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公开(公告)号：CN103871951A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201210553011.3
申请日：2012-12-18
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 三重野文健
IPC: H01L21/762 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/76224 , H01L21/76202
Abstract: 一种沟槽填充方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有沟槽；在所述沟槽内形成覆盖所述沟槽底部和侧壁的第一介质层；采用旋涂工艺，将前驱物填充满所述沟槽；真空烘烤并驱除反应副产物，在沟槽内的第一介质层表面形成非晶硅层，所述非晶硅层填充满所述沟槽，与未反应之前的前驱物相比，所述非晶硅层的体积发生变化；将所述非晶硅层氧化，形成氧化硅层，所述氧化硅层对沟槽两侧的有源区产生应力作用。
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公开(公告)号：CN103855022A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210514550.6
申请日：2012-12-04
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 三重野文健
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/02667
Abstract: 一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成鳍部，所述鳍部包括位于鳍部的两端的源漏区域和源漏区域之间的沟道区域；刻蚀所述鳍部的源漏区域，使所述源漏区域的高度下降；在所述被刻蚀过的源漏区域表面形成非晶硅层；对所述非晶硅层进行退火，形成多晶硅层，所述多晶硅层对鳍部的沟道区域产生拉应力。所述方法，能够提高鳍式场效应晶体管的沟道内电子的迁移率，提高N型鳍式场效应晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN103681330A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210332967.0
申请日：2012-09-10
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L29/0603 , H01L29/0657 , H01L29/66068 , H01L29/785
Abstract: 一种鳍部及其形成方法，其中鳍部的形成方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成介质层，所述介质层掺杂有杂质离子，从介质层的表面到底部，所述杂质离子的摩尔浓度逐渐变化；在介质层表面形成掩膜层，掩膜层具有暴露介质层表面的开口；以所述掩膜层为掩膜，采用各向同性的刻蚀工艺沿开口刻蚀所述介质层，形成凹槽，刻蚀过程中，对介质层的刻蚀速率随着介质层中杂质离子的摩尔浓度的增大而减小；在凹槽中填充满外延层，所述外延层作为鳍部。在介质层的沿厚度掺杂不同摩尔浓度的杂质离子，在刻蚀介质层形成凹槽时，使形成凹槽的侧壁非垂直于半导体衬底的表面，提高了凹槽中形成的鳍部的表面积，从而提高通过鳍部的驱动电流。
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公开(公告)号：CN103579001A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210276064.5
申请日：2012-08-03
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 三重野文健
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L29/0603 , H01L29/0657 , H01L29/42356 , H01L29/66068 , H01L29/785
Abstract: 一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中，鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底；形成覆盖所述半导体衬底表面的外延层；形成位于所述外延层表面的硬掩膜层，所述硬掩膜层具有暴露出外延层的开口；沿所述开口干法刻蚀所述外延层，形成鳍部，所述鳍部的侧壁与半导体衬底表面的夹角大于等于80度，小于90度。本发明实施例形成的鳍式场效应晶体管的半导体衬底内没有晶格损伤，且形成工艺简单，形成的鳍式场效应晶体管的性能优越。
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公开(公告)号：CN103515229A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210203735.5
申请日：2012-06-19
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 三重野文健
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L21/302
Abstract: 一种鳍部和鳍式场效应管的形成方法，其中所述鳍部的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有硬掩膜层，硬掩膜层具有若干相邻的开口；沿开口刻蚀半导体衬底，形成若干第一凹槽，第一凹槽的位置与开口的位置相对应，相邻的第一凹槽之间形成第一子鳍部；在第一凹槽和对应的开口内填充满隔离材料，形成隔离结构；去除硬掩膜层，形成若干第二凹槽；在所述第二凹槽内填充半导体材料，形成第二子鳍部；回刻蚀隔离结构，暴露第二子鳍部的侧壁；对第二子鳍部的侧壁进行平坦化处理。平坦化处理后，第二子鳍部的边缘和侧壁表面的形貌的具有较好均匀性，形成横跨第二子鳍部的栅极结构后，提高了鳍式场效应管的阈值电压的稳定性。
