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公开(公告)号：CN112099081B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202010868360.9
申请日：2020-08-26
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供一种单、多脉冲地震动识别和提取方法。包括：确定脉冲地震动的速度峰值阈值；选择脉冲模型，并对满足速度阈值的地震动，计算地震动和与不同脉冲周期下脉冲模型之间的卷积；利用卷积最大值，提取可能的脉冲地震动；计算地震动脉冲部分与记录地震动之间的能量比，并与设置的能量阈值进行对比；对满足能量比的地震动，分析地震动脉冲部分与脉冲模型之间的自相关系数，并与设置自相关系数阈值进行对比，对于满足速度阈值，能量阈值和自相关系数阈值的地震动，选择自相关系数最大的脉冲周期对应的脉冲模型作为地震动脉冲进行提取。本发明所述方法适用性强，与常见的单脉冲地震动识别研究相比，本发明可以高效的识别单、多脉冲地震动情况。
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公开(公告)号：CN112071377A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010855344.6
申请日：2020-08-24
Applicant: 武汉大学
IPC: G16C60/00
Abstract: 本发明公开了一种直接生成多峰正态随机场的模拟方法。首先在n维空间中生成随机分布的种子，根据需要峰的数量将空间分成若干子区域，将相互独立且服从正态分布的随机数赋值给对应子区域内的种子，任意一点的随机函数为该点周围一定数量随机数的和。基于正态分布的可加性，目标随机场的边缘分布为正态分布；目标随机场的自相关系数是随两点间距离递减的非负函数。本发明有以下优点：生成随机场的步骤简单易懂，只需生成服从正态分布的随机数并对一定数量的随机数进行求和，计算效率高，对软件要求低。可生成含多个边缘分布的随机场，且各子区域之间可实现自然过渡，对模拟多峰分布有重要意义。
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公开(公告)号：CN111641501A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010341436.2
申请日：2020-04-27
Abstract: 本发明公开了一种去双线性对的属性加密方法，本发明使用密文策略的属性加密体系，所述去双线性对的属性加密方法包括系统初始化、用户密钥生成、数据加密和数据解密这四个核心步骤，以降低双线性对运算对基于属性加密方案的影响。本发明开创性地取消了双线性对在基于属性加密体系中的使用，可以较大程度地提高基于属性加密算法的效率；并且本发明使用了密文策略的属性加密体系，相较密钥策略的属性加密体系而言，更能保障加密方案的灵活性和动态性。
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公开(公告)号：CN111400666A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010201612.2
申请日：2020-03-20
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提出了一种基于线性插值法生成条件随机场的模拟方法。本发明建立二维参数坐标系，在坐标系的一定范围内设置多个坐标点，将坐标点对应的随机变量通过谱分解法进行表示，以构建随机变量在空间上的无条件随机场；通过实际勘测得到多个已知点，将无条件随机场中已知点位置处的数据值替换为真实勘测值，以已知点为中心，将处于已知点影响范围内的坐标点作为待插值点，将其数据值清零；根据同侧判断原则及距离最小原则，在处于已知点影响范围外的坐标点中寻找待插值点对应的插值点；通过已知点、插值点计算待插值点的随机变量值；重复执行前述步骤以构建条件随机场。本发明能更真实地反映材料的空间变异性，可应用于岩土工程的各个领域。
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公开(公告)号：CN111339708A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010223113.3
申请日：2020-03-26
Applicant: 武汉大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/13 , G06F30/10 , G06F111/10
Abstract: 本发明属于岩土工程技术领域，公开了基于有限元的桩位偏差不确定性对防渗效果影响评估方法，包括获取工况对应的模型基本信息；构建数值模拟模型，利用随机算法随机生成数值模拟模型中每个桩对应的桩位偏差量；针对数值模拟模型进行有限元网格划分；基于达西定律，对模拟区域施加边界条件；在给定的边界条件下，对数值模拟模型进行有限元求解计算，获得通过模拟区域的渗流量。本发明可定量求解桩位偏差不确定性对防渗效果的影响，对岩土工程中的止水质量事故的预防以及补救具有借鉴意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111324983A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010223606.7
