一种单分散导电隔热介孔材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN104327579A

    公开(公告)日:2015-02-04

    申请号:CN201410629024.3

    申请日:2014-11-10

    IPC分类号: C09D7/12 C09D175/04 C09D5/24

    摘要: 本发明公开了一种单分散导电隔热介孔材料及其制备方法和应用,采用溶剂热方法制得一种隔热氧化锡锑前驱体,将其高温煅烧后制备了单分散氧化锡锑导电隔热材料。通过该方法制备的材料可实现导电率达到8.68×10-2Ω·cm,将该粉体分散于聚氨酯中可制成性能稳定的热屏蔽涂料。该热屏蔽涂料可大面积制备出均匀透明隔热膜,相比空白玻璃,薄膜隔热率可达40%以上。该热屏蔽材料具有优良的化学及光热稳定性能,热屏蔽效率高,可用于制造建筑玻璃隔热薄膜、隔热导电涂料等应用到建筑物、汽车、管道、储罐等。另外,本发明的制备工艺简单易操作,原料价廉易得,适合工业化生产,反应过程具有绿色环保、低能耗、高效益特点。

    一种金属硫化物纳米晶敏化晶硅电池片及其制备方法

    公开(公告)号:CN102694048B

    公开(公告)日:2014-11-26

    申请号:CN201210189456.8

    申请日:2012-06-08

    CPC分类号: Y02E10/50 Y02P70/521

    摘要: 本发明提供一种金属硫化物纳米晶敏化晶硅电池片并提供一种该电池片的原位生长制备方法,所述电池片包括晶硅电池片和原位生长在晶硅电池表面的致密的金属硫化物纳米晶层,金属硫化物纳米晶敏化层与硅基电池片形成QDs/Si异质结构,硅基电池片为单晶硅、多晶硅、非晶硅或微晶硅太阳能电池片。本发明通过在硅基电池片表面原位生长金属硫化物纳米晶/量子点的方法,充分利用纳米晶/量子点吸收光谱宽、吸收系数高的特性,提高晶硅电池片对太阳光的吸收效率;利用量子点的量子限域效应和多激子效应,提高热载流子的分离与捕获效率,提高晶硅太阳能电池的光电转化效率。此外,本发明具有工艺简单,反应时间短,生产成本低的优势,适用于工业化大规模生产。

    一种钇铝石榴石纳米黄色荧光材料的制备方法

    公开(公告)号:CN103173220B

    公开(公告)日:2014-10-29

    申请号:CN201310088477.5

    申请日:2013-03-19

    IPC分类号: C09K11/80

    摘要: 本发明属于纳米稀土铝酸盐荧光材料技术领域,特别涉及一种钇铝石榴石纳米黄色荧光材料及其制备方法,该荧光材料的化学式为Y3-xAl5O12:xCe3+,其中0.01≤x≤0.2;制备方法为:在钇盐、铝盐和铈盐的混合物中加入聚乙二醇,搅拌、加热至30℃-70℃,保持0.1-1.2小时,冷却后加入无水乙二胺,搅拌、加热至50℃-90℃,保持4-8小时;将反应混合液在温度为200℃-300℃条件下反应20-30小时,得到沉淀物;离心洗涤、干燥即得目标产物。本发明采用一步溶剂热法制得荧光纳米材料,合成温度较低,反应时间较短,且荧光材料的粒径均匀、分散性及化学稳定性好,易于长期保存。

    一种高灵敏度快速响应的气敏材料的制备方法和应用

    公开(公告)号:CN101943692B

    公开(公告)日:2014-02-26

    申请号:CN201010251033.5

    申请日:2010-08-11

    IPC分类号: G01N33/00

    摘要: 本发明公开了一种高灵敏度快速响应的气敏材料以及制备方法和应用,所述材料是以锡酸锌为基质,掺杂有钇、铈、铝、铋、锶、镉、钙、镁、钡、铜中的一种或几种元素的纳米材料。本发明的气敏无机材料对乙醇,甲醛,氯仿等有毒有害气体具有很高的灵敏度及较短的响应恢复时间。使用本发明材料制备的气敏元件最低检测限度可达1ppm以下。与现有技术相比,本发明产品具有安全无毒、化学性质稳定、易于长期保存、气敏性能稳定等有益效果;且制备工艺简单易操作,原料价廉易得,反应过程基本没有工业三废,具有绿色环保、低能耗、高效益等特点,适合工业化生产。

