-
公开(公告)号：CN115458673B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211402335.7
申请日：2022-11-10
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明提供一种超导量子芯片首层结构及其制备方法，属于量子芯片领域，所述首层结构包括依次连接的硅衬底层、中间层以及超导金属层；所述中间层用于阻挡硅和超导金属层之间的互扩散；所述中间层可用于捕获超导金属层中的准粒子。所述首层结构及其制备方法解决了硅与超导金属层之间的互溶问题，实现了超导金属薄膜的高温制备。利用所述方法制备的超导金属薄膜晶粒大、界面锐利和表面平整，有利于降低微波损耗体积、提高超导量子芯片性能。
-
公开(公告)号：CN115633539B
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202211652091.8
申请日：2022-12-22
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明提供了一种超导电路及其制备方法，所述制备方法包括：（1）在衬底上制备钽层；（2）对所述钽层依次经一次钝化处理、光刻‑刻蚀处理以及二次钝化处理，得到超导电路；所述光刻‑刻蚀处理包括依次进行的涂胶、一次烘烤、图形化处理、二次烘烤、等离子体处理、湿法刻蚀以及光阻剥离；所述制备方法采用湿法刻蚀，并结合钝化工艺以及等离子体处理工艺，有效解决了现有技术中干法刻蚀带了的衬底损伤问题，改善了金属图形边缘的平滑程度，减少了器件的二能级损耗，提升了器件的致密性和稳定性，同时金属层坡度可调利于约瑟夫森结的制备。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115186621B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211091465.3
申请日：2022-09-07
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: G06F30/392 , G06F30/394 , G06F30/398 , G06N10/20 , G06N10/40
Abstract: 本发明公开了一种超导量子电路的通孔结构的设计方法及结构，包括：确定第一通孔结构的等效阻抗，其中，第一通孔结构包括信号通孔和接地通孔；第一通孔结构的等效阻抗和目标阻抗的大小关系异常，在信号通孔和接地通孔之间增设绝缘通孔，并通过改变绝缘通孔的布局来增大超导量子电路的通孔结构的等效阻抗，超导量子电路的通孔结构的分布电感不改变，分布电容发生改变；其中，信号通孔、接地通孔和绝缘通孔构成第二通孔结构，绝缘通孔内填充有相对介电常数小于通孔所在基板的相对介电常数的绝缘介质。本发明提供的技术方案在不增加超导量子电路尺寸的情况下，提高了超导量子电路的等效阻抗与预设标准的匹配度。
-
公开(公告)号：CN115458673A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211402335.7
申请日：2022-11-10
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明提供一种超导量子芯片首层结构及其制备方法，属于量子芯片领域，所述首层结构包括依次连接的硅衬底层、中间层以及超导金属层；所述中间层用于阻挡硅和超导金属层之间的互扩散；所述中间层可用于捕获超导金属层中的准粒子。所述首层结构及其制备方法解决了硅与超导金属层之间的互溶问题，实现了超导金属薄膜的高温制备。利用所述方法制备的超导金属薄膜晶粒大、界面锐利和表面平整，有利于降低微波损耗体积、提高超导量子芯片性能。
-
公开(公告)号：CN115112923B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211049798.X
申请日：2022-08-30
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明公开了一种二能级缺陷的空间分布的测量方法及测量装置。该测量方法包括：对超导量子待测样品施加预设偏置磁场；根据超导量子待测样品的超导量子比特的频率和偏置磁通的关系曲线确定能级回避交叉点的坐标点，能级回避交叉点的坐标点对应于待测样品中的二能级缺陷；通过二能级缺陷的空间分布的测量装置的探针依次对N个待测区域施加按照预设规律变化的应力，其中，超导量子待测样品的表面包括N个待测区域，N大于或等于1；确定每个待测区域的二能级缺陷的数量，其中，每个待测区域内能级回避交叉点的坐标点随着应力的变化出现变化的数量即该待测区域存在二能级缺陷的数量。本发明实施例提供的技术方案可以表征二能级缺陷的空间分布情况。
-
公开(公告)号：CN115112923A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202211049798.X
申请日：2022-08-30
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明公开了一种二能级缺陷的空间分布的测量方法及测量装置。该测量方法包括：对超导量子待测样品施加预设偏置磁场；根据超导量子待测样品的超导量子比特的频率和偏置磁通的关系曲线确定能级回避交叉点的坐标点，能级回避交叉点的坐标点对应于待测样品中的二能级缺陷；通过二能级缺陷的空间分布的测量装置的探针依次对N个待测区域施加按照预设规律变化的应力，其中，超导量子待测样品的表面包括N个待测区域，N大于或等于1；确定每个待测区域的二能级缺陷的数量，其中，每个待测区域内能级回避交叉点的坐标点随着应力的变化出现变化的数量即该待测区域存在二能级缺陷的数量。本发明实施例提供的技术方案可以表征二能级缺陷的空间分布情况。
-
公开(公告)号：CN115000286A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210827100.6
申请日：2022-07-13
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明提供了一种晶圆孔道填充方法、填充装置、转接片和用途，所述晶圆孔道填充方法包括：在保护气氛下，将超导粉末利用超声振荡填充至晶圆的孔道内，加热后，超导粉末熔化填充至孔道内。本发明利用超声振荡技术，将超导粉末充满在晶圆孔道，使超导粉末在孔道内部原位熔融填充，实现简洁、快速和高效地填充。
-
-
-
-
-
-
Search Results
47
records
(took 0.028 seconds)
