(公告)号:CN117214504A

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202311215266.3

    申请日:2023-09-19

    Abstract: 本申请涉及一种基于双频注入的电压高精度非侵入式测量方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括:向测量回路中注入第一检测信号和第二检测信号;获取测量回路中的位移电流信号;基于信号频率对位移电流信号进行信号分离,得到第一检测电流、第二检测电流和额定电流;根据额定电流、检测电压、第一检测电流和第二检测电流确定待测电压。通过向测量回路中注入第一检测信号和第二检测信号,并根据得到的位移电流信号分别得到第一检测电流、第二检测电流和额定电流,最后通过额定电流、检测电压、第一检测电流和第二检测电流确定待测电压。通过注入两个异频的参考信号,可以有效抵消测量回路中电阻和电感的影响,从而提高电压检测的精度。

    钨钒掺杂铌氧化物的制备方法、钨钒掺杂铌基材料及应用

    公开(公告)号:CN116621222B

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202310905384.0

    申请日:2023-07-24

    Abstract: 本申请涉及一种钨钒掺杂铌氧化物的制备方法、钨钒掺杂铌基材料及应用。该制备方法包括以下步骤:制备包括铌离子、钨离子和钒离子的前驱体溶液;其中,前驱体溶液的pH值为≥10;前驱体溶液中,钨元素的摩尔量相对于钒元素的摩尔量之比值为0.8~1.2,钨元素和钒元素的摩尔量之和相对于铌元素的摩尔量之比值为0.005~0.1;于150℃~200℃将前驱体溶液进行水热反应;进行固液分离收集固体沉淀物,水洗,醇洗,于50℃~100℃干燥;于400℃~500℃对水热反应产物进行煅烧,制得钨钒掺杂铌氧化物。该钨钒掺杂铌氧化物具有较好的气体敏感性,可以实现对乙炔气体的高敏感性和高稳定性响应,可用作气敏材料。

    TMRz轴磁场传感器
    43.
    发明授权

    公开(公告)号:CN116165576B

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202211663230.7

    申请日:2022-12-23

    Abstract: 方向上的磁场的检测。本申请涉及一种TMRz轴磁场传感器。包括:衬底;支撑部,支撑部设置在衬底上;驱动模块,驱动模块的第一端设置在支撑部上且与支撑部固定连接;传感单元,设置在衬底上;条状合金,条状合金与驱动模块的第二端连接,条状合金在衬底上的正投影覆盖传感单元,其中:传感单元用于检测第一方向上的磁场;驱动模块用于发生振动,以带动条状合金以预设频率沿靠近或远离传感单元的方向进行往复运动来改变第二方向上的磁场,以使空间中第一方向上的磁场也发生变化,其中,条状合金在往复运动过程中与传感单元的间隔距离大于零,第一方向与第二方向垂(56)对比文件王志明 等.集成化输电线路多物理量传感器研究与示范《.广西电力》.2021,第44卷(第5期),28-36.Shigenobu Koyama 等.Tunable BiasMagnetic Field of Nano-Granular TMRSensor Using FePt Film Magnet《.IEEETransactions on Magnetics 》.2017,第53卷(第11期),1-4.

    一种三轴全桥电路变换式线性磁场传感器

    公开(公告)号:CN115825826B

    公开(公告)日:2023-09-15

    申请号:CN202211656591.9

    申请日:2022-12-22

    Abstract: 本发明涉及一种三轴全桥电路变换式线性磁场传感器,包括两组相互垂直设置的磁场传感单元,各组磁场传感单元包括开关电路和两个对称设置的磁场传感阵列切片,开关电路分别与各磁场传感阵列切片连接,用于切换两个磁场传感阵列切片之间的导通状态,形成可变化的桥式结构,以获得三轴推挽式全桥磁场传感器,从而能够测量X轴、Y轴和Z轴的磁场变化,使得在测试过程中磁电阻对外磁场呈现明显的线性变化,同时可排除非敏感轴方向磁场造成的测量误差,提高了测量精度。此外,本申请提出的三轴全桥电路变换式线性磁场传感器采用一种磁场传感阵列切片结构,设计和工艺简单,降低了设计和工艺难度,有利于提高生产效率和质量。

    一种高压输电线非侵入电压测量模型确定方法和装置

    公开(公告)号:CN115825548B

    公开(公告)日:2023-09-15

    申请号:CN202211590175.3

    申请日:2022-12-12

    Abstract: 本申请涉及一种高压输电线非侵入电压测量模型确定方法和装置。所述方法包括:获取电力系统中高压输电线对应的电压信息、电流信息以及电容信息;基于基尔霍夫电流定律,根据电压信息、电流信息以及电容信息,建立高压输电线对应的非侵入电压测量系统映射关系;根据非侵入电压测量系统映射关系,确定高压输电线对应的待测量线路电压映射关系以及测量极板电压映射关系;根据高压输电线对应的电容信息,确定高压输电线对应的等效电容集合;根据待测量线路电压、测量极板电压以及等效电容集合,得到非侵入电压测量模型。采用本方法能够实现了对于高压输电线线路电压的准确测量,并能够提高使用电力测量模型对电力系统进行电压测量的时候安全性。

    异质结薄膜、HF气敏半导体组件、制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116626115A

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202310913938.1

    申请日:2023-07-25

    Abstract: 本申请涉及一种异质结薄膜、HF气敏半导体组件、制备方法和应用。该异质结薄膜包括InSbO3和SnS2构成的纳米棒状异质结结构,其中,在纳米棒状异质结结构中,InSbO3相对于SnS2的摩尔比为1:(0.5~2)。该异质结薄膜制备方法包括以下步骤:制备包含铟盐、锑盐和第一有机溶剂的前驱体A溶液,进行第一次水热反应,洗涤固体产物I,进行干燥和第一次烧结,生成InSbO3半导体物质;将InSbO3半导体物质与包含锡盐和含硫添加剂的前驱体B溶液进行第二次水热反应,洗涤固体产物Ⅱ并干燥,形成InSbO3和SnS2构成的纳米棒状异质结结构。该异质结薄膜具有较好的气敏特性且制备方法简单。

    钨钒掺杂铌氧化物的制备方法、钨钒掺杂铌基材料及应用

    公开(公告)号:CN116621222A

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202310905384.0

    申请日:2023-07-24

    Abstract: 本申请涉及一种钨钒掺杂铌氧化物的制备方法、钨钒掺杂铌基材料及应用。该制备方法包括以下步骤:制备包括铌离子、钨离子和钒离子的前驱体溶液;其中,前驱体溶液的pH值为≥10;前驱体溶液中,钨元素的摩尔量相对于钒元素的摩尔量之比值为0.8~1.2,钨元素和钒元素的摩尔量之和相对于铌元素的摩尔量之比值为0.005~0.1;于150℃~200℃将前驱体溶液进行水热反应;进行固液分离收集固体沉淀物,水洗,醇洗,于50℃~100℃干燥;于400℃~500℃对水热反应产物进行煅烧,制得钨钒掺杂铌氧化物。该钨钒掺杂铌氧化物具有较好的气体敏感性,可以实现对乙炔气体的高敏感性和高稳定性响应,可用作气敏材料。

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