降低OFDM系统峰均比的方法和装置、信号发送端与接收端

    公开(公告)号:CN112637098A

    公开(公告)日:2021-04-09

    申请号:CN202011342929.4

    申请日:2020-11-25

    IPC分类号: H04L27/26

    摘要: 本发明提供一种用于降低OFDM系统峰均比的方法和装置、信号发送端与接收端,属于通信技术领域。所述方法包括:将频域信号进行分组,对分组后的每组信号进行相位旋转以获得组频域信号,或者对频域信号进行相位旋转,对相位旋转后的信号进行分组以获得组频域信号;对组频域信号进行变换以获得组时域信号;遍历加权系数集合中的加权因子组以确定每个加权因子组对应的组时域信号的峰均比;根据每个加权因子组对应的组时域信号的峰均比选定最优加权因子组;并根据最优加权因子组对组时域信号进行合并以得到待发送信号,其中,加权系数集合中的加权因子为实数。上述方案的加权因子为实数,通过比特翻转叠加实现加权过程,搜索加权因子空间小且易于实现。

    一种电子标签电路
    79.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106529647B

    公开(公告)日:2019-02-15

    申请号:CN201610957754.5

    申请日:2016-10-27

    IPC分类号: G06K19/07

    摘要: 本发明公开了一种电子标签电路,包括:整流调整电路、限压泄放电路、电源检测电路和稳压电容;整流调整电路的第一输入端用于接收第一天线信号,第二输入端用于接收第二天线信号,整流调整电路的输出端与限压泄放电路的输入端相连;限压泄放电路的第一控制端用于接收第一天线信号,第二控制端用于接收第二天线信号,限压泄放电路的输出端与稳压电容的第一端相连,稳压电容的第二端接地;电源检测电路的输入端与稳压电容的第一端相连,电源检测电路的输出端与限压泄放电路的反馈端相连,限压泄放电路用于根据反馈信号、第一天线信号和第二天线信号对输出电压进行降压处理。该电路的结构简单且稳定,消除了电路竞争。

    仿真MOSFET温度电学特性的子电路模型的建立方法

    公开(公告)号:CN108846171A

    公开(公告)日:2018-11-20

    申请号:CN201810523411.7

    申请日:2018-05-28

    IPC分类号: G06F17/50

    摘要: 本发明公开了一种仿真MOSFET温度电学特性的子电路模型的建立方法,包括以下步骤:分别在常温、第一温度、第二温度下对MOSFET进行电学特性测试并记录实际的电学特性曲线,其中第一温度是-40度以下,第二温度是125度以上;根据常温下的电学特性测试结果提取BSIM模型;在所述BSIM模型基础上定义等效温变电阻以及温度补偿因子得到一个初步的子电路模型;根据在常温、所述第一温度、所述第二温度下的电学特性测试结果,调整等效温变电阻以及温度补偿因子的值使得最终的子电路模型仿真的电学特性曲线能够精确地拟合所述实际的电学特性曲线。所述仿真MOSFET温度电学特性的子电路模型的建立方法可以实现在更宽的温度区间子电路模型仿真的电学特性曲线更加拟合实际情况。