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公开(公告)号：CN112229510A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011101934.6
申请日：2020-10-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种单光子探测器及制备方法，包括：衬底及形成于所述衬底上的超导线，所述超导线包括多个直线部及连接直线部的拐角部；其中，所述超导线的拐角部的厚度大于直线部的厚度。本发明的单光子探测器及制备方法将超导线拐角部的厚度加厚(大于直线部厚度)，从而提升拐角区域的临界电流。尽管超导线拐角部仍然存在“电流拥挤效应”，但因为拐角区域整体的临界电流提升至高于直线部的临界电流水平，拐角区域不再是限制整体超导线临界电流的瓶颈，从而达到抑制拐角区域“电流拥挤效应”所带来的不良影响的目的。
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公开(公告)号：CN111584707A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010277519.X
申请日：2020-04-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于SNSPD器件纳米线结构的双层胶剥离方法，采用ZEP-520A电子束抗蚀剂作为双层胶的底层胶，AR-P 6200型电子束抗蚀剂作为双层胶的顶层胶。本发明采用的两种抗蚀剂均可在邻二甲苯中显影，且去胶过程可于相同步骤中同时进行，工艺更为简单，通过与多种溶剂配合实现曲折纳米线结构的溶胶剥离；同时，利用两种抗蚀剂中心剂量的差距实现底切结构，具有流程简单、重复性好等优点。
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公开(公告)号：CN111443442A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010192524.0
申请日：2020-03-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种SNSPD阵列与光波导阵列的耦合装置及方法，该耦合装置包括金属底座、硅衬底层、DBR介质层和上表面刻蚀有SNSPD阵列的氮化铌层，光波导阵列和固定座，其中，单元光波导与单元SNSPD一一对应，固定座的一端与光波导阵列的侧表面连接另一端与金属底座的上表面连接。本申请相较于传统的单个SNSPD器件与单根光纤耦合的方法，本申请具有提高SNSPD集成度、拓展器件规模等优点，并且还有助于提高工作效率和实现SNSPD大批量生产，此外，相较于片上集成斜入射耦合或射倏逝波耦合方法，采用分离式垂直耦合的方法将SNSPD阵列与光波导阵列直接耦合，能够有效减少光路损耗，提高光耦合效率。
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公开(公告)号：CN111220854A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201911122728.0
申请日：2019-11-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十九研究所 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提出了一种基于二阶相干性测量的单微波量子检验装置，采用微波量子源、单微波量子放大器、微波功分器，然后经两路微波/光学上转换装置、光学滤波、延迟、单光子探测器和同时对两路信号进行量子处理的量子处理器等装置，对微波量子的二阶相干性进行测量，进而能够实现对单微波量子探测器特性的检验以及对微波量子源特性的检验。本发明在微波单量子源后直接进行微波功分，分两路进行微波光学上转换，光学滤波等处理。本发明所使用的全部电学、光学器件与设备均可以在室温条件下工作，对于开展微波量子计量、自由空间微波量子探测研究具有重要意义。
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公开(公告)号：CN110726484A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201911088568.2
申请日：2019-11-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明提供一种背面光耦合超导纳米线单光子探测器件、制备及测试装置，背面光耦合超导纳米线单光子探测器件包括器件光敏区域及定位环。测试装置包括封装件及套管，背面光耦合超导纳米线单光子探测器件固定于封装件中，并通过套管与封装件及光纤插头的连接，使得光纤插头的中心与背面光耦合超导纳米线单光子探测器件的中心位于同一垂线上。本发明制备具有特殊形貌的背面光耦合超导纳米线单光子探测器件并与测试装置配合应用，实现高稳定性的自对准光耦合；且利用μm级的标记刻度尺，结合光学显微镜可以直接量化对光误差，使得对光误差控制在μm量级。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110631717A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910877513.3
