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公开(公告)号：CN212571347U
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202021285150.9
申请日：2020-07-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q1/38 , H01Q1/50 , H01Q19/185 , H01Q15/14
Abstract: 本实用新型公开了一种基于超薄单介质层单向辐射的缝隙天线，包括介质基板、位于介质基板上表面中心的缝隙天线以及位于介质基板下表面的微带馈电线及其左右对称的两个反射板。与常规的周期性超材料技术实现缝隙天线的单向辐射不同，该天线无需在天线下方添加额外的超材料结构，仅与微带馈电线的同一层添加新型反射器即可实现单向辐射，并且天线的增益较常规缝隙天线提高1.5dB左右，可以实现匹配。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN212571346U
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202021284567.3
申请日：2020-07-04
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种沿E平面非对称切割的贴片天线，包括介质基板、位于介质基板上表面的第一金属层、位于介质基板下表面的第二金属层、从介质基板的下表面穿过第二金属层和介质基板对第一金属层进行馈电的同轴馈电输入端，第一金属层具有两个矩形切割缝隙，两个矩形切割缝隙非对称分布于第一金属层宽度中轴线的两侧，通过调整贴片尺寸和位置可以实现双频、宽频和波束扫描功能，相对于现有技术，该天线结构简单，其仅在常规微带贴片天线基础上进行非对称切割处理，便能够实现双频带、宽频带特征和波束扫描功能，结构简单，易于加工。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN215497087U
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202121346238.1
申请日：2021-06-17
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种单介质层立体金属墙去耦结构，包括金属墙、底板和两个辐射模块，所述金属墙贯穿所述底板并与所述底板固定连接，且位于所述公共接地板的顶部，两个所述辐射模块分别与所述底板固定连接，并均位于所述底板的顶部，且两个所述辐射模块关于所述金属墙对称设置，在满足去耦和匹配要求的前提下，不仅使天线阻抗匹配变好，而且还实现了较好的去耦效果，修正了H面的辐射方向图，提高了E面的实际增益，从而较好地解决了现有技术中方向图偏移的问题。
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公开(公告)号：CN214378838U
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202120430413.9
申请日：2021-02-28
Abstract: 本实用新型公开了一种平面偶极子二元寄生阵列天线，通过在平面偶极子天线两侧增加寄生金属单元，并适当的调整金属单元的长度和位置，便能够较大的增加天线增益，解决了天线尺寸较大和天线结构复杂的问题。此外，所述平面偶极子二元寄生阵列仅有一个馈电端口，通过调整寄生条带金属单元的长度和位置可以改善天线的阻抗匹配程度，提高天线的增益，结构简单，易于加工，可利用PCB工艺生产，成本低，精度高，适合大批量生产，解决了现有技术中的偶极子阵列天线馈电网络设计结构复杂的技术问题。
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公开(公告)号：CN212303907U
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202021284004.4
申请日：2020-07-04
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种基于短平面反射器实现减少后向辐射的薄层缝隙天线，包括介质基板、缝隙天线、平面发射器和微带线，所述缝隙天线位于所述介质基板的一侧，所述平面发射器的数量为两个，所述微带线和两个所述平面发射器均位于所述介质基板远离所述缝隙天线的一侧，且均与所述缝隙天线垂直，两个所述平面发射器对称设置于所述微带线的两侧，且一端沿所述微带线方向平行延伸跨越所述缝隙天线。相对于现有技术，该天线在不额外增加缝隙天线尺寸的前提下，在介质厚度仅为0.015(自由空间波长)实现减少天线朝向馈电微带线端的辐射，提高了缝隙天线的增益。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN216251139U
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202122188502.X
申请日：2021-09-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种n型立体缺陷金属墙方向图修正的去耦结构，其结构包括平行于E面放置的n型缺陷金属墙和两组贴片天线。所述缺陷金属墙贯穿所述介质基板并与所述金属地板相连，两组所述贴片天线的间距为λ0/20，采用微带线馈电，并用四分之一波长阻抗变换器调整阻抗匹配。该结构在满足去耦和匹配要求的前提下，还修正了H面的辐射方向图，提高了E面的实际增益，从而较好的解决了现有紧间距去耦结构中存在的方向图偏移问题。
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公开(公告)号：CN212780507U
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202020467852.2
申请日：2020-04-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/41
Abstract: 本实用新型公开了一种基于二维简单超材料结构的微纳折射率传感器，通过所述基于二维简单超材料结构的维纳折射率传感器是由周期性结构单元构成；所述周期性单元结构由一维介质光栅阵列叠放在由SiO2薄膜层和Al2O3薄膜层组成的下层结构上所构成。利用结构产生的导模共振和腔模，对周围的介质环境十分敏感的特性，可以将结构表面临近物质的折射率的微小变化转换成可测量的透射峰的位移，设计实现高灵敏度的微纳尺度折射率传感测量，该传感器具有优越的折射率灵敏度(410.2nm/RIU)和超高的品质因子(4769.8)，也可用于亚波长范围内的气体密度的检测。该传感器既能明显降低半峰全宽，提高传感器的灵敏度，又能有效防止结构的腐蚀及氧化，延长产品的使用寿命。
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公开(公告)号：CN209198690U
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201920062121.7
申请日：2019-01-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本实用新型涉及一种金属纳米环柱阵列结构的新型超窄带吸波器，解决的是品质因数差的技术问题，通过采用所述基于表面晶格共振的超窄带吸收体是由纳米环柱阵列组成的；所述的纳米阵列单元从下往上依次设置为介质层基底、金属薄膜反射层及谐振器；所述的纳米阵列单元反射层薄膜金的厚度大于入射电磁波在贵金属金的趋肤深度的技术方案；所述的纳米阵列单元采用双环柱结构压缩了吸波体的吸收频谱的半峰全宽，较好地解决了传统吸波体吸收效率低，吸收半峰全宽大，品质因数低等问题，可用于窄带热辐射器，等离子体生物传感器的应用中。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN217114813U
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202220728074.7
申请日：2022-03-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本实用新型公开了一种阴面相位梯度超表面结构，包括馈电结构和阴面相位梯度超表面单元结构，所述阴面相位梯度超表面单元结构嵌入所述馈电结构的顶部。根据巴比涅原理，阴面相位梯度超表面单元结构与常规相位梯度超表面单元结构互补，将原本非金属部分填充为金属，利用缝隙辐射的原理引入相位梯度超表面，可以对辐射的电磁波进行调控。所述阴面相位梯度超表面单元结构由不同尺寸的单元组成，结果表明阴面相位梯度超表面具有传统相位梯度超表面相似的特征，即在阻抗带宽范围内方向图随着频率的变化而具有扫描特性，若合理组成阵列可提高缝隙单元辐射的方向性。
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