公开(公告)号：CN109449084A

公开(公告)日：2019-03-08

申请号：CN201811136919.8

申请日：2018-09-27

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 武伟 ,  李现兵 ,  韩荣刚 ,  吴军民 ,  张喆 ,  张朋 ,  林仲康 ,  唐新灵 ,  石浩 ,  王亮

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/78

摘要： 本发明公开了一种功率芯片的划片方法及半导体器件，其中，该划片方法包括如下步骤：在晶圆正面的划片道位置上形成划片槽，划片槽露出晶圆背面的金属层；在划片槽内填充塑封材料；采用刀片切割方式对晶圆进行切割，得到若干个独立的芯片。该功率芯片的划片方法，先在晶圆的正面制备划片槽，划片槽延伸至晶圆背面的金属层，这样可以大大降低后续采用金刚石砂轮划片进行机械切割的切割强度；之后，在划片槽内填充塑封材料，塑封材料对芯片的侧壁进行了保护，提高了芯片的耐压等级；最后，采用刀片切割晶圆得到若干个独立的功率芯片；解决了现有技术中功率芯片采用机械切割方式进行划片导致在划片后的芯片正反两面边缘处产生崩边的问题。

公开(公告)号：CN109256339A

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201811014024.7

申请日：2018-08-31

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 林仲康 ,  韩荣刚 ,  武伟 ,  王亮 ,  唐新灵 ,  张喆 ,  石浩 ,  李现兵 ,  张朋 ,  田丽纷

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L21/66

摘要： 本发明公开了一种芯片子模组与凸台的匹配方法及压接型IGBT器件的封装方法，其中芯片子模组与凸台的匹配方法，通过将芯片子模组的高度偏差进行分组，然后将分组后的芯片子模组的高度偏差分别与随机生成的待匹配凸台的高度偏差进行叠加，计算待匹配凸台的整体数量匹配偏差值，然后与第二预设阈值进行比较，并对待匹配凸台的差值进行补偿直到整体数量匹配偏差小于第二预设阈值，进而实现芯片子模组与待匹配凸台一一对应的目的。本发明可以实现对批量的芯片子模组与待匹配凸台的快速匹配，即提高了匹配效率，且可以使得整体匹配误差较小，通过该匹配方式有利于压接型IGBT器件的封装，进而保证了压接型IGBT器件具有良好的电气特性。

公开(公告)号：CN108880286A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810931928.X

申请日：2018-08-16

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网辽宁省电力有限公司 ,  华北电力大学

发明人： 张朋 ,  郑重 ,  段赛飞 ,  李现兵

IPC分类号： H02M7/00 ,  H05K7/20

摘要： 本发明属于高压直流阀堆散热技术领域，尤其涉及一种基于芯片与系统统一优化的高压直流阀堆结构设计方法，包括：将芯片模块两两反接形成一个小型整流器模块，两个芯片共用同一个散热片，再将多个小型整流器模块串联形成大的整流器结构。本发明针对整流臂的结构为上下臂反向的特点，结合芯片单向散热的特征，在不影响元件正常工作的前提下，改变常规的连接方式，两个芯片共用同一个散热片，与原来连接方式相比，散热片的数量节省一半，精简元器件结构。

公开(公告)号：CN108562813A

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201810283089.5

申请日：2018-04-02

申请人： 重庆大学 ,  全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 陈显平 ,  李现兵 ,  张朋 ,  叶怀宇 ,  钱靖 ,  张国旗 ,  周强

IPC分类号： G01R31/00 ,  G01R19/00

摘要： 本发明公开了一种SiC Mosfet电性能的测试装置，它包括机械压力设备、温控箱、电压检测器、电流检测器和控制器，所述控制器包括存储器、处理器以及存储在存储器上可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现以下步骤：步骤1、执行机械压力条件下的测试，确认是否退出测试；步骤2、执行温度条件下的测试；确认是否退出测试；步骤3、执行机械压力和温度两个条件下的电压和电流测试，确认是否退出测试；重复上述各步骤，手动控制程序结束。本发明的技术效果是：能测试SiC Mosfet器件在机械压力和温度条件下的电压和电流，构建SiC Mosfet器件上电压、电流与机械压力和温度的变化关系。

公开(公告)号：CN108372302A

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201810013510.0

申请日：2018-01-07

申请人： 北京工业大学 ,  全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 贺定勇 ,  李现兵 ,  张朋 ,  谈震 ,  曾勇 ,  张晓雅 ,  周正 ,  王国红 ,  王曾洁 ,  吴旭

IPC分类号： B22F3/105 ,  B33Y10/00 ,  B22F3/24 ,  C22F1/08

CPC分类号： B22F3/1055 ,  B22F3/24 ,  B22F2003/248 ,  B33Y10/00 ,  C22F1/08

摘要： 一种利用3D打印制备高比强度、高弹性变形点阵结构铜合金的方法，属于金属材料3D打印领域。所述铜合金点阵结构为“金刚石晶胞”、“体心立方-Z”、“面心立方-Z”点阵结构中的一种，是利用三维软件进行设计并通过有限元模拟软件对其力学性能进行分析验证后获得的具有高比强度、高弹性变形的点阵结构。其制备方法是利用3D打印中的激光选区熔化技术通过调整打印工艺参数(激光功率、扫描速率和扫描间距等)成形点阵结构铜合金，并进行退火处理，最终获得具有高比强度、高弹性变形点阵结构铜合金。

