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公开(公告)号：CN113678092A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201980095290.3
申请日：2019-04-19
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种显示装置，其具备包括下层电极(KE)及多个上层电极(JE1、JE2)的触摸面板层，下层电极由多个透明配线(wk)构成，上层电极由多个上层配线(wj)构成，多个上层电极分别隔着绝缘膜(38)与下层电极重叠，透明配线(wk)的线宽比上层配线(wj)的线宽大。
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公开(公告)号：CN113661577A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN201980095132.8
申请日：2019-04-09
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L27/32 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/10
Abstract: 在显示装置中，包括与多个像素对应的像素电路，在基板(2)上依次层叠有半导体层(5)、栅极绝缘膜(6)、栅极(7)、第一层间绝缘膜(8)、电容电极(9)以及第二层间绝缘膜(10)。像素电路包含驱动晶体管(1)、电容和连接布线(11)。电容电极(9)在俯视时与栅极(7)重叠的位置的一部分设置有第一开口(9a)和第二开口(9b)。第一层间绝缘膜(8)和第二层间绝缘膜(10)具有设置在被第一开口(9a)包围的位置的接触孔(14)和设置在被第二开口(9b)包围的位置的孔(15)。连接布线(11)经由接触孔(14)与栅极(7)连接。孔(15)与半导体层(5)的沟道区域(5a)的一部分在俯视时重叠。
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公开(公告)号：CN113615319A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201980094717.8
申请日：2019-03-29
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 设于树脂基板层(15)上的TFT层(17)具有第一无机绝缘膜(24)、设于第一无机绝缘膜上的第二无机绝缘膜(36)以及设于第二无机绝缘膜上的引出布线(7)，在边框区域(F)的折弯部(B)中，设于TFT层中的狭缝(81)由形成于第一无机绝缘膜第一狭缝(83)和第二狭缝(85)构成，在第二狭缝的内侧沿第一狭缝的宽度方向的两侧设置的段部(91)设有岛状的凸部(93)，引出布线覆盖凸部的周端面，并且具有使凸部的上表面露出的开口(97)。
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公开(公告)号：CN113169231A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201880099988.8
申请日：2018-12-07
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 各像素电路包括：TFT；以及电容器，其包含以TFT的岛状设置的栅极(14a)、在栅极(14a)上设置的第一无机绝缘膜以及在该第一无机绝缘膜上以与栅极(14a)重叠的方式设置的电容电极(16c)，不与半导体层(12a)重叠的部分中沿着栅极(14a)的周端面的周向的至少一部分与基底基板的上表面所成的角度大于在半导体层(12a)中俯视时重叠的部分中栅极(14a)的周端面与基底基板的上表面所成的角度。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN110892469A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201780093231.3
申请日：2017-07-28
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种显示器件，其是具备树脂层(12)、及所述树脂层的上层的TFT层(4)，且在周缘设有弯曲部(CL)的显示器件，其具有与所述TFT层的端子连接、且穿过所述弯曲部的端子配线(TW)，所述端子配线包含：第一配线(WS1)及第二配线(WS2)，位于所述弯曲部的两侧；第三配线(WS3)，穿过所述弯曲部，且分别与所述第一配线及所述第二配线电连接；第四配线(WS4)，配置于与所述第三配线不同的层，且分别与所述第一配线及所述第二配线电连接。
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公开(公告)号：CN108352139A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680062000.1
申请日：2016-11-01
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1345 , G09F9/00
CPC classification number: G02F1/1345 , G09F9/00 , G09F9/30
Abstract: 本发明提供显示基板、显示装置以及显示基板的制造方法。阵列基板(11b)包括：玻璃基板(GS)；多个输入端子部(28)；栅极绝缘膜(16)以及第一层间绝缘膜(19)，其中栅极绝缘膜端部(16a)以及第一层间绝缘膜端部(19a)相对于玻璃基板(GS)的板面成为倾斜状且至少一部分的倾斜角度设为35°以下；第一平坦化膜(20)，其中第一平坦化膜端部(20a)相对于玻璃基板(GS)的板面成为倾斜状且其倾斜角度大于栅极绝缘膜端部(16a)以及第一层间绝缘膜端部(19a)的倾斜角度；以及多个端子布线部(29)，其横跨栅极绝缘膜端部(16a)以及第一层间绝缘膜端部(19a)以及第一平坦化膜端部(20a)并且与多个输入端子部(28)连接。
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公开(公告)号：CN106796959A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580054605.1
申请日：2015-10-01
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , C23C16/42 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L21/363
Abstract: 在包含由氧化物半导体构成的半导体层的半导体装置中，抑制TFT间的特性的参差不齐的产生。在由氧化物半导体构成的半导体层(11)的上层形成钝化膜(17)的半导体装置(100)的制造过程中，以使得半导体层(11)的与钝化膜(17)的界面的纯金属比率(纯金属与半导体层(11)的所有构成成分的比例)高于该半导体层(11)的主体中的纯金属比率的方式，设定钝化膜(17)的成膜条件。
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公开(公告)号：CN105981148A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201580007934.0
申请日：2015-02-02
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L21/318 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/133345 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F2001/134372 , G02F2202/02 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/1262 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 半导体器件(100A)包括：基板(11)；由基板支承且具有氧化物半导体层(16)的TFT(10A)；以覆盖TFT的方式设置的有机绝缘层(24)；设置在有机绝缘层上的下层电极(32)；设置在下层电极上的电介质层(34)；和设置在电介质层上且具有隔着电介质层与下层电极相对的部分的上层电极(36)。电介质层是氢含量为5.33×1021个/cm3以下的硅氮化物膜。
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