公开(公告)号：CN114019220B

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202210014419.7

申请日：2022-01-07

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  程晓峰 ,  付振 ,  王帅鹏 ,  刘芳 ,  黄海潮

IPC分类号： G01R19/00 ,  G01R15/20

摘要： 本发明实施例提供一种电流检测器及电路，电流检测器包括：外壳及至少一组磁体，所述磁体位于所述外壳内，每组磁体包括：第一磁芯、第二磁芯、第一激励线圈、第二激励线圈及感应线圈；所述第一磁芯和第二磁芯对称耦合；所述第一激励线圈缠绕所述第一磁芯，用于产生第一激励磁场；所述第二激励线圈缠绕所述第二磁芯，用于产生第二激励磁场；所述第一激励线圈和第二激励线圈为反向串连连接；所述感应线圈缠绕于所述第一磁芯和第二磁芯的耦合中轴，用于感应待测导体产生感应磁场。所述电流检测器测量灵敏度高、抗干扰能力强，并且结构简单、加工难度较低，成本较低。

公开(公告)号：CN113990866A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111622482.0

申请日：2021-12-28

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  西安电子科技大学

发明人： 赵东艳 ,  陈燕宁 ,  王于波 ,  邵瑾 ,  付振 ,  王文赫 ,  甄岩 ,  李腾浩 ,  董广智 ,  李嘉睿 ,  王树龙

IPC分类号： H01L27/02

摘要： 本发明实施例提供一种硅控整流器、芯片及电路，所述硅控整流器包括：衬底，所述衬底上方设有N阱区和P阱区；所述N阱区和P阱区上方依次设有第一N+区、第一P+区、第三区、第二N+区及第二P+区，所述第三区为第三P+区或第三N+区；所述第一N+区和第一P+区均与所述硅控整流器的阳极相连；所述第二N+区和第二P+区均与所述硅控整流器的阴极相连。所述硅控整流器具有更强的泄放电流的能力，大大提升了防护能力。

公开(公告)号：CN113964188A

公开(公告)日：2022-01-21

申请号：CN202111571321.3

申请日：2021-12-21

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司

发明人： 余山 ,  赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  王凯 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  刘倩倩 ,  郁文

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法。所述横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括衬底、栅极区、源极区、漏极区、P型体区以及位于所述衬底上的N型阱区、P型阱区和N型漂移区，还包括：离子注入形成的P型漂移区；所述P型漂移区位于所述N型阱区内，所述P型漂移区与所述P型体区之间存在预设距离。本发明在N型阱区内增加P型漂移区，P型漂移区与N型阱区的接触面构成PN结，P型漂移区与N型漂移区形成双重RESURF结构，降低器件的表面电场，并且能够承担更高的击穿电压，维持较低的导通电阻。

公开(公告)号：CN113889163A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202111485264.7

申请日：2021-12-07

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  北京航空航天大学

发明人： 赵东艳 ,  陈燕宁 ,  王于波 ,  付振 ,  邵瑾 ,  殷加亮 ,  潘成 ,  王文赫 ,  赵文龙 ,  肖睿 ,  卓昱东 ,  曹凯华 ,  赵巍胜

IPC分类号： G11C11/16

摘要： 本发明实施例提供一种翻转概率可控的随机磁隧道结器件及应用方法，属于半导体器件领域。所述器件包括：基础磁隧道结三明治结构，自上而下包括参考层、隧穿势垒层和自由层；位于所述参考层上方的顶端电极，所述顶端电极具有顶端电极端口；位于所述自由层下方的调控层，用于为所述自由层提供偏置磁场，所述调控层包括重叠布置的交换偏置场层和底端电极；所述底端电极两端分别具有底端第一电极端口和底端第二电极端口；所述顶端电极端口、所述底端第一电极端口和所述底端第二电极端口用于单个或任意组合使用以调控所述随机隧道结器件的翻转概率。本发明方案实现了随机磁隧道结器件翻转概率可控。

公开(公告)号：CN113887025A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202111088795.2

申请日：2021-09-16

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网福建省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 赵东艳 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  付振 ,  王帅鹏 ,  王凯 ,  邓永峰 ,  郁文 ,  刘倩倩 ,  潘成 ,  林文彬

IPC分类号： G06F30/20 ,  G06F119/04 ,  G06F119/06

摘要： 本发明提供一种用于分析芯片老化的模拟仿真方法、装置及系统，属于芯片老化分析领域。所述方法包括：获取芯片上各器件的热网表和第一电网表；根据器件的热网表确定该器件在工作过程中的工作温度；根据器件的第一电网表获取该器件在工作温度下对应的电学参数；根据器件在工作温度下的电学参数，通过模拟仿真得到该器件老化后的性能参数；根据各器件的老化后的性能参数，通过模拟仿真得到所述芯片老化后的性能变化。基于热网表和第一电网表进行仿真得到各个器件在工作温度下老化后的电学参数，然后再根据老化后的电学参数仿真得到芯片老化后的性能参数，在进行芯片老化仿真时充分考虑不同器件各自的温度，使得老化仿真结果更准确。

