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公开(公告)号：CN112769033A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011640236.3
申请日：2020-12-31
申请人： 联合微电子中心有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种背向集成激光器件，包括基底、所述基底二氧化硅层内设的波导结构、有源激光器件，有源激光器件通过半导体材料层与基底二氧化硅层键合，有源激光器件上部设有第一金属电极，基底二氧化硅层内设有第二金属电极结构，第二金属电极结构位于波导结构两侧且与波导结构不接触；第二金属电极结构上方全部或部分覆盖有有源层，第二金属电极结构包括互联金属层和电极金属层，电极金属层有至少两部分拼接而成。本发明还涉及一种背向集成激光器的制造方法，包括，对SOI晶圆制造工艺和外延片制造工艺。本发明的一种背向集成激光器的制造方法，降低器件电阻，提高器件效率，降低缺陷复合，提高器件载流子注入效率。
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公开(公告)号：CN111367149B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202010280525.0
申请日：2020-04-10
申请人： 联合微电子中心有限责任公司
摘要： 本发明提供了一种曲线图形光学邻近修正方法，在对导入的原始设计图形进行光学邻近修正后，在进行设计规则检查前，对曲线图形边线进行直角切割处理以形成标准图形边线；所述直角切割处理包括采用多条相互连接的沿水平或垂直方向延伸的边线拟合所述曲线图形边线。本发明通过对硅光器件的曲线图形进行直角切割处理，形成标准图形边线，使版图图形符合常规光掩模版标准，在确保光学邻近修正结果接近原始图形的同时，降低光掩膜版生产成本。
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公开(公告)号：CN112637512A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011463046.9
申请日：2020-12-14
申请人： 联合微电子中心有限责任公司
摘要： 本发明公开了一种全局快门图像传感器、控制方法及摄像装置，其中，该全局快门图像传感器包括：第一晶体管、光电二极管、传输门、阻变存储器阵列和逻辑控制单元；第一晶体管的一端连接电源，另一端连接该光电二极管的负极；光电二极管的正极接地，光电二极管的负极连接该传输门的一端；传输门的另一端连接该阻变存储器阵列的一端和逻辑控制单元；阻变存储器阵列的另一端连接至逻辑控制单元。解决了现有技术中全局快门图像传感器中存储器的存在降低了像素进光面积和图像失真的问题。本发明通过引入阻变存储器阵列代替传统全局快门图像传感器中的存储器，并将其置于光电二极管垂直的方向，因此不会出现灵敏度降低和图像失真的问题。
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公开(公告)号：CN112558222A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011487553.6
申请日：2020-12-16
申请人： 联合微电子中心有限责任公司
摘要： 本公开提供端面耦合器的制造方法。该方法包括：提供绝缘体上半导体衬底，绝缘体上半导体衬底包括第一衬底、第一衬底上的绝缘层以及绝缘层上的半导体层；对半导体层进行图案化以形成第一波导；去除绝缘层和第一衬底的一部分，以形成延伸至第一衬底中的凹槽；形成填充凹槽的第一介质层；在第一介质层和第一波导上形成第二介质层；在第二介质层上形成第二波导，第二波导包括亚波长光栅和传输波导，其中，亚波长光栅用于将从光纤接收的光进行模斑转换，并且将经模斑转换的光传输至传输波导，传输波导的至少一部分在竖直方向上与第一波导的至少一部分对准，从而将在传输波导中传输的光耦合至第一波导中；以及形成覆盖第二波导的第三介质层。
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公开(公告)号：CN112436026A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011410304.7
申请日：2020-12-06
申请人： 联合微电子中心有限责任公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明公开了一种减少背照式图像传感器暗电流的方法，属于半导体技术领域，可应用于图像传感器中。所述减少背照式图像传感器暗电流的方法包括如下步骤：第一步、以晶圆片为基底，在所述晶圆片的第一面生成绝缘层；第二步、在所述绝缘层上生长High‑k材料层，作为所述背照式图像传感器背表面的钝化层；第三步、用紫外线UV照射所述背照式图像传感器背表面的钝化层。本发明提供的减少背照式图像传感器暗电流的方法能够增加High‑k材料的Qtot负电荷量，进一步降低背照式图像传感器的暗电流，从而提高背照式图像传感器的成像效果、改善背照式图像传感器的光电探测性能。
