-
公开(公告)号：CN115763443A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202111026589.9
申请日：2021-09-02
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 本发明公开一种半导体器件的制备方法及半导体器件，涉及半导体器件制备技术领域，以解决由于在形成锗硅层时，产生的氢气扩散入电介质层中形成氧空位，从而产生泄漏电流，影响半导体器件的性能的问题。该半导体器件的制备方法包括：提供衬底。所述衬底包括自下而上层叠设置的下电极层、电介质层以及上电极层。在所述上电极层上形成第一硅籽晶层。在所述第一硅籽晶层上形成层间氧化层。在所述层间氧化层上形成锗硅层。本发明提供的半导体器件的制备方法用于制备半导体器件。
-
公开(公告)号：CN115331724A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202110508166.4
申请日：2021-05-10
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： G11C29/08
摘要： 本发明提供一种存储器晶圆测试系统及方法，该系统包括：主处理器、第一存储器、第二存储器以及冗余处理器，其中，主处理器用于控制测试装置对待测存储器晶圆依次执行在先的一个测试类型的各测试项目，每次执行完一个测试项目，将待测存储器晶圆对应该测试项目的不良位元信息保存到第一存储器，并将不良位元信息从第一存储器拷贝到第二存储器；冗余处理器用于根据第二存储器中的不良位元信息依次获取待测存储器晶圆对应每个测试项目的不良位元数量。本发明能够减少整体测试时间，提高测试效率。
-
公开(公告)号：CN115020318A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202110246734.8
申请日：2021-03-05
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L21/762 , H01L27/108
摘要： 本发明涉及一种半导体器件、DRAM及其制造方法，属于半导体技术领域，解决现有通孔双镶嵌刻蚀方案存在通孔倒角不均衡或者容易产生围栏的问题。器件包括：金属部件设置半导体衬底中；第一互连件设置在ILD层的第一开口中并与第一金属部件的顶面接触；第二互连件设置在ILD层的第二开口中，包括主体部和位于主体部下方的第一支部和第二支部，第一支部和第二支部分别与第二金属部件和第三金属部件的顶面接触，第一支部的宽度、第二支部的宽度和介于第一支部和第二支部之间的ILD层的凸起部的宽度之和小于等于主体部的宽度，ILD层的凸起部具有圆倒角。空腔大幅度增大了沟槽刻蚀工艺窗口，使得倒角能够有效圆角化并能够提高器件的可靠性。
-
公开(公告)号：CN114975443A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110207617.0
申请日：2021-02-24
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L27/108
摘要： 本发明提供了一种半导体器件的制造方法及半导体器件，该制造方法先在凸起结构图案上方位置的部分间隔材料层上形成覆盖在每个凸起结构上方的缓冲结构，之后刻蚀缓冲结构及间隔材料层，使相邻两个凸起结构之间的间隔材料层分离，以形成覆盖在每个凸起结构及上表面的间隔结构。由于增加了设置缓冲结构的步骤，在后续刻蚀间隔材料层，使间隔材料层进行分离形成间隔结构时，缓冲结构能够对凸起结构进行保护，防止由于对间隔材料层过刻蚀而损伤凸起结构。且使间隔结构不仅覆盖在凸起结构图案的两个侧壁上，还覆盖在凸起结构的上表面，提高间隔结构对位线图案或栅极图案的保护效果。
-
公开(公告)号：CN114975074A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110191818.6
申请日：2021-02-19
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明公开了一种多晶硅薄膜的制造方法及半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域，用于在利用乙硅烷气体制造多晶硅薄膜时，减小多晶硅薄膜在基底表面的沉积速率，降低在基底表面制造厚度较小的多晶硅薄膜的难度。所述多晶硅薄膜的制造方法包括：向化学气相沉积设备的反应腔室内导入前驱气体，反应腔室的沉积区域内放置有基底。向反应腔室内导入乙硅烷气体的同时，向反应腔室内导入稀释气体，以调整多晶硅薄膜在基底表面的沉积速率。
-
公开(公告)号：CN114857282A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110158760.5