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公开(公告)号：CN103456633A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201210174700.3
申请日：2012-05-30
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 三重野文健
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 一种MOS管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面覆盖有应力衬垫层，应力衬垫层表面覆盖有外延半导体层，外延半导体层表面具有绝缘层，绝缘层内具有贯穿其厚度的第一栅极结构以及位于第一栅极结构侧壁的侧墙；去除第一栅极结构、与第一栅极结构对应的外延半导体层和应力衬垫层，形成暴露出半导体衬底表面的开口；形成位于开口底部的电压控制层，电压控制层与应力衬垫层表面齐平；在开口内形成位于电压控制层表面的外延本征层，外延本征层与外延半导体层表面齐平；在所述开口的外延本征层表面形成第二栅极结构，第二栅极结构与所述绝缘层表面齐平。本发明实施例形成MOS管的工艺简单，MOS管的阈值电压低。
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公开(公告)号：CN103426765A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201210165855.0
申请日：2012-05-24
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 三重野文健
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66477 , H01L21/823431 , H01L21/823821 , H01L21/845 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L27/1211 , H01L29/1054 , H01L29/785
Abstract: 一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底进行掺杂工艺，形成位于所述半导体衬底表面的掺杂层；形成位于所述掺杂层表面的硬掩膜层，以所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀部分所述掺杂层，形成第一子鳍部；在所述半导体衬底表面形成绝缘层，所述绝缘层表面与所述第一子鳍部顶部齐平；形成绝缘层后，去除部分厚度的第一子鳍部，形成开口；在所述开口内形成第二子鳍部，所述第二子鳍部顶部与所述绝缘层表面齐平。同时还提供了一种鳍式场效应管的形成方法，形成的半导体器件、鳍式场效应管的沟道区应力大，载流子迁移率高，阈值电压低，且栅极漏电流小，性能稳定。
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公开(公告)号：CN103367160A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210101577.2
申请日：2012-03-31
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 三重野文健
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 一种鳍式场效应管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有隔离层；形成贯穿所述隔离层、且一端位于半导体衬底内的鳍部，所述鳍部表面高于隔离层表面；形成位于所述隔离层表面、且横跨所述鳍部的顶部和侧壁的栅极结构；形成位于所述栅极结构侧壁和鳍部侧壁的伪侧墙；形成位于所述伪侧墙表面、且包裹所述鳍部的外延层；在形成所述外延层后去除所述伪侧墙。本发明实施例形成的鳍式场效应管的性能好。
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公开(公告)号：CN103295902A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201210054233.0
申请日：2012-03-02
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 三重野文健
IPC: H01L21/336 , H01L29/51
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 一种鳍式场效应管的形成方法，包括：提供半导体衬底和位于所述半导体衬底表面的介质层；刻蚀所述介质层和半导体衬底形成沟槽，所述沟槽包括贯穿所述介质层的第二子沟槽和位于半导体衬底内、且与第二子沟槽贯通的第一子沟槽；在所述沟槽内形成鳍部，所述鳍部表面高于介质层表面；形成位于所述半导体衬底表面、且横跨所述鳍部的顶部和侧壁栅极结构。形成方法简单，形成的鳍式场效应管的栅极漏电流小，器件性能稳定，且结构简单。
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公开(公告)号：CN103137858A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110397656.8
申请日：2011-12-02
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 三重野文健
Abstract: 本发明实施例提供了一种磁性材料层的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括用于形成磁性材料层的开口；采用还原金属氯化物的化学气相沉积工艺，形成覆盖所述基底的开口底部和部分侧壁的金属层，所述金属层包括第一金属材料层和位于所述第一金属材料层表面的第二金属材料层；对所述第一金属材料层和第二金属材料层进行退火处理工艺，形成磁性材料层。采用本发明实施例的形成方法后续形成的磁性材料层的质量好，磁隧道结的性能稳定，可靠性高。相应的，本发明实施例还提供了一种磁性材料层的形成装置，为上述方法提供了条件。
