-
公开(公告)号：CN100347329C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200510127326.1
申请日：2005-12-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: ZnAl2O4包覆硼酸铝晶须增强铝基或镁基复合材料及其制备方法，它涉及一种硼酸铝晶须增强铝基或镁基复合材料及其制备方法。它解决了现有复合材料中硼酸铝晶须与基体浸润性差，硼酸铝晶须与基体结合强度不高的问题，而且能够有效阻碍界面反应的发生。ZnAl2O4包覆硼酸铝晶须增强铝基或镁基复合材料由ZnO、硼酸铝晶须和铝基或镁基三种原料制成。其制备方法：(一)将硼酸铝晶须加入ZnO溶胶中；(二)制ZnO涂覆的硼酸铝晶须；(三)制备ZnAl2O4包覆的硼酸铝晶须预制块；(四)挤压铸造，即得到ZnAl2O4包覆硼酸铝晶须增强铝基或镁基复合材料。ZnO与硼酸铝反应生成的ZnAl2O4包覆到硼酸铝晶须表面，提高了硼酸铝晶须与基体的浸润性和界面结合强度，使复合材料的力学性能显著提高。
-
公开(公告)号：CN100347131C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200510010310.2
申请日：2005-09-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/64 , C04B41/80 , C04B35/472 , C04B35/491
Abstract: 铁电薄膜的交变电场热处理方法，具体涉及一种用于降低铁电陶瓷薄膜残余应力的热处理方法，它是为了解决现有的基底为Pt/Ti/SiO2/Si的铁电薄膜中存在较高的残余应力，以及选择用单晶体基底沉积外延铁电薄膜减小残余应力时材料成本高的问题。本发明的方法是：一、在Pt/Ti/SiO2/Si基底上沉积铁电薄膜材料，并进行高温退火结晶，形成铁电薄膜1；二、将所述铁电薄膜1进行二次退火，并在所述二次退火过程中引入交变电场。本发明的交变电场热处理方法针对居里温度为300℃～800℃的铁电陶瓷薄膜材料，它可以降低基底为Pt/Ti/SiO2/Si的铁电薄膜中的残余应力，并且工艺步骤简单、易操作、成本低。
-
公开(公告)号：CN100346903C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200510127385.9
申请日：2005-12-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B22D18/02 , B22D19/02 , C04B35/624
Abstract: 一种提高挤压铸造金属基复合材料质量的方法，它涉及一种提高金属基复合材料质量的方法。本发明解决了采用挤压铸造法制造金属基复合材料，存在预制件易开裂问题。该方法包括以下步骤：将装有预制件(1)的压铸模具(2)放在加热炉(5)中，在预制件(1)上放置滤网(4)并浇入液态金属(6)；滤网(4)的制作方法是：将直径为0.1～100μm、长度为5μm～100mm的陶瓷材料在蒸馏水或无水乙醇中分散，采用凝胶—溶胶法，在陶瓷材料表面包覆质量占陶瓷材料总质量1～5%的难溶金属氢氧化物，模压成型，烧结，制得高度为10～30mm、网孔体积占滤网(4)总体积60～80%的滤网(4)，采用该方法可保证复合材料质量。
-
公开(公告)号：CN1311092C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200510009922.X
申请日：2005-04-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C22C21/00
Abstract: 含磁致伸缩陶瓷颗粒混合增强的铝基复合材料，它涉及一种铝基复合材料的组合物。本发明的目的是为解决已有金属基复合材料存在的热错配应力问题。本发明磁致伸缩陶瓷颗粒增强体和陶瓷相增强体混合后的体积占三种成分总体积的6%，铝基体占三种成分总体积的94%，磁致伸缩陶瓷颗粒增强体占磁致伸缩陶瓷颗粒增强体和陶瓷相增强体混合后总体积的0.3%，陶瓷相增强体占磁致伸缩陶瓷颗粒增强体和陶瓷相增强体混合后总体积的99.7%。本发明的优点是：铸态含磁致伸缩陶瓷颗粒混合增强的铝基复合材料具有较高的抗拉强度，通过脉冲磁场热处理后，复合材料的热错配应力得以松弛，抗拉强度和延伸率得以提高，塑性也有较大的提高。
-
公开(公告)号：CN1293214C
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200510009684.2
申请日：2005-01-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 三氧化二铋包覆陶瓷相增强铝基复合材料，它涉及一种新型的复合材料。本发明的铝基复合材料由三氧化二铋、陶瓷相增强体和铝基体三种成分组成，其中陶瓷相增强体的体积分数占总体积分数的5～50%，三氧化二铋的加入量占陶瓷相增强体质量的2～20%。包覆物三氧化二铋基本都在增强体和基体的界面处，并且三氧化二铋和基体铝发生铝热反应，生成低熔点金属铋都分布在增强体和基体的界面处。在复合材料热变形时，温度高于金属铋的熔点270℃，界面处的低熔点金属铋熔化变成液体，在增强体和基体之间起到润滑作用，降低了变形温度和加工成本，减少了陶瓷相增强体的损伤，变形后的复合材料仍有优良的力学性能。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1769511A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510010130.4
