公开(公告)号：CN113877620B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202111204404.9

申请日：2021-10-15

Applicant: 五邑大学

Inventor： 冯其 ,  孙彦兵 ,  赵景 ,  莫代泽 ,  郑得洲 ,  王付鑫 ,  靳柄军 ,  曾庆光 ,  徐维 ,  张业龙

IPC: B01J27/24 ,  B01J35/60 ,  B01J35/61 ,  C25B11/091 ,  C25B1/04

Abstract: 本发明公开了一种Mo2N/NC的复合材料及其制备方法，该制备方法以氧化石墨烯溶液、钼源和水合肼为原材料，经搅拌，静置老化，冷冻干燥和一步热解煅烧等处理，即可得到多孔片状结构的Mo2N/NC复合材料。本发明的制备方法以氧化石墨烯溶液作为碳源和模板，无需使用危险性的氨气，经一步热解法即可得到高纯度、二维片状的Mo2N/NC复合材料，整个制备过程安全可靠，工艺条件简单易控、生产成本较低，适于工业化大规模生产；得到的片状Mo2N/NC复合材料具有粒径小、纯度高、比表面积大的特点，且表现出类似铂的良好的催化活性，可广泛应用于催化领域。

公开(公告)号：CN115558490B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202211155685.8

申请日：2022-09-22

Applicant: 五邑大学

Inventor： 胡桃 ,  江泽龙 ,  高妍 ,  孟智超 ,  宋济安 ,  门凡钞 ,  曾庆光

IPC: C09K11/62 ,  G01N21/64

Abstract: 本发明公开了一种近红外发光稀土离子掺杂荧光粉及其制备方法和应用，涉及无机发光材料领域。荧光粉的化学分子式为Ba1‑xGa2O4:xEu2+，其中0＜x≤0.08。本申请近红外发光源于占据在Ba2+离子格位的Eu2+所形成的5d‑4f跃迁发光，与现有Cr3+掺杂近红外荧光粉相比，具有跃迁强度大的优点。本申请荧光粉在470nm蓝光激发下可发射出波长为600‑1000nm的宽带光谱，发光最强发射峰位于750nm，位于近红外波段，而且该荧光粉制备工艺简单、原料廉价易得、制备过程无毒无污染。

公开(公告)号：CN114717004B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202210414404.X

申请日：2022-04-20

Applicant: 五邑大学

Inventor： 胡桃 ,  高妍 ,  江泽龙 ,  曾庆光 ,  崔燕

IPC: C09K11/78 ,  G01L1/24

Abstract: 本发明公开了一种荧光粉及其制备方法和应用，本发明的荧光粉的分子式为Ca5‑xGa6O14:xTb3+，其中0＜x≤0.12。本发明还公开了上述荧光粉的制备方法，包括以下步骤：按各原料中Ca:Ga:Tb元素摩尔比，将钙源、镓源和铽源混合，得到混合物；煅烧上述的混合物，得到所述荧光粉。本发明的荧光粉，通过用Tb3+掺杂Ca2+离子格位，使得制备的荧光粉在受到机械外力作用下能发射出线状光谱，此外，本发明制备的发光材料无需紫外光预激发，且应力发光强度具有自恢复性。

公开(公告)号：CN115565715A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202211315608.4

申请日：2022-10-26

Applicant: 五邑大学

Inventor： 陈毅湛 ,  赵石凯 ,  洪家琪 ,  吴昊 ,  邹鼎森 ,  胡凯祥 ,  曾庆光 ,  马国强

IPC: H01B1/22 ,  H01B13/00 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/04

Abstract: 本发明提供了一种正极银浆及其制备方法和应用。本发明的正极银浆，制备原料包括粉体材料和溶剂载体，所述粉体材料包括银粉和烧结玻璃粉，所述溶剂载体包括主项液和二次项液，所述主项液包括松油醇、邻苯和2,2,4‑三甲基‑1,3‑戊二醇单异丁酸酯中的至少两种；所述二次项液包括丙三醇和乙二醇中的至少一种。该正极银浆不需要添加粘接剂和有机添加剂，使得银浆得的杂质更少，银浆具有高导电性，可以提高电池的光电转换效率和稳定性。本发明还提供了正极银浆及其制备方法和应用。

公开(公告)号：CN115466615A

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN202211201473.9

申请日：2022-09-29

Applicant: 五邑大学

Inventor： 陈岩 ,  张国星 ,  王栋 ,  蒋东亮 ,  兰月梅 ,  朱兴华 ,  曾庆光

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/66 ,  C08L79/08 ,  C08K3/16 ,  C08J5/18 ,  G09F9/30

