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公开(公告)号：CN105826912A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610273931.8
申请日：2016-04-28
Applicant: 中国电力科学研究院 , 国家电网公司 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H02J1/00
CPC classification number: H02J1/00
Abstract: 本发明提供一种特高压直流系统中非故障极直流电压下降的抑制方法，用于在发生故障后的特高压直流线路重启时，对其造成的非故障极直流电压下降状态进行抑制；实时监测特高压直流输电系统是否发生直流线路故障；若发生直流线路故障，则采用经调制的电流参考值对直流线路故障进行控制调节；若未发生直流线路故障，则采用未经调制的电流参考值对特高压直流输电系统进行控制调节。本发明提出的方法，有效实现了对非故障极直流电压的变化的抑制，同时提升了直流输电系统输送功率的稳定性，进而提高了特高压直流输电系统的运行稳定性及可靠性。
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公开(公告)号：CN103762581B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410031085.X
申请日：2014-01-23
IPC: H02J1/00
Abstract: 本发明提供了一种同塔双回直流输电系统周期性换相失败的防御方法，该方法包括以下步骤：I、逆变站根据网侧三相交流电压瞬时值确定电压幅值下降速度；II、运用正余弦分量检测法和零序电压法判别网侧电压的变化；III、运用关断角逻辑法确定关断角增加值和关断角返回时间常数，通过关断角控制器减小触发角；IV、整流站在换相失败故障恢复过程中投入瞬时电流控制。该方法可以有效防止直流输电系统发生周期性换相失败，避免发生直流闭锁事故。
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公开(公告)号：CN103454457B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201310279970.5
申请日：2013-07-04
Abstract: 本发明提供一种用于高压线路人工短路试验的气动发射装置，包括后盖、控制箱、电磁阀、炮筒、第一球阀、储气罐、第二球阀、压力表、第三球阀、方型支架和腹板；后盖和控制箱均固定在腹板上，电磁阀底部固定在后盖上，其侧壁设有通孔，第一球阀一端通过连接管与通孔连接，其另一端连接储气罐，第二球阀和第三球阀均设置于储气罐另一侧，第二球阀和第三球阀另一侧分别连接压力表和充气装置；电磁阀的顶部设有炮筒，方型支架支撑所述炮筒。采用本发明的气动发射装置模拟短路故障，实现在线路任何位置完成试验，受天气因素影响小，通过调节压缩空气的气压调节发射高度，可满足不同电压等级的试验需求。发射装置尺寸、质量均较小，方便设备使用和运输。
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公开(公告)号：CN104734205A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510142769.1
申请日：2015-03-27
Applicant: 国家电网公司 , 中国电力科学研究院 , 国网北京经济技术研究院
IPC: H02J5/00
Abstract: 本发明公开了一种基于DC/AC变换器的直流变压控制器，所述直流变压控制器由两个DC/AC变换器构成，其中一个为配合站，另外一个为变压站，所述配合站的直流端和交流端分别与所述变压站的直流端和交流端相连，所述交流端接至交流系统。本发明所提出的直流变压控制器适用于高压大容量直流电网或者多端直流系统的直流电压变换和潮流控制，依托现已成熟的高压直流输电技术，引入交流系统，通过电力电子器件构建整流或者逆变器的方式实现直流电网电压变换，并且该发明突破了传统概念变压器无法控制功率潮流的特点，实现了潮流完全可控的直流变压控制器。
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公开(公告)号：CN104167725A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410407157.6
申请日：2014-08-18
Abstract: 本发明提供一种适用于高压大容量直流电网的DC/DC变压器，包括第一交流电源、第二交流电源、第一交流电压转换模块、第二交流电压转换模块、高压阀组单元、低压阀组单元、第一平波电抗器和第二平波电抗器；第一交流电源和第二交流电源分别通过第一交流电压转换模块和第二交流电压转换模块连接到高压阀组单元和低压阀组单元，高压阀组单元和低压阀组单元串联，所述高压阀组的高压端和低压阀组的低压端分别通过第一平波电抗器和第二平坡电抗器连接高压直流电网和接地极线路。本发明提供本发明提供一种适用于高压大容量直流电网的DC/DC变压器，采用双阀组结构，可以应用于未来直流电网和多电压等级多端直流系统的直流电压变换需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103269083A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310140878.0
申请日：2013-04-22