申请日：2019-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明提供一种基于辅助曝光结构的超导纳米线单光子探测器光对准方法，包括：超导纳米线单光子探测器；若干个辅助曝光纳米线结构，位于超导纳米线单光子探测器外围，且贴置于超导纳米线单光子探测器的光敏面外边缘；辅助曝光纳米线结构用于入射光与超导纳米线单光子探测器的光敏面的光对准。传统的纳米线辅助曝光结构有助于加工得到线宽较均匀的纳米线，但其不构成单光子探测器件。本发明把中心区域周围的辅助曝光结构加以利用，设计成多个单光子探测器，可以通过外围探测器的光计数反馈定位光斑的位置，从而进行光斑与中心区域的对准。
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公开(公告)号：CN108362389B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201810107671.6
申请日：2018-02-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国科学院大学
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明提供一种提高超导纳米线单光子探测器计数率的方法及系统，方法包括如下步骤：于所述超导纳米线单光子探测器的输出端串联一电衰减器；其中，所述电衰减器包括输入端及输出端，所述电衰减器的输入端与所述超导纳米线单光子探测器的输出端相连接。本发明通过在超导纳米线单光子探测器的输出端串联电衰减器，由于电衰减器的构型是一个电阻网络，即可以充当串联电阻，同时也可以降低超导纳米线单光子探测器响应脉冲幅度，可以弱化超导纳米线单光子探测器与放大器之间的耦合，降低过冲、反射及电压偏移对超导纳米线单光子探测器的影响，从而改善所述超导纳米线单光子探测器的计数率，并使得所述超导纳米线单光子探测器具有较高的探测效率。
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公开(公告)号：CN108735851B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201710257382.X
申请日：2017-04-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种可降低恢复时间的超导纳米线单光子探测器件及制作方法，所述可降低恢复时间的超导纳米线单光子探测器件包括：超导纳米线；石墨烯结构，所述石墨烯结构结合于所述超导纳米线的底部。本发明通过在超导纳米线单光子探测器件中集成石墨烯结构，由于石墨烯具有高热导率和超快的载流子弛豫过程，克服了以往超导材料能量弛豫能力不足的难题，加速超导纳米线单光子探测器件能量弛豫过程，从而降低了超导纳米线单光子探测器件的恢复时间。
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公开(公告)号：CN110350077A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201810289843.6
申请日：2018-04-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种大偏振消光比微纳光纤耦合超导纳米线单光子探测器，包括：衬底；超导纳米线，位于所述衬底的表面；微纳光纤，位于所述衬底上，且横跨所述超导纳米线；光学胶，位于所述衬底上，且固化包覆于所述超导纳米线及所述微纳光纤的外围；所述光学胶具有预设折射率范围，以使得所述微纳光纤内的入射光中TM模式的入射光被截止，而TE模式的入射光被允许通过。本发明的探测器对TE模式的入射光的吸收率远大于TM模式，因此对TE模式入射光的探测效率也会远大于TM模式，从而使其具有较大的偏振消光比；此外，本发明的探测器无需光栅滤光，结构简单、制备工艺简洁、入射光损耗小及探测效率高等优点。
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公开(公告)号：CN110346040A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201810288158.1
申请日：2018-04-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种宽谱微纳光纤耦合超导纳米线单光子探测器及其制备方法，包括：衬底；超导纳米线，位于衬底的表面；超导纳米线包括若干个平行间隔排布的直线部及位于相邻直线部之间以将各直线部依次首尾连接成曲折蜿蜒状的连接部；直线部的长度介于100μm~200μm；微纳光纤，位于衬底上，且横跨超导纳米线；光学胶，位于衬底上，且固化包覆于超导纳米线及所述微纳光纤的外围；光学胶具有预设折射率范围，以防止微纳光纤中的入射光泄露至光学胶及衬底。本发明的宽谱微纳光纤耦合超导纳米线单光子探测器可以实现对从可见光到近红外光较大范围波长的光均具有较高光吸收率，具有探测波长范围广、探测效率高及结构简单等优点。
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