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公开(公告)号：CN1615518A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN03802122.6
申请日：2003-01-10
申请人： 富士通株式会社
IPC分类号： G11B11/105
CPC分类号： G11B20/1403 , G11B7/005 , G11B7/0079 , G11B7/126 , G11B7/1263 , G11B7/24085 , G11B11/1051 , G11B11/10515 , G11B11/10543 , G11B11/10554 , G11B11/10584 , G11B11/10597 , G11B20/10 , G11B2007/0013 , G11B2020/1259
摘要： 一种记录装置，对于通过相位凹坑记录ROM信息、在上述相位凹坑的记录区域上重叠记录RAM信息的光信息记录介质，可以进行记录或者再现，具有能进行以下控制的主控制器：检测从光信息记录介质反射的激光的反射光，当在生成与ROM信息和RAM信息对应的信号的记录信息检测系统的输出中，同时具有与ROM信息和RAM信息对应的ROM信号和RAM信号时，利用上述记录信息检测系统的输出中的ROM信号，对半导体激光器的发光进行负反馈控制，并且通过实施控制，从检测上述激光强度的光强度检测系统的输出中获得所读取再现的ROM信号。
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公开(公告)号：CN1615517A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN03802095.5
申请日：2003-01-10
申请人： 富士通株式会社
IPC分类号： G11B11/105
CPC分类号： G11B11/10584 , G11B7/0052 , G11B7/00718 , G11B7/0079 , G11B7/126 , G11B7/24038 , G11B7/24085 , G11B11/10528 , G11B11/10543 , G11B11/10578 , G11B11/10597 , G11B20/0021 , G11B20/1217 , G11B20/1426 , G11B2007/0013 , G11B2020/1242 , G11B2020/1248 , G11B2020/1274 , G11B2020/1461
摘要： 一种光信息记录介质。在同时读出ROM－RAM信息时，可以稳定地再现RAM信息。上述光信息记录介质具有：包括形成作为ROM信号的相位凹坑的ROM区域以及形成在与上述基板的上述ROM区域对应的区域上的用于记录RAM信号的光磁记录膜，上述ROM区域中的至少用户区域的上述相位凹坑的调制度为10％～37％，上述用户区域的相位凹坑的调制度优选为15％～25％。作为一种实施方式，使上述相位凹坑的光学深度约为λ/8～λ/10(其中，λ是用于记录或再现的激光的波长)。
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公开(公告)号：CN1606776A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN01814287.7
申请日：2001-05-28
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： G11B11/105
CPC分类号： G11B11/10515 , G11B11/10582 , G11B11/10584 , G11B11/10586
摘要： 提供一种能够使用DWDD方法稳定地记录和读出的磁光记录介质。本发明的磁光记录介质包括光盘基片(11)以及多层记录薄膜，多层记录薄膜必要包括在基片顶部连续形成的读出层(13)、中间层(14)和记录层(15)。读出层具有比记录层更小的磁畴壁矫顽性。中间层包括其居里温度低于读出层和记录层的磁性层。只在光盘基片的凹槽(2a)中形成相应于记录/读出信息的记录/读出磁畴。相邻记录磁道区域之间的边界(3a)处的记录薄膜厚度小于记录磁道区域中心部分的记录薄膜厚度。
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公开(公告)号：CN1592932A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN03801510.2
申请日：2003-09-11
申请人： 索尼株式会社
CPC分类号： G11B23/284 , G11B7/0053 , G11B7/00736 , G11B7/24082 , G11B7/261 , G11B11/10584 , G11B20/00086 , G11B20/0021 , G11B20/00405 , G11B20/00557
摘要： 使记录在光记录介质上的版权保护信息不容易被破解，从而保护版权者的利益。在光记录介质(2)的预定区域中记录基于多个序列的信号，该多个序列是利用多个二进制序列对版权保护信息SA进行加密编码而获得的。只要用于加密编码的所述多个二进制序列不被知道，版权保护信息SA就不能被解密，因此可以使用所述信息作为密钥来执行加密处理。另外，在回放期间，用多个二进制序列用回放信号执行相关计算，从而对版权保护信息SA解密，所述多个二进制序列于记录版权保护信息SA期间用来对数据进行加密编码的二进制序列相同。然后，使用该信息解除对记录的信息的加密。
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公开(公告)号：CN1187746C
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN98109495.3
申请日：1998-03-06
申请人： 夏普公司
IPC分类号： G11B11/105
CPC分类号： G11B11/10584 , G11B11/10515 , G11B11/10586 , G11B11/10593
摘要： 一种磁光存储介质，包括：在室温为平面内磁化而被再现光束加热到超过预定温度时为垂直磁化的再现层；与再现层静磁耦合的记录层；和与记录层相邻设置，具有在上述预定温度的居里温度的平面内磁化层。在低于预定温度的温度，屏蔽在记录层以高密度记录的信号。然而，在高于预定温度的温度，在形成部分平面内磁化层的磁畴中，记录层和再现层静磁耦合，记录层的记录比特复制并扩展到再现层中的磁畴中。因此，能以高信号质量再现信息。
