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公开(公告)号：CN111285362A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201811486144.7
申请日：2018-12-06
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: C01B32/194
Abstract: 一种石墨烯胶膜的制备方法，其包括以下步骤：在一生长基底上生长一石墨烯，该生长基底的材料为铜；在所述石墨烯远离生长基底的表面涂覆一胶粘剂层；以及利用一腐蚀液将所述生长基底去除，所述腐蚀液为双氧水、盐酸和去离子水的混合液。本发明还涉及一种石墨烯的转移方法。
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公开(公告)号：CN108963003B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201710374694.9
申请日：2017-05-24
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/072
Abstract: 一种太阳能电池，其包括一半导体结构，所述半导体结构包括一P型半导体层及一N型半导体层，并定义一第一表面及与第一表面相对的第二表面；一背电极设置于半导体结构的第一表面，该背电极为一碳纳米管；一上电极，该上电极为一透明导电膜，该透明导电膜通过沉积方法形成于所述半导体结构的第二表面，使半导体结构设置于碳纳米管和透明导电膜之间，碳纳米管、半导体结构与透明导电膜相互层叠形成一多层立体结构。
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公开(公告)号：CN108933171B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201710375318.1
申请日：2017-05-24
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/16 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体结构，其包括一半导体层，该半导体层的厚度为1～100纳米，所述半导体层包括一第一表面及与第一表面相对的第二表面；一碳纳米管，该碳纳米管设置于半导体层的第一表面；一导电膜，该导电膜通过沉积方法形成于所述半导体层的第二表面，使半导体层设置于碳纳米管和导电膜之间，碳纳米管、半导体层与导电膜相互层叠形成一多层立体结构。本发明进一步提供一种采用所述半导体结构的半导体器件。
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公开(公告)号：CN111128637A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201811298852.8
申请日：2018-11-01
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/02
Abstract: 本发明提供一种场发射体的制备方法，包括提供一位于一基体上的碳纳米管阵列以及一阴极基底，该碳纳米管阵列中的碳纳米管包括与基体接触的根部以及与相对远离基体的顶部，该阴极基底包括一基底主体及一形成在该基底主体上的粘结剂层；将所述碳纳米管阵列压制成一碳纳米管纸；将所述阴极基底放置在所述碳纳米管纸上；剥离所述阴极基底，使所述碳纳米管纸中的至少部分碳纳米管与所述基体分离并竖直粘结在所述粘结剂层上；以及固化该粘结剂层。
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公开(公告)号：CN109004041B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201710416290.1
申请日：2017-06-06
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池，其包括：一背电极、一硅片衬底、一掺杂硅层、一上电极以及至少一电极引线。所述硅片衬底具有相对的第一表面和第二表面，所述背电极设置在所述硅片衬底的第二表面，并与所述硅片衬底欧姆接触；所述掺杂硅层形成于所述硅片衬底的第一表面；所述上电极为设置在掺杂硅层表面的多个多尺度的三维纳米结构；所述电极引线设置在所述上电极远离掺杂硅层的表面，并且电极引线的延伸方向与三维纳米结构的延伸方向交叉设置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107464880B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201610384814.9
申请日：2016-06-02
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01L51/40
Abstract: 本发明提供一种有机薄膜晶体管的制备方法，包括在绝缘基底上制备有机半导体层、源极、漏极、栅极及绝缘层的步骤，该制备有机半导体层的步骤包括：提供一蒸发源，该蒸发源包括碳纳米管膜结构及有机半导体层源材料，该碳纳米管膜结构为一载体，该有机半导体层源材料设置在该碳纳米管膜结构表面，通过该碳纳米管膜结构承载，该有机半导体层源材料为该有机半导体层的材料或者用于形成该有机半导体层的前驱体，该前驱体在蒸镀的过程中反应生成该有机半导体层；以及将该蒸发源与绝缘基底相对且间隔设置，并向该碳纳米管膜结构输入电磁波信号或电信号，使该有机半导体层源材料蒸发，在该绝缘基底上蒸镀形成有机半导体层。本发明还提供一种有机薄膜晶体管的制备装置。
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公开(公告)号：CN108963078B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201710347907.9
申请日：2017-05-17
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种光电转换装置，其包括一光电转换模组，其中，该光电转换模组包括一碳纳米管结构及一覆盖结构，该碳纳米管结构包括至少一根碳纳米管，该碳纳米管包括一半导体性碳纳米管片段以及分别与该半导体性碳纳米管片段的两端连接的两个金属性碳纳米管片段，该覆盖结构遮盖于半导体性碳纳米管片段的部分区域，该部分区域即为遮盖区域。
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公开(公告)号：CN108946700B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201710349116.X
申请日：2017-05-17
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: C01B32/162 , C01B32/168 , B82Y40/00 , B82B3/00
Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管的制备方法，包括以下步骤：提供一基底，在所述基底的表面沉积一催化剂层；将所述基底设置于一反应炉内，加热使反应炉内温度达到一预定温度，向反应炉内通入一碳源气体及一保护气体，以在该基底上生长第一碳纳米管片段结构，所述第一碳纳米管片段结构包括多根金属性碳纳米管片段；对生长的第一碳纳米管片段结构施加一电场，该电场方向为给催化剂层充正电荷的方向；以及反转电场方向，从该金属性碳纳米管片段生长出半导体性碳纳米管片段。
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公开(公告)号：CN107452897B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201610375843.9
申请日：2016-05-31
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种有机薄膜太阳能电池的制备方法和制备装置，该制备方法包括：提供一基底，在该基底表面形成第一电极；提供一蒸发源，该蒸发源包括碳纳米管膜结构及光活性层源材料，该碳纳米管膜结构为一载体，该光活性层源材料设置在该碳纳米管膜结构表面，通过该碳纳米管膜结构承载，该光活性层源材料为该光活性层的材料或者用于形成该光活性层的前驱体，该前驱体在蒸镀的过程中反应生成该光活性层；将该蒸发源与基底具有第一电极的表面相对且间隔设置，并向该碳纳米管膜结构输入电磁波信号或电信号，使该光活性层源材料蒸发，在该第一电极上蒸镀形成光活性层；以及在该光活性层上形成第二电极。
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