    蓝光LED激发的无机荧光材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN102127438B

    公开(公告)日:2013-10-16

    申请号:CN201110004054.1

    申请日:2011-01-11

    IPC分类号: C09K11/78

    摘要: 本发明属于荧光材料,蓝光LED激发的无机荧光材料及其制备方法。现有无机荧光材料品种少;性能不稳定;制备工艺复杂;价格昂贵。本发明以钼酸钇锂、钼酸镧锂为基质,掺杂有银、镨,镧中的一种或几种;化学表达式为:Li1-xY1-n-y(MoO4)2:nPr,xAg,yLa(0.005≤n≤0.05,0.05≤x≤0.10,0.05≤y≤0.50)。本发明制备方法为:称取化学计量的钇盐、镧盐、银盐、碱性金属盐、中性盐和钼酸盐放入研钵中;加入无水乙醇,室温研磨,收集入坩埚中;放入马弗炉升温,烧结4-8h,研磨制得。本发明优点是:材料粒径均匀、性能稳定;成本低廉;方法简单、制备过程无污染。

    一种半导体纳米晶/量子点敏化的晶硅材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN102184978B

    公开(公告)日:2013-04-17

    申请号:CN201110047463.X

    申请日:2011-02-28

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明公开了一种半导体纳米晶/量子点敏化的晶硅材料,由下列重量份配比的物质组成:硫化物1-100份;金属盐1-100份;溶剂100-500份;晶硅材料(硅电池片)。采用连续离子吸附反应结合滴涂、旋涂、浸渍提拉技术直接在晶硅材料上生长量子点。本发明的优点是:1.制备工艺简单,金属硫化物量子点长期稳定。2.可以大幅提高硅太阳能电池光电转化效率;3.本发明的制备工艺简单易操作,原料价廉易得,反应过程低能耗、高效益,适合工业化生产。

    一种金属硫化物纳米晶敏化晶硅电池片及其制备方法

    公开(公告)号:CN102694048A

    公开(公告)日:2012-09-26

    申请号:CN201210189456.8

    申请日:2012-06-08

    CPC分类号: Y02E10/50 Y02P70/521

    摘要: 本发明提供一种金属硫化物纳米晶敏化晶硅电池片并提供一种该电池片的原位生长制备方法,所述电池片包括晶硅电池片和原位生长在晶硅电池表面的致密的金属硫化物纳米晶层,金属硫化物纳米晶敏化层与硅基电池片形成QDs/Si异质结构,硅基电池片为单晶硅、多晶硅、非晶硅或微晶硅太阳能电池片。本发明通过在硅基电池片表面原位生长金属硫化物纳米晶/量子点的方法,充分利用纳米晶/量子点吸收光谱宽、吸收系数高的特性,提高晶硅电池片对太阳光的吸收效率;利用量子点的量子限域效应和多激子效应,提高热载流子的分离与捕获效率,提高晶硅太阳能电池的光电转化效率。此外,本发明具有工艺简单,反应时间短,生产成本低的优势,适用于工业化大规模生产。

    一种蓝光激发的红光荧光体及其制备方法

    公开(公告)号:CN101298561B

    公开(公告)日:2011-05-25

    申请号:CN200810039842.2

    申请日:2008-06-30

    IPC分类号: C09K11/85

    摘要: 本发明涉及发光材料领域,公开了一种蓝光激发的红光荧光体,对430~500nm区间的蓝色可见光有很强的吸收,在630~650nm有很强的发射。其组成由以下通式表示:RMoO4:(Pr,MX)n,0.005≤n≤0.05;其中R是选自钙、镁、锶或钡的碱土金属元素,M是选自锂、钠或钾的碱金属元素;X为选自氟、氯、溴或碘的卤素。其制备方法为取含碱土金属元素前驱物、含钼的前驱物、含镨的前驱物与碱金属-卤素前驱物研磨混合均匀,在800℃-1000℃下烧结1-5hr。本方法采用研磨法结合空气氧化法,烧结温度低;生产工艺简单易操作、原料廉价易得适合工业化生产,而且所得产品发光效率高,具有很高的化学及光学稳定性。