Abstract: 本发明公开了一种基于钙钛矿量子点的发光薄膜及其制备方法与应用。上述基于钙钛矿量子点的发光薄膜，包括复合钙钛矿和包覆上述复合钙钛矿的聚酰亚胺；其中，上述复合钙钛矿包括钙钛矿和钝化剂。添加所述钝化剂以对量子点表面进行钝化，从而限制PQDs的进一步长大，避免其团聚形成较大的纳米晶。本发明的量子点薄膜中的PQDs粒径只有5～10nm，如此小的粒径，能够有效提高其发光强度。此外，现有的钙钛矿量子点表面往往有很多的缺陷，而缺陷越多，导致量子点的发光强度越差，本发明在钙钛矿量子点的发光薄膜中添加钝化剂，可以“消除”量子点的缺陷，提高发光强度。

公开(公告)号：CN114752384A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202210456234.1

申请日：2022-04-28

Applicant: 五邑大学

Inventor： 张康 ,  王波 ,  刘天棚 ,  谢尧臣 ,  安鸿详 ,  邓述威 ,  李小双 ,  曾庆光

IPC: C09K11/79 ,  G11B7/241 ,  G11B7/243

Abstract: 本发明公开了一种长余辉材料及其制备方法与应用。所述长余辉材料包括化学通式为Na3‑xY1‑yScySi3O9:xEu2+的组分，其中0

公开(公告)号：CN114702958A

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202210249411.9

申请日：2022-03-14

Applicant: 五邑大学

Inventor： 温大尉 ,  刘红敏 ,  马哲 ,  郭月 ,  曾庆光

IPC: C09K11/80 ,  H01L33/50

Abstract: 本发明提供了一种热稳定氮氧化物荧光粉及其制备方法和应用，属于荧光材料领域。本发明热稳定氮氧化物荧光粉的化学式为Sr1‑xEuxAl2Si3ON6，其中0

公开(公告)号：CN109817918B

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN201910057080.7

申请日：2019-01-22

Applicant: 五邑大学

Inventor： 张业龙 ,  余金龙 ,  徐晓丹 ,  孙宏阳 ,  汤伟健 ,  汪达 ,  张弛 ,  宋伟东 ,  陈梅 ,  温锦秀 ,  郭月 ,  曾庆光 ,  彭章泉

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/38 ,  H01M4/587 ,  H01M10/054

Abstract: 本发明公开了一种硫掺杂MXene复合材料及其制备方法，包括以下步骤：(1)将MXene和硫源按照质量比为1：1～20加入去离子水中，搅拌并加热，配制成浓度为5‑80mg/ml的混合液；(2)将所述混合液移入反应釜加热至80‑200℃，反应4‑36h，然后冷却至室温；(3)将步骤(2)得到的产物用洗涤剂洗涤并进行离心，再进行真空干燥，得到所述硫掺杂MXene复合材料。本发明制备的硫掺杂的MXene复合材料具有结构稳定性高，循环性能稳定，且充放电库伦效率高等优点，制备成的负极材料嵌/脱钾电位适中，循环性能和倍率性能良好。

公开(公告)号：CN114094174A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202111261342.5

申请日：2021-10-28

Applicant: 五邑大学

Inventor： 邓魁荣 ,  周素萍 ,  徐泽林 ,  关杨文 ,  赵文煜 ,  郑志坚 ,  关天谕 ,  曾庆光

IPC: H01M10/0564 ,  H01M10/0567 ,  H01M10/058 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明公开了一种自修复聚合物电解质的制备方法及应用，属于锂离子电池技术领域。该制备方法包括以下步骤：将烯丙基硼酸频哪醇酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、甲氧基聚乙二醇丙烯酸酯、季戊四醇四巯基乙酸酯和双三氟甲烷磺酰亚胺锂溶于溶剂中，加入光引发剂，在紫外光照射下照射，即得自修复聚合物电解质。通过上述方法制备的自修复聚合物电解质可塑性高，稳定性好，机械强度好，较传统锂离子电池安全性能好，避免了漏液问题，具有自修复性能；该制备方法简单，材料易得，便于操作，生产周期短，环保性好。

公开(公告)号：CN109830659B

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN201910034761.1

申请日：2019-01-15

Applicant: 五邑大学

Inventor： 张业龙 ,  孙宏阳 ,  徐晓丹 ,  张锦坤 ,  张弛 ,  汪达 ,  宋伟东 ,  郭月 ,  刘争 ,  陈梅 ,  温锦秀 ,  曾庆光 ,  彭章泉

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/583 ,  H01M4/62 ,  H01M10/054 ,  H01M4/136

Abstract: 本发明公开了一种Te掺杂MXene材料及其制备方法，包括以下步骤：(1)将MXene和Te源按照质量比为1：0.01～1加入分散剂中，配制成浓度为1‑100mg/ml的分散液，然后搅拌1‑5小时；(2)将所述分散液升温至100‑220℃，反应10‑24h，然后冷却至室温；(3)将步骤(2)所得的产物用清洗剂进行清洗，然后离心；(4)将步骤(3)得到的离心产物真空干燥，得到所述Te掺杂MXene材料。与未掺杂MXene材料相比，本发明制备的复合材料通过Te掺杂可增大MXene层间距，产生更多的电化学活性位点，有利于离子扩散，提升电极电导率、储钾能力、循环稳定性。