申请日：2005-06-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 含SnO2涂覆陶瓷相增强铝基或镁基复合材料，它属于金属基复合材料领域。针对现有复合材料存在增强相与基体的润湿性差、增强相和基体以及基体中的合金元素会发生严重的界面反应和热塑性变形能力较差的不足，本发明的含SnO2涂覆陶瓷相增强铝基或镁基复合材料由SnO2涂层、陶瓷增强相和铝或镁基体三种成分组成，其中陶瓷增强相的体积占总体积的15～50％，SnO2的加入量占陶瓷增强相质量的2～ 20％。该复合材料可以通过物理或化学方法实现陶瓷增强相表面的SnO2涂覆。SnO2涂覆后可以提高增强相与基体的润湿性，抑制增强相与基体的界面反应，还可以降低复合材料的热塑性变形温度，减少复合材料热加工的成本，热变形后复合材料仍有很好的力学性能。
-
公开(公告)号：CN1648270A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510009684.2
申请日：2005-01-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 三氧化二铋包覆陶瓷相增强铝基复合材料，它涉及一种新型的复合材料。本发明的铝基复合材料由三氧化二铋、陶瓷相增强体和铝基体三种成分组成，其中陶瓷相增强体的体积分数占总体积分数的5～50％，三氧化二铋的加入量占陶瓷相增强体质量的2～20％。包覆物三氧化二铋基本都在增强体和基体的界面处，并且三氧化二铋和基体铝发生铝热反应，生成低熔点金属铋都分布在增强体和基体的界面处。在复合材料热变形时，温度高于金属铋的熔点270℃，界面处的低熔点金属铋熔化变成液体，在增强体和基体之间起到润滑作用，降低了变形温度和加工成本，减少了陶瓷相增强体的损伤，变形后的复合材料仍有优良的力学性能。
-
公开(公告)号：CN1100353A
公开(公告)日：1995-03-22
申请号：CN93117478.3
申请日：1993-09-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种用于金属基复合材料中的预制块的制作方法，通过水浸及超声波振荡以分散晶须之间的缠结团，从而保证晶须在预制块中及在随后用压铸法制备的复合材料中均匀分布。通过向晶须中加入适量的水溶性有机溶胶来保证预制块的高强度。在一定的压力下制成一定晶须体积分数的预制块后，对预制块进行烘干高温处理。
-
公开(公告)号：CN119824678A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411879538.4
申请日：2024-12-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: D06M11/74 , C08J5/06 , C08L101/00 , D06M101/40
Abstract: 本发明公开了一种在碳纤维表面共价连接石墨烯的方法及应用，属于碳纤维改性技术领域。本发明要解决碳纤维改性的方法或者对设备要求高，能耗大，周期长，或者在改性过程中碳纤维表面易氧化，使其力学性能显著下降，或者不适用于大规模生产的问题。本发明取碳纤维或者表面包覆有机物的碳纤维，与碳源和还原剂混合，至均匀，燃烧合成反应，随后酸洗提纯。本发明用于生产树脂基复合材料、金属基复合材料、陶瓷基复合材料及碳基复合材料等，具有广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN119797922A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510014977.7
申请日：2025-01-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/524 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/64 , C04B35/645
Abstract: 本发明公开了一种基于绿色低成本生物质水溶性糖类小分子物质的致密块体碳材料的制备方法，属于碳材料技术领域，该方法包括以下步骤：(1)将水溶性糖类小分子、凝胶单体、交联剂和引发剂混合，得到水凝胶，然后依次进行干燥、阶梯升温碳化、粉碎和球磨，得到碳化粉末；(2)将所述碳化粉末和烧结助剂进行球磨，然后采用热压烧结、放电等离子体烧结或热等静压进行烧结处理，得到所述致密块体碳材料。本发明通过热压烧结、放电等离子体烧结或热等静压等工艺，成功制备出高密度、高强度的致密碳材料。与传统方法相比，该方法显著降低了对石油基原料的依赖，实现了绿色环保的生产过程，并提高了碳收率和力学性能，具有广泛的工业应用前景。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
165
records
(took 0.025 seconds)