申请日：2020-03-26
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明属于岩土工程技术领域，公开了基于有限元的桩直径不确定性对防渗效果影响的评估方法,包括获取工况对应的模型基本信息,构建数值模拟模型,针对数值模拟模型进行网格剖分,对数值模拟模型施加边界条件,对数值模拟模型进行有限元求解计算，获得通过模拟区域的渗流量，根据渗流量得到第一评估信息。本发明可定量求解桩直径不确定性对防渗效果的影响，对岩土工程的止水质量事故的预防以及补救具有借鉴意义。
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公开(公告)号：CN108663740B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201810575094.3
申请日：2018-06-06
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了基于电介质纳米砖超材料的线偏振光起偏器及制备方法，包括一基底和三透射式纳米砖阵列；基底的一侧面设有第一透射式纳米砖阵列，与该一侧面相对的另一侧面设有第二透射式纳米砖阵列和第三透射式纳米砖阵列；第一透射式纳米砖阵列和第二透射式纳米砖阵列均由若干纳米砖阵列单元在基底上按阵列形式排列构成；纳米砖阵列单元又由基底上等间距排列成一行的方位角为零、但尺寸不一的若干电介质纳米砖构成；第三透射式纳米砖阵列由若干方位角为45°且尺寸一致的电介质纳米砖按阵列形式排列构成。本发明可将一束随机偏振态入射光，高效地转换为振动方向相同且传播方向不变的两束线偏光；同时，本发明还具有低损耗、制造简单等优点。
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公开(公告)号：CN107664780B
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201710942306.2
申请日：2017-10-11
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种电介质纳米砖阵列结构及其用作高反膜和高透膜的应用，所述电介质纳米砖阵列结构，包括衬底和衬底上的电介质纳米砖阵列；其中，电介质纳米砖阵列由电介质纳米砖周期性排列构成；电介质纳米砖为正四棱柱形，其底面为正方形，且其长宽高均为亚波长尺寸。将该电介质纳米砖阵列结构用作高反膜时，优化电介质纳米砖阵列结构的结构参数，使得工作波长下s波和p波入射时均能产生Mie谐振；将该电介质纳米砖阵列结构用作高透膜时，优化电介质纳米砖阵列结构的结构参数，使得混合层的等效折射率介于混合层周围介质的折射率和衬底折射率之间。本发明基于电介质纳米砖阵列结构的高反膜和高透膜在整个通信波段内均具有较高的工作效率。
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公开(公告)号：CN107884865B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201711185924.3
申请日：2017-11-23
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了基于硅纳米砖超材料的圆偏振起偏器及制备方法，该圆偏振起偏器包括一基底、三反射式纳米砖阵列和一透射式纳米砖阵列；基底的一侧面的上部和下部分别有一反射式纳米砖阵列，与该一侧面相对的另一侧面的上部和中部分别有一透射式纳米砖阵列和一反射式纳米砖阵列；反射式纳米砖阵列由在基底上周期性排列的反射式纳米砖阵列单元构成；反射式纳米砖阵列单元由在基底上等间距排列成一行的若干方向角不同的电介质纳米砖构成；透射式纳米砖阵列由在基底上排列成阵列的电介质纳米砖构成。本发明可将一束随机偏振态的入射光，高效转换为两束旋向相同且传播方向不变的圆偏光；同时，本发明还具有低损耗、易制造、结构紧凑、宽带适用等优点。
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公开(公告)号：CN108490509A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810307417.0
申请日：2018-04-08
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开的低深宽比的电介质几何相位超表面结构材料及其结构优化方法，所述的电介质几何相位超表面结构材料包括基底、基底上的反射层、反射层上的多光束干涉层、以及若干尺寸一致的电介质纳米砖呈周期性排布于多光束干涉层上所构成的电介质纳米砖阵列；所述的电介质纳米砖阵列用来接收垂直入射的圆偏振光，并通过调节各电介质纳米砖的方向来调节出射光的位相。本发明电介质几何相位超表面结构材料的深宽比降至传统的透射式超表面材料的一半，约1.7，从而可减轻对加工工艺的要求，使器件的成品率和量产得到保障。
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