Inventor： 雷霄 , 王华伟 , 李新年 , 孙栩 , 谢国平 , 王明新 , 刘耀 , 吴娅妮 , 杨鹏 , 王薇薇 , 胡涛 , 王晶芳 , 王亮 , 董鹏 , 朱艺颖 , 刘翀 , 陈凌芳 , 庞广恒 , 张晋华 , 杨万开 , 蒋卫平
IPC: H02J3/36
CPC classification number: Y02E60/60
Abstract: 本发明涉及一种多端高压直流输电系统，所述系统包括特高压整流站和特高压逆变站，其特征在于，所述系统为用于高压大容量远距离输电和向弱交流系统或无源系统负荷中心供电的电网换相换流器LCC与电压源换流器VSC构成的六端串并联混合型单极直流输电系统。通过LCC-VSC串联支路整体并联接入到LCC并联多端系统的形式，完成了对VSC换流站的均压和分流，在实现高压大容量远距离送电的同时，VSC换流站又能向弱系统或无源系统送电，从而能将两种换流器的优势综合利用，既能给电力需求高的大型工业中心、人口密集城市供电，而VSC换流站的接入，又能实现向弱交流系统或者孤岛等无源系统送电。
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公开(公告)号：CN107834478B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201711138792.9
申请日：2017-11-16
Applicant: 国网安徽省电力公司滁州供电公司 , 国家电网公司
Abstract: 本发明公开了一种用于高压电塔的固线架，包括底架以及安装在所述底架上的线架，所述线架和/或所述底架上设有防冻固线机构，所述防冻固线机构包括用于限制导线位移的限位件以及靠近所述限位件的加热件。本发明通过设置加热件与限位件配合使用，这样，在冰雪等严寒天气下，当限位件与高压电线之间凝结冰块时，可启动加热件将限位件附近凝结的冰块熔化，从而保证高压导线能够有一个正常的工作环境，避免导线受损，安全性能极佳。
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公开(公告)号：CN106772855B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201611232381.1
申请日：2016-12-28
Applicant: 国网浙江省电力公司湖州供电公司 , 国家电网公司
IPC: G02B6/44
Abstract: 本发明公开了一种用于防止动物破坏的ADSS光缆线路保护装置，属于电力系统的光缆技术领域，包括定位机构及保护机构，定位机构设于ADSS光缆线路上，保护机构设于定位机构上；所述定位机构包括围设于ADSS光缆线路周向的定位套，保护机构包括设于定位套上的挡板。本发明提供的用于防止动物破坏的ADSS光缆线路保护装置，包括定位机构及保护机构，整体结构简单、设计合理。保护机构的挡板通过定位机构的定位套装设于ADSS光缆线路上，老鼠、松鼠等小动物无法越过挡板，有效避免动物攀爬至ADSS光缆线路上，从而防止山林间的动物撕咬、破坏ADSS光缆线路，实现保护ADSS光缆线路的技术目的。
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公开(公告)号：CN106611958B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201510698028.1
申请日：2015-10-23
Inventor： 杨万开 , 印永华 , 班连庚 , 曾南超 , 王华伟 , 李新年 , 谢国平 , 刘耀 , 孙栩 , 杨鹏 , 雷霄 , 王亮 , 庞广恒 , 林少伯 , 王明新 , 蒋卫平 , 张晋华 , 陈凌芳 , 周逸夫
IPC: H02J3/36
CPC classification number: Y02E60/60
Abstract: 本发明涉及一种±1100kV特高压直流输电工程高低端换流器分层接入500kV/1000kV交流电网系统及其调试方法，系统包括两端换流站和直流输电线路，针对±1000kV特高压直流输电工程系统的调试方法包括：(一)±1100kV特高压直流输电工程多馈入系统计算分析；(二)编制±1100kV特高压直流输电工程分层接入系统调试方案。本发明的特点表现在以下两个方面：(1)1100kV电压是目前最高的直流电压等级，高低端换流器分层接入交流系统试验方案要根据直流多馈入系统和设备性能，减少试验过程中对设备的冲击；(2)高低端换流器首次采用分层接入500kV/1000kV交流电网，该部分试验方案也是首次编制。
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公开(公告)号：CN104953793B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201510324638.5
申请日：2015-06-12
Applicant: 中国科学院电工研究所 , 国家电网公司 , 中国电力科学研究院
Abstract: 一种箝位子模块拓扑，包括第一半桥子单元(10)、第二半桥子单元(11)和特殊连接单元(12)。第一半桥子单元(10)包括第一电容组(C1)，第二电容组(C2)，第一全控型半导体器件(T1)，第二全控型半导体器件(T2)。第二半桥型子单元(11)包括第三电容组(C3)，第四电容组(C4)，第三全控型半导体器件(T3)，第四全控型半导体器件(T4)。特殊连接单元包括第五全控型半导体器件(T0)，二极管(D0)。
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