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公开(公告)号:CN1426383A
公开(公告)日:2003-06-25
申请号:CN01808774.4
申请日:2001-08-03
申请人: TDK株式会社
IPC分类号: C04B35/32
CPC分类号: B32B18/00 , B32B2311/08 , C04B35/2633 , C04B35/265 , C04B35/2666 , C04B35/62675 , C04B2235/3206 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3274 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/36 , C04B2235/365 , C04B2235/656 , C04B2235/767 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2237/34 , C04B2237/40 , C04B2237/408 , H01F1/348 , H01F1/37 , H01F17/04
摘要: 可以提供下述磁性氧化物烧结体及使用该烧结体的高频电路部件,所述磁性氧化物烧结体中Y型六方晶铁素体占至少80%,它含有主成分和副成分,主成分含有预定摩尔%的氧化钴、氧化铜、氧化铁和AO(AO为BaO或SrO中的至少一种),更优选主成分含有预定摩尔%的MO(MO为NiO、ZnO、MgO中的至少一种),副成分含有预定重量%的氧化铋(Bi2O3)、硼硅酸玻璃、硼硅酸锌玻璃或铋玻璃,因此到数百MHz-GHz的高频带仍具有良好磁特性而可被使用,并且尽量不含Y型六方晶铁素体以外的异相,可以在不超过1000℃特别是在900℃附近烧成。
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公开(公告)号:CN1405799A
公开(公告)日:2003-03-26
申请号:CN02142582.5
申请日:2002-08-27
申请人: 株式会社村田制作所
发明人: 丸泽博
IPC分类号: H01F1/01
CPC分类号: H01F17/0013 , H01F1/348
摘要: 提供一种可在数百MHz~数GHz频带使用的高频磁性材料和使用该材料的高频电路元件,该材料可在1100℃以下、甚至1000℃以下的温度烧结,获得90%以上的相对X射线密度。该高频磁性材料的主成分组成是(1-a-b)(Ba1-xSrx)O·aMeO·bFe2O3(其中,Me是选自Co、Ni、Cu、Mg、Mn和Zn之中的至少一种),而且以Y型或者M型六角晶铁氧体作为主相,其中,0.205≤a≤0.25,0.55≤b≤0.595,0≤x≤1,2.2≤b/a<3。
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