公开(公告)号：CN118091356A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410469102.1

申请日：2024-04-18

Applicant: 南京大学

Inventor： 周峰 ,  钱俊帆 ,  陆海 ,  徐尉宗 ,  周东 ,  任芳芳

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种辐照场景下半导体器件特性参数监测系统及方法，涉及半导体辐照、半导体特性参数测试领域。本系统包括分别设置于辐照保护单元a和辐照保护单元b中的漏极测试单元、栅极测试单元、特性参数监测单元、驱动单元、信息处理控制单元和信息传输单元，漏极测试单元、栅极测试单元分别向待测半导体器件发送测试信号，待测半导体器件通过特性参数监测单元连接信息处理控制单元监测辐照条件下待测半导体器件特性参数变化情况。本发明无需测试人员进出辐照间即可实现远距离智能化监测不同辐照条件下多个半导体器件的特性参数，具有操作简单、体积小、测试数量可达到万颗器件、测试结果准确快捷、判断器件工作状态等优点。

公开(公告)号：CN117276335B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202311541154.7

申请日：2023-11-20

Applicant: 南京大学

Inventor： 周峰 ,  荣玉 ,  陆海 ,  徐尉宗 ,  周东 ,  任芳芳

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种具有解耦合反向导通能力的增强型GaN HEMT及其制作方法，在该晶体管栅极区域，p型氮化镓层上分段分布有第一栅区域金属和第二栅区域金属，其中第一栅区域金属由第一肖特基金属层与第二欧姆金属层组成，第二栅区域金属仅由第二肖特基金属层组成；第一栅区域金属和第二栅区域金属之间填充有介质层，第一栅区域金属上方设有互联金属层且与源极上方的互联金属层相连，形成反向续流二极管；第二栅区域金属上方设有栅极金属层，作为该晶体管的真实栅极。本发明将晶体管的反向开启电压与栅极阈值电压解耦合，降低了反向开启电压，减小了反向导通损耗，在反向工作状态时不受栅极电压的控制，栅极漏电流低，制备简单，集成度高。

公开(公告)号：CN115295661A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202210893162.7

申请日：2022-07-27

Applicant: 南京大学

Inventor： 周东 ,  陆海 ,  徐尉宗 ,  任芳芳 ,  周峰

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/105 ,  H01L31/20 ,  H01L31/0216

Abstract: 本发明公开了一种新型离子注入弧形钝化介质终端的4H‑SiC雪崩光电探测器，抑制雪崩光电探测器件边缘电场强度的终端结构为弧形钝化介质终端。本发明终端通过区域离子注入和高温氧化工艺形成一种弧形钝化介质终端台面，解决了SiC APD现有技术中小角度倾斜台面制备工艺窗口小、可靠性差的缺点，有效抑制了SiC APD边缘电场聚集效应，制备简单，可靠性好。

公开(公告)号：CN113671688B

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202110852943.7

申请日：2021-07-27

Applicant: 南京大学

Inventor： 任芳芳 ,  刘泽森 ,  石娅婷 ,  刘兴华 ,  陆海 ,  徐尉宗 ,  周东 ,  王宜望

IPC: G02B26/02 ,  G02B5/20 ,  G02B1/00

Abstract: 本发明公开了一种广谱可调超窄带通滤光系统。该系统包括具有缺陷模的一维光子晶体、级联光子晶体结构和多通道滤光通路；其中，具有缺陷模的一维光子晶体包括由高折射率介电材料和低折射率介电材料周期堆叠构成的布拉格反射结构、缺陷层和布拉格反射结构的镜像结构依次排列构成；多个具有缺陷模的一维光子晶体通过连接层连接在一起形成级联光子晶体结构；多个级联光子晶体结构分别分装在多通道滤光通路中。本发明基于级联光子晶体结构的超窄带通滤光片，具有结构简单，光子晶体薄膜材料选择丰富等优点，通过优化光子晶体结构参数可实现广谱超窄带通滤光，满足了多种场景下的需求。

公开(公告)号：CN114899225A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210477893.3

申请日：2022-05-05

Applicant: 南京大学

Inventor： 陆海 ,  金玉垒 ,  周峰 ,  徐尉宗 ,  周东 ,  任芳芳

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种具有阶梯场板结构的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管及其制作方法。具有阶梯场板结构的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管，栅源连通区域和漏连通区域均设有呈局域分布的第二栅极金属层，每个第二栅极金属层上表面均设有对应的第二互联金属层，第二栅极金属层一侧超出其上表面对应的第二互联金属层的一侧形成阶梯场板结构。本发明通过在晶体管栅源和栅漏连通区域中均设置第二栅极金属层和第二互联金属层形成阶梯场板结构，利用该阶梯场板结构有效改善了晶体管在正向和反向偏置电压下的内部电场分布，从而提升了晶体管的击穿电压和减小漏电流；构成该阶梯场板结构的金属层和晶体管电极区域的金属层同时形成，制备方法简单。

公开(公告)号：CN109326659A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201811121284.4

申请日：2018-09-26

Applicant: 南京大学

Inventor： 周东 ,  陆海 ,  苏琳琳 ,  徐尉宗

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/105 ,  H01L31/20

Abstract: 本发明公开了一种高响应度低暗电流PIN结构的4H-SiC紫外探测器及其制备方法，一种高响应度低暗电流PIN结构的4H-SiC紫外探测器，在上电极和上电极4H-SiC欧姆接触层之间设有氧等离子体处理的4H-SiC欧姆接触层。上电极为Ti单层金属或含Ti多层金属复合结构。本发明高响应度低暗电流PIN结构的4H-SiC紫外探测器克服了传统PIN结构4H-SiC紫外探测器响应度低的缺点，在不增加器件的外延技术难度、器件制备复杂程度及成本的前提下，有效提升器件的灵敏度，并保持极低的暗电流水平。