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公开(公告)号:CN103732535A
公开(公告)日:2014-04-16
申请号:CN201280037414.0
申请日:2012-07-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C01B31/06
CPC classification number: C01B32/25 , B01J3/062 , B01J2203/061 , B01J2203/0655
Abstract: 本发明涉及一种纳米多晶金刚石(1),其包括碳和多种非碳杂质。每一种所述杂质的浓度均等于或小于0.01质量%,并且该纳米多晶金刚石(1)的晶粒尺寸(最大长度)至多为500nm。该纳米多晶金刚石(1)可以由以下方法制造:制备杂质浓度至多为0.01质量%的石墨,然后使该石墨经受高温和极高的压力,从而将所述石墨转化为金刚石。
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公开(公告)号:CN1469448A
公开(公告)日:2004-01-21
申请号:CN03143076.7
申请日:2003-06-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L24/75 , H01L2224/16227 , H01L2224/75 , H01L2224/751 , H01L2224/7511 , H01L2224/75251 , H01L2224/75985 , H01L2924/01078 , H01L2924/04941
Abstract: 本发明提供一种焊台和焊头,在将半导体元件封装在基板上时,对于在半导体元件及基板上高密度配置电极的设计,可进行高精度的连接。与半导体元件接触的焊台上面由高导热率物质构成,焊台表面的内部温度分布均匀。另外,由于焊台表面采用对环氧树脂等材料浸湿性低的材料,所以使用过程中树脂材料不易粘附,即使粘附了也易清除。
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