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公开(公告)号：CN1547741A
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN02816649.3
申请日：2002-08-07
申请人： 通用电气公司
发明人： 艾琳·德里斯 , 格兰特·海 , 史蒂文·F·哈伯德 , 亨德里克·T·范德格兰佩尔 , 格尔特·博文
IPC分类号： G11B7/24 , G11B11/105
CPC分类号： G11B7/2533 , G11B7/2403 , G11B7/24067 , G11B7/243 , G11B7/246 , G11B7/2472 , G11B7/248 , G11B7/252 , G11B7/2534 , G11B7/2535 , G11B7/2536 , G11B7/2542 , G11B7/2575 , G11B7/259 , G11B11/10584 , G11B11/10586 , G11B2007/2571 , Y10T428/21
摘要： 本发明涉及数据存储介质，具体地涉及包括至少一个用于控制存储介质平面度的高(杨氏)模量层的数据存储介质。
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公开(公告)号：CN1168074C
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN01122498.3
申请日：2001-07-13
申请人： 三星电子株式会社
发明人： 青木育夫
IPC分类号： G11B7/00 , G11B7/0045 , G11B7/007
CPC分类号： G11B27/24 , G11B7/007 , G11B7/00718 , G11B7/00745 , G11B11/10578 , G11B11/10584 , G11B27/3027 , G11B2220/216 , G11B2220/218 , G11B2220/2525 , G11B2220/2545 , G11B2220/2575
摘要： 在光盘中，光盘在径向上被分割成多个存储区，并且根据预定调制规则通过将用户数据覆盖，轨道槽脊波动地形成在盘的径向方向中，以便为每一分割的存储区记录存储区地址信息。每一存储区具有任意记录容量被添加到每一存储区所需的数据记录容量的记录容量。
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公开(公告)号：CN1162779C
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：CN00136959.8
申请日：2000-10-29
申请人： 索尼公司
发明人： 新井雅之
CPC分类号： G11B27/24 , G11B7/007 , G11B7/00718 , G11B7/00745 , G11B11/10502 , G11B11/10584 , G11B20/1217 , G11B20/1813 , G11B27/3027 , G11B2020/1268 , G11B2220/216 , G11B2220/2529 , G11B2220/2545 , G11B2220/2575
摘要： 超小型磁光盘1的平台和/或凹槽的首标中的地址信息记录区存储一个地址和相应于该地址通过Reed-Solomon系统产生的纠错码。优选地，一个码元由4个位构成并且通过Reed-Solomon系统对每4位产生纠错码。
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公开(公告)号：CN1518739A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN02812301.8
申请日：2002-06-12
申请人： 索尼公司
CPC分类号： G11B7/00745 , G11B7/00718 , G11B7/0079 , G11B7/24012 , G11B7/24085 , G11B7/268 , G11B11/10526 , G11B11/10578 , G11B11/10584 , G11B11/10597
摘要： 一种具有螺旋形或者同心圆轨道的光记录介质，可以用于光学记录。这种光记录介质包括一个数据记录和再现区域，该区域在径向被分成多个区。一个区又分成许多扇区，各自有一个包括含有地址信息的凹坑的地址部分，和一个只由沟槽组成的数据部分。组成每个区的扇区数目是不同的。光盘制作得使得地址部分的平均反射系数Iadd和数据部分的平均反射系数Idata满足关系式0.7≤(Iadd/Idata)≤1.3或者0.8≤(Iadd/Idata)≤1.2。
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公开(公告)号：CN1486488A
公开(公告)日：2004-03-31
申请号：CN01821787.7
申请日：2001-11-02
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： G11B7/007 , G11B7/005 , G11B11/105 , G11B20/10 , G11B7/24
CPC分类号： G11B11/10597 , G11B7/00 , G11B7/0045 , G11B7/00736 , G11B7/00745 , G11B7/24085 , G11B11/10504 , G11B11/10515 , G11B11/10578 , G11B11/10582 , G11B11/10584 , G11B20/10 , G11B20/10009 , G11B20/1217 , G11B20/18 , G11B2020/1274 , G11B2220/2525
摘要： 本发明提供一种能高密度记录预先格式数据的光盘。本发明的光盘具有配置成螺旋状或同心圆状的一条光道或多条光道，上述光道有控制用第1预置坑区或沟部和沟间部，并有记录预先格式数据的预先格式记录区。上述预先格式记录区记录用预置坑以外的方法形成的预先格式数据。更具体地说，预先格式数据通过照射激光使记录膜变质，减小磁各向异性来进行记录。
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