申请日：2021-02-04
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 本发明公开了一种节流阀、处理腔室及半导体处理设备，涉及半导体技术领域，用于防止流道内传输的气体与处理腔室内的气体反应而产生的反应物质凝聚在流量调节组件表面以及流道内壁上，提高节流阀的使用寿命。所述节流阀应用于具有处理腔室的半导体处理设备中。所述节流阀包括：阀体、流量调节组件和加热组件。阀体内开设有用向处理腔室传输气体的流道。流量调节组件可转动地设置在阀体内，用于调节气体在流道内的流量。加热组件包括设置在流量调节组件内的加热部，加热部用于对流量调节组件进行加热。
-
公开(公告)号：CN114743889A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110020462.X
申请日：2021-01-07
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/304 , H01L23/544
摘要： 本公开提供了一种基于曝光区域的芯片封装处理方法，封装处理方法包括：先利用在先光刻工艺数据确定目标晶圆的各个曝光区域，目标晶圆可为一个或多个。以各个曝光区域作为当前工序的切割单位，对目标晶圆进行切割处理，将目标晶圆分割成多个器件单元。对于包含不良裸片的器件单元，则直接以裸片作为切割单位对器件单元进行切割处理后再进行接合。对合格的器件单元进行整体接合处理，再以裸片作为当前工序的切割单位，对经过接合处理后的器件单元再进行切割处理。本公开创新利用已知曝光区域作为首次切割晶圆的依据，在两次切割处理工序之间对合格的器件单元进行接合工序，能够提升半导体器件良率和提高封装效率，本公开工艺更简单，对准精度高。
-
公开(公告)号：CN114695357A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011625006.X
申请日：2020-12-31
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/768
摘要： 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，提供形成有导电结构的半导体衬底，半导体衬底上；在导电结构的上方制备与导电结构连接的插塞；在形成了插塞的半导体衬底表面形成浸润层，浸润层为金属间化合物，金属间化合物含有金属线元素、抗电迁移的金属元素以及起粘合作用的金属元素；在浸润层的上方形成包含金属线元素的上金属层；对浸润层和上金属层进行图形化处理，得到连接导电结构的互连线。通过本发明能够形成厚薄均匀的浸润层和上金属层，进而提高了像电迁移、应力迁移等可靠度，保证了半导体产品质量。
-
公开(公告)号：CN114678417A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202011551445.0
申请日：2020-12-24
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种半导体结构及栅极的制作方法。一种半导体结构包括：半导体衬底；所述半导体衬底的有源区设有栅极；所述栅极由栅介质层、多晶硅层、金属层依次堆叠而成，并且所述多晶硅层掺杂有一氧化碳离子。一种栅极的制作方法，包括：在半导体衬底上形成浅槽隔离，然后形成栅介质层；在所述栅介质层表面沉积多晶硅层；向所述多晶硅层内注入一氧化碳离子；然后进行N型和/或P型掺杂、沉积金属层、盖层，经过光刻刻蚀形成栅极。本发明细化了栅极多晶硅晶粒，降低了机械应力，还提高了栅极金属与多晶硅的接合稳定性。
-
公开(公告)号：CN114628389A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011455578.8
申请日：2020-12-10
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242 , H01L23/528 , H01L21/768 , H01L29/423 , H01L21/28
摘要： 本发明实施例提供的一种制造半导体结构的方法及半导体结构，其中的半导体结构，包括：半导体衬底；多晶硅层，位于半导体衬底上；阻挡层，位于多晶硅层上，阻挡层包含导电氧化物层；金属层，形成在阻挡层上。本发明实施例中的阻挡层包含导电氧化物层，该导电氧化物层在工艺加工过程中具有较高的热稳定性和可靠性，易于成膜，并且在成型过程中不需要进行额外的电阻率控制；因此，可解决半导体器件中的金属线结构在制造过程中存在不易成膜或热稳定性差的问题，使得该半导体结构构成的金属线能够较大的改善半导体器件性能的稳定性和可靠性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
594 条记录 (耗时 0.095 秒)