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公开(公告)号:CN101689384B
公开(公告)日:2012-06-27
申请号:CN200880023912.3
申请日:2008-07-08
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11B7/0053 , G11B7/126 , G11B7/24 , G11B7/24079
Abstract: 超分辨率介质(1)设有信息信号区域(11)和测试引导区域(12),信息信号区域(11)记录有视频或音频等内容;测试引导区域(12)记录有用于调整设定值的重放设定值调整信息,其中,该设定值是用于进行重放的设定值。形成在信息信号区域(11)的第1预坑列的最短标记长度小于重放装置所具有的光学系统分辨极限长度。记录于测试引导区域(12)的、用以调整设定值的第2预坑列中的标记长度种类与第1预坑列的一部分或全部标记长度种类相同。第2预坑列含有、标记长度低于重放装置之光学系统分辨极限长度的预坑。第1预坑列以及第2预坑列中的标记长度有3种以上。由此,对于超分辨率介质(1),能够根据各介质进行最佳的重放。
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公开(公告)号:CN102473727A
公开(公告)日:2012-05-23
申请号:CN201080029375.0
申请日:2010-03-10
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/22 , G02F1/1368 , G02F2202/10 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供能够实现具有稳定的晶体管特性的薄膜晶体管的氧化物半导体、具有包含该氧化物半导体的沟道层的薄膜晶体管及其制造方法和包括该薄膜晶体管的显示装置。本发明的氧化物半导体是薄膜晶体管用的氧化物半导体,上述氧化物半导体包含铟、镓、锌和氧作为构成原子,当将化学计量的状态按原子单位设为100%时,上述氧化物半导体的氧含量是87~95%。
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公开(公告)号:CN101847423A
公开(公告)日:2010-09-29
申请号:CN201010202590.8
申请日:2008-09-25
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11B7/00 , G11B7/0037 , G11B7/005 , G11B7/08511 , G11B7/12 , G11B7/126 , G11B7/1263 , G11B7/24 , G11B7/24038 , G11B19/125 , G11B19/128 , G11B2007/0013
Abstract: 一种用于对光信息记录介质进行重放的光信息记录介质重放装置(10),该光信息记录介质由层叠多个包含有长度短于光学系分辨极限的记录标记的信息记录层而成,在该光信息记录介质重放装置(10)中,进行设定使得用于对最接近重放激光入射面的信息记录层进行重放的重放激光功率,小于对最远离重放激光入射面的信息记录层进行重放的重放激光功率并且在满足该光信息记录介质重放装置(10)所需重放信号特性下的最小重放激光功率以上。由此,对接近重放激光入射面的信息记录层进行重放时,能够防止重放激光功率高的重放激光误射到该信息记录层,从而能够获得良好的重放品质。即,能够通过确定最适当的重放激光功率以实现进行稳定超分辨重放的光信息记录介质重放装置(10)。
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公开(公告)号:CN1573990B
公开(公告)日:2010-08-25
申请号:CN200410032411.5
申请日:2004-04-05
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/257 , Y10T428/21
Abstract: 本发明的光信息记录介质是一种具有形成与记录信息对应的凹凸形状的坑及/或沟的基板,并利用光束照射通过光学方法重放所述信息用光信息记录介质或具有记录层的光信息记录介质,该介质包括随着因光束照射所产生的温度变化而照射光束的透射率也变化的温度敏感层21及光吸收层22。由此,能提供可高密度记录信息并高精度、可靠地重放的光信息记录介质、采用该介质的记录方法、重放方法、重放装置及记录装置。
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