多芯模组化电能表检测系统
    75.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112034413A

    公开(公告)日:2020-12-04

    申请号:CN202010710318.4

    申请日:2020-07-22

    IPC分类号: G01R35/04 G01R35/00

    摘要: 本发明公开一种多芯模组化电能表检测系统,包括:检测台体、测控装置、检测软件和控源软件;其中,检测台体包括功率源;检测软件用于根据多芯模组化电能表的检测项目,生成控源指令;控源软件用于根据接收到的控源指令,控制测控装置调整功率源的输出波形,以使得所述输出波形与多芯模组化电能表的检测项目相适应;检测软件用于根据获取的被试多芯模组化电能表响应于所述输出波形而生成的测试数据,判断被试多芯模组化电能表是否通过所述检测项目,在被试多芯模组化电能表通过所述检测项目时,确定所述被试多芯模组化电能表为合格的电能表。该检测系统能够全面检测多芯模组化电能表各项功能,检测效率高,检测结果可靠。

    一种SiC-MOSFET的驱动电路
    80.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111900969B

    公开(公告)日:2023-12-19

    申请号:CN201910369797.5

    申请日:2019-05-05

    IPC分类号: H03K17/687 H03K17/081

    摘要: 本发明公开了一种SiC‑MOSFET的驱动电路,包括:隔离电路、电流放大模块、逻辑模块和保护电路;所述隔离电路的输入端与输入信号连接,用于对输入信号进行信号隔离;所述逻辑模块的输出端分别与电流放大模块和保护电路连接,用于对电流放大模块和保护电路的工作状态进行逻辑控制;电流放大模块的输入端与逻辑模块连接输出端连接,放大模块的输出端与SiC‑MOSFET连接,用于对通过逻辑电路输入的信号进行放大并转换为满足SiC‑MOSFET需求的驱动电流;所述保护电路与SiC‑MOSFET连接,用于通过防止SiC‑MOSFET的栅源极之间产生的高电压脉冲导致SiC‑MOSFET误动作和SiC‑MOSFET在关断时的漏极电压突增,以实现SiC‑MOSFET的稳定关断。