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公开(公告)号：CN112394546A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011269494.5
申请日：2020-11-13
申请人： 联合微电子中心有限责任公司
IPC分类号： G02F1/03
摘要： 本发明提供了一种行波电极调制器集成端接电阻的调控方法及系统，调控方法包括如下步骤：提供制备有多个行波电极调制器的晶圆，多个所述行波电极调制器分布于所述晶圆面内的不同位置；获得所述行波电极调制器在所述晶圆面内不同位置的特征参数；根据所述特征参数确定所述晶圆面内不同位置的行波电极调制器的端接电阻的理想阻值；根据所述理想阻值修调所述端接电阻的阻值。本发明通过收集行波电极调制器在晶圆面内不同位置的特征参数，确定不同位置的端接电阻理想阻值，利用激光处理调控不同位置的端接电阻阻值，可以有效实现阻抗匹配，消除晶圆面内工艺不均匀性的影响，提升器件生产良率。
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公开(公告)号：CN112331685A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011314862.3
申请日：2020-11-20
申请人： 联合微电子中心有限责任公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有逻辑器件；金属互连层，位于所述半导体衬底的表面，所述金属互连层内具有金属互连结构；感光元件层，位于所述金属互连层的表面，包含多个感光元件，不同的感光元件经由所述金属互连结构电连接至不同的逻辑器件；其中，每个感光元件包括堆叠的第一透明电极层、PIN二极管、第二透明电极层。本发明可以不依赖于光电二极管、滤光片、有机光敏薄膜等材料，即可实现光电转换功能且对光生载流子进行收集，有助于降低生产成本，减少工艺复杂度。
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公开(公告)号：CN112202048A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202011073932.0
申请日：2020-10-09
申请人： 联合微电子中心有限责任公司
IPC分类号： H01S5/14 , H01S3/08 , H01S5/0683 , H01S5/0687
摘要： 本发明提供一种外腔激光器、制备方法及波长调谐方法，外腔激光器包括：增益芯片、模式变换器、调相器、平衡式马曾干涉器、滤波模块、波长监测模块以及控制电路。本发明基于铌酸锂薄膜得到可通过电压快速调谐的激光器外腔，实现高速波长切换，基于系统设计，采用AWG做波长监控模块。通过调节微环，可方便地使信号自动调节到波长监控模块中的任一指定通道，波长监控模块反馈信号作用到激光器调相器和两个微环电极，补偿各种因素导致激光器漂移，实现精密的波长闭环锁定功能。总之该方案不仅可以高速在指定波长之间切换，又可以在完成切换后对波长进行闭环锁定。进一步的，可以实现一个波长监控模块检测和锁定多个激光器。
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公开(公告)号：CN112162366A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202010905540.X
申请日：2020-09-01
申请人： 联合微电子中心有限责任公司
摘要： 一种光纤与波导芯片的端面耦合装置，包括：楔角反射棱镜，所述楔角反射棱镜的侧面的至少一部分与所述波导芯片的光收发端面光耦合；反射棱镜，所述反射棱镜的侧面与所述光纤的光收发端面光耦合；所述楔角反射棱镜以及所述反射棱镜中的一个的正面具有第一球透镜阵列结构，从所述波导芯片发射或接收的光线经由所述第一球透镜阵列结构耦合输出，从所述第一球透镜阵列结构输入的光线经由所述反射棱镜的侧面耦合至所述光纤。本发明可以实现小模斑尺寸的波导芯片与大模斑尺寸的光纤之间的端面耦合，并且有效地扩大耦合容差，提高耦合效率。
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公开(公告)号：CN112130352A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202011039770.9
申请日：2020-09-28
申请人： 联合微电子中心有限责任公司
摘要： 本申请提供一种光开关，包括第一无源波导结构、第二无源波导结构和有源波导结构，有源波导结构设于第一无源波导结构和第二无源波导结构之间；第一无源波导结构和第二无源波导结构均采用氮化硅材料制备形成，有源波导结构采用铌酸锂薄膜材料制备形成；本申请提出的光开关将氮化硅的较低传输损耗的优势与铌酸锂薄膜的优异的电光特性的优势结合，使得两种材料混合集成的光开关具有低损耗、快开关速度与低功耗等优势。
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