公开(公告)号：CN108172519A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201711155095.4

申请日：2017-11-17

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 林仲康 ,  石浩 ,  田丽纷 ,  张喆 ,  李现兵 ,  张朋 ,  武伟 ,  唐新灵 ,  王亮

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/67121 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

摘要： 本发明提供了一种刚性电极压接封装功率半导体器件封装方法、及系统，其中，方法可以包括：叠层组件的层叠方法，所述叠层组件包括按预定层叠顺序层叠的多种部件，其特征在于，所述方法包括：获取各个所述部件的厚度值；根据所述部件的厚度值计算叠层组件的厚度的方差；根据最小方差的层叠方式形成所述叠层组件。可以使组装标准一致，可以尽量减小叠层组件之间的高度差，使得各组件之间承受的压力较为均匀，各组件中的部件之间接触良好。可以有效减低芯片失效率，大幅度提高封装效率和产能。

公开(公告)号：CN108063096A

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201711129294.8

申请日：2017-11-15

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山东省电力公司电力科学研究院 ,  国家电网公司

发明人： 王亮 ,  武伟 ,  林仲康 ,  田丽纷 ,  韩荣刚 ,  唐新灵 ,  石浩 ,  张朋 ,  李现兵 ,  张喆

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L29/739 ,  H01L23/488 ,  H01L23/373

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L23/3736 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L29/7393 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105

摘要： 本发明提供的一种半导体功率器件子模组及其生产方法及压接式IGBT模块，所述半导体功率器件子模组的生产方法包括如下步骤：S1.在钼片的镀银面上沉积AgSn薄膜焊膏；S2.将芯片通过卡具贴装在所述AgSn薄膜焊膏表面，形成待烧结结构。本发明提供的半导体功率器件子模组的生产方法，在钼片上首先沉积AgSn，AgSn具有很强导热能力，可以确保整个子模组的传热能力。

公开(公告)号：CN107731696A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201710822772.7

申请日：2017-09-13

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 武伟 ,  韩荣刚 ,  林仲康 ,  石浩 ,  田丽纷 ,  张喆 ,  李现兵 ,  张朋

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/331 ,  H01L21/67 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/492 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/67253 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/492 ,  H01L24/83 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/7393 ,  H01L2224/8384

摘要： 本发明提供了一种功率芯片封装方法和结构，所述方法包括：将第一金属垫片、功率芯片和第二金属垫片放置在塑封模具内；将塑封材料升温化为液态；加压使液态塑封材料注入所述塑封模具；将所述态塑封材料在所述塑封模具中固化，形成塑封外壳后退掉所述塑封模具，得到塑封好的功率芯片子模组。该方案通过将第一金属垫片、功率芯片和第二金属垫片在塑封模具中进行塑封，简化了装配工序、降低了人为装配的误差，减少了各个零部件之间的接触热阻，并且提高了子模组装配过程中的均一性，有效保证了大规模芯片并联对误差精度的要求，提高了器件的可靠性。省去了传统的银片和绝缘框架，减少了生产工序，大幅提高了生产效率并且降低了器件的生产成本。

公开(公告)号：CN111540718B

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202010384365.4

申请日：2020-05-07

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 王亮 ,  吴军民 ,  张喆 ,  唐新灵 ,  张朋 ,  李现兵 ,  周扬

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/473 ,  H01L23/498 ,  H01L21/60

摘要： 本发明公开了一种碳化硅器件的封装结构，包括：驱动基板；碳化硅芯片，其烧结连接于驱动基板的正面，碳化硅芯片的栅极烧结引出有栅极弹性金属探针，源极烧结引出有源极金属柱；DBC基板组件，具有与栅极弹性金属探针位置对应的第一覆铜层和与源极金属柱位置对应的第二覆铜层；弹性组件，位于DBC基板组件背向驱动基板的一侧，在封装过程中，其弹性力驱使DBC基板组件靠近驱动基板以使第一覆铜层与栅极弹性金属探针、及第二覆铜层与源极金属柱压接相连。这种碳化硅器件的弹性压接封装结构，通过烧结引出的栅极弹性金属探针和DBC基板组件的第一覆铜层实现低电感互联，降低了封装寄生电感，提高了碳化硅器件封装结构的可靠性。

公开(公告)号：CN111524862B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN202010366300.7

申请日：2020-04-30

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 王亮 ,  石浩 ,  吴军民 ,  金锐 ,  张朋 ,  唐新灵 ,  林仲康 ,  周扬

IPC分类号： H01L23/047 ,  H01L21/48 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

摘要： 本发明提供一种芯片封装电极及其制备方法和芯片封装结构。该芯片封装电极，包括：电极板以及在所述电极板上层叠设置的第一钼铜合金层、弹性层和第二钼铜合金层，其中，所述第一钼铜合金层和第二钼铜合金层中钼的质量百分比沿背离所述电极板的方向上均逐渐增大，所述弹性层由铜和弹性体形成的复合材料制成。第一钼铜合金层和第二钼铜合金层中，铜保证该电极具有优良的导电性能，由于钼的热膨胀系数与芯片更匹配，从而降低了热膨胀系数不匹配对电极或芯片所造成的损害；弹性层中，铜保证了电极的导电性能，弹性体的添加增加了电极的弹性，进一步降低了对芯片的机械损伤风险。上述封装电极结构紧凑，电极与芯片距离适宜，保证了芯片的良好散热。