公开(公告)号：CN108846171B

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201810523411.7

申请日：2018-05-28

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司

发明人： 刘芳 ,  陈燕宁 ,  李建强 ,  付振 ,  刘春颖 ,  赵东艳 ,  张海峰 ,  唐晓柯

IPC分类号： G06F30/3308

摘要： 本发明公开了一种仿真MOSFET温度电学特性的子电路模型的建立方法，包括以下步骤：分别在常温、第一温度、第二温度下对MOSFET进行电学特性测试并记录实际的电学特性曲线，其中第一温度是‑40度以下，第二温度是125度以上；根据常温下的电学特性测试结果提取BSIM模型；在所述BSIM模型基础上定义等效温变电阻以及温度补偿因子得到一个初步的子电路模型；根据在常温、所述第一温度、所述第二温度下的电学特性测试结果，调整等效温变电阻以及温度补偿因子的值使得最终的子电路模型仿真的电学特性曲线能够精确地拟合所述实际的电学特性曲线。所述仿真MOSFET温度电学特性的子电路模型的建立方法可以实现在更宽的温度区间子电路模型仿真的电学特性曲线更加拟合实际情况。

公开(公告)号：CN112710405A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN202011461453.6

申请日：2020-12-08

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  中国科学院半导体研究所 ,  国网信息通信产业集团有限公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  张鹏 ,  张海峰 ,  陈燕宁 ,  王帅鹏 ,  王峥 ,  付振 ,  郭彦 ,  付登源 ,  朱银芳 ,  杨晋玲

IPC分类号： G01K7/16

摘要： 本发明实施例提供一种温度传感器，属于传感器技术领域。所述温度传感器包括：具有谐振腔的基板；悬臂梁，该悬臂梁位于所述谐振腔中，一端固定在所述基板上；金属层，位于所述悬臂梁的表面，温度变化时，与悬臂梁共同作用产生静态弯曲量；惠斯通电桥，包括至少一个U型可变压阻，该可变压阻位于所述悬臂梁的固定端应力最大处，用于将所述静态弯曲量转换为电信号。通过本发明提供的技术方案，能够实现对环境温度的快速高灵敏度、高精度的检测。

公开(公告)号：CN112614536A

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN202011452068.5

申请日：2020-12-09

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  北京航空航天大学

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  邵瑾 ,  陈燕宁 ,  曹凯华 ,  周芝梅 ,  袁远东 ,  潘成 ,  付振

IPC分类号： G11C29/56 ,  G11C11/02

摘要： 本发明提供一种MRAM存储阵列温度自检测方法、存储控制方法和系统，属于存储器领域。所述方法包括：为第一存储阵列分区分配对应的写错误检测区域地址和读错误检测区域地址；生成多个随机数组，将多个随机数组中的每一个随机数组分别在写错误检测区域地址对应的第一存储阵列中执行一次读写操作，得到第一存储阵列的写错误率测量值；生成固定数组，将固定数组写入读错误检测区域地址对应的第二存储阵列中，执行多次读操作，得到第二存储阵列的读错误率测量值；根据写错误率基础值、读错误率基础值、写错误率测量值和读错误率测量值，判断第一存储阵列和第二存储阵列所属的第一存储阵列分区当前的温度范围。

公开(公告)号：CN112581995A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN202011497059.8

申请日：2020-12-17

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 ,  北京航空航天大学

发明人： 王于波 ,  赵东艳 ,  邵瑾 ,  陈燕宁 ,  曹凯华 ,  付振 ,  潘成 ,  刘芳 ,  袁远东

IPC分类号： G11C11/16

摘要： 本发明提供一种磁性存储介质的数据处理方法、系统及装置，属于芯片技术领域。所述方法包括：获取磁性存储介质的设定位置处的磁感应强度；在确定所述磁感应强度小于等于配置的磁感应强度阈值时，保持所述磁性存储介质的工作状态；在确定所述磁感应强度大于所述磁感应强度阈值时，备份所述磁性存储介质中的存储数据至备用存储介质，其中，所述备用存储介质的磁场屏蔽值大于所述磁性存储介质的磁场屏蔽值。本发明可用于智能电表中磁性存储介质的数据防护。

公开(公告)号：CN216449667U

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202122636880.X

申请日：2021-10-29

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司

发明人： 符荣杰 ,  陈燕宁 ,  钟明琛 ,  宋彦斌 ,  张东 ,  付振 ,  赵扬

IPC分类号： G01R31/00 ,  G01R31/28 ,  G01R1/28

摘要： 本实用新型实施例提供一种浪涌测试设备，属于浪涌测试技术领域。所述浪涌测试设备包括：第一脉冲发生电路，用于输出第一测试脉冲；第二脉冲发生电路，用于输出第二测试脉冲；第三脉冲发生电路，用于输出第三测试脉冲；所述第一测试脉冲、所述第二测试脉冲和所述第三测试脉冲分别用于不同波形和峰值电压需求场景下的浪涌测试；所述第一脉冲发生电路、所述第二脉冲发生电路和所述第三脉冲发生电路接入同一个用于脉冲发生电路选通的输出切换模块。本实用新型方案实现了一台设配满足多种标准要求的浪涌测试需求。