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公开(公告)号：CN113900181B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202111105651.3
申请日：2021-09-22
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种波导边缘集成耦合器及其制备方法。耦合器结构包括PIC器件平台、SOI波导结构和硅微透镜；光线在PIC器件平台经SOI波导结构传输并出射，硅微透镜对光束进行模斑转换，改变光线轨迹并限制光线入射纤芯的角度，然后光线经空间传播后入射单模光纤纤芯。耦合器制备方法分为四个步骤，首先，设计并仿真SOI结构，得到波导出射的模式特性；其次，对透镜参数进行设计；接着，将耦合器与单模光纤进行联合仿真，得到理论耦合效率；最后，根据设计完成耦合结构制作，经实际的有源测试结果完成优化，确定最终参数和耦合方案。相比于分立式耦合，该耦合器的整体结构可在集成光路芯片平台集成，工艺简单，便于封装。
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公开(公告)号：CN118074695A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410060872.0
申请日：2024-01-16
Applicant: 南京理工大学
IPC: H03K19/003 , H03H7/01 , H03F1/26 , H03K19/094 , H03K19/20
Abstract: 本发明提出了一种高增益低噪声的信号转换电路，包括：单位增益缓冲器提供隔离保护，保证后续电路工作稳定准确；两级电容跨导放大器电路模块对输入电流信号进行电压转换和放大，其中第一级CTIA电路可以通过设定参考电压，使额外的积分电容自动导通关断，实现增益切换，从而实现大小信号的稳定输出；两级CTIA电路之间的带通滤波器可以同时滤除高频和低频噪声，提高读出精度；最后经过放大和降噪后的电压信号由采样保持电路模块采样和输出。电路模块集成在一片集成芯片上，与光敏器件互连，对宽频微弱信号提供高增益、低噪声的信号转换和放大。
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公开(公告)号：CN114726205A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210209820.6
申请日：2022-03-03
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本申请提供一种用于DC‑DC变换器的自适应时间导通控制电路，本申请通过多个电阻、多个电容、多个PMOS管、比较器和电流源等构建的自适应时间导通控制电路。将时间导通模块加入系统占空比信息，在负载切换时能够做到占空比的自适应调节，避免了输出电压波动对时间导通模块的影响，可以在负载剧烈变化时实现系统快速瞬态响应和轻负载时的高效率。相比于采用补偿网络加快系统响应速度的方案，该结构简化了电路设计的复杂性，进一步降低系统的功耗。当系统正常工作时，电路的工作频率仅与芯片内置的充电电容和采样电阻有关，所以工作频率为恒定常数。
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公开(公告)号：CN112865530A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110038588.X
申请日：2021-01-12
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种具有快速动态响应的Buck变换器，一种具有快速动态响应的Buck变换器，包括功率级电路、反馈电路和控制环路；所述反馈电路用于采样变换器的输出电压值并送入控制环路进行处理；控制环路根据采样的输出电压值大小产生相应占空比的脉冲信号；所述功率级电路根据控制环路输出的脉冲信号产生输出电压。本发明在传统COT基础上增加了补偿模块，并同时对Ton模块做了一定的改进，提升了Buck变换器的工作性能。
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公开(公告)号：CN108988626A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810756410.7
申请日：2018-07-11
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种融合PFC的单电感双输出变换器及其工作方法。该变换器包括EMI滤波单元、全桥整流单元、PFC电路和SIDO电路：所述EMI滤波单元，用于低通滤波；全桥整流单元，将二极管的单向导通性进行整流，将交流电转变为直流电；PFC电路，用于抑制电流和电压之间的相位差造成的交换功率的损失；SIDO电路，通过周期内分时复用同一个电感与变频控制策略，实现两路电压稳定输出的功能。将经过EMI滤波和全桥整流后的电压等效为Vrec，电流等效为irec，该变换器包括充电、放电模式工作状态。本发明提高了系统集成度，降低了硬件电路面积和成本，并且每个输出通道可实现独立的输出调节。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108732122A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710241155.8
申请日：2017-04-13
Applicant: 南京理工大学
IPC: G01N21/3581
Abstract: 本发明公开了一种基于表面等离子激元的太赫兹成像精确定位方法。该方法包括以下步骤：首先，在金属膜上制备周期性结构，该周期性结构能够在太赫兹波段激发表面等离子波；其次，使得待测物体与该周期性结构的相对位置固定；最后，太赫兹时域光谱仪发出的电磁波入射至上述周期性结构，从而在该周期性结构表面激发出表面等离子波，进而得到该周期性结构亚波长尺度的成像图形，根据待测物体与该周期性结构的相对位置，对待测物体进行定位并成像。使用周期性结构制备两个已知间距的点，以这两点间的距离作为成像图像的比例尺，得到太赫兹成像过程中的比例尺。本发明实现了亚波长尺度的太赫兹成像精准定位，并通过制备比例尺，辅助测量成像目标的具体尺寸。
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公开(公告)号：CN104950545B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201410115117.4
申请日：2014-03-26
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明提供一种在非金属材料与介质界面激发表面等离子波的方法，包括以下步骤：利用一预定的非金属材料例如砷化镓来选择介质和作为电磁激励源的入射电磁波，非金属材料、介质和入射电磁波的波长满足下述条件：Re(εm) εd，εm表示非金属材料的相对介电常数，Re(εm)表示非金属材料的相对介电常数的实部，εd表示介质的相对介电常数，|εm|表示εm的绝对值；以及以所述选择的入射电磁波对所述预定的非金属材料进行激励，在非金属材料与介质的界面上激发表面等离子波。本发明还涉及一种非金属材料与介质界面上激发表面等离子激元的方法，通过在非金属材料表面形成周期性结构然后再进行电磁波激发，产生表面等离子激元。
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公开(公告)号：CN108615736A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201611134820.5
申请日：2016-12-11
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了制作在传感器表面的可提高光传感器灵敏度的结构。本发明利用CMOS传感器的感光像素中的无效面积，通过在金属膜上制作一些特别设计的微纳结构，可以使局部透过率大大增强，使光信号在穿过金属膜后将无效面积的光照有效聚集到有效感光位置，从而提高传感器的灵敏度。该特别设计的微纳结构可以方便地覆盖在光电探测器、传感器、影像器等部件的表面，达到提高其灵敏度的效果。本发明也适用于其他芯片/结构/器件的有效透光效率增加。
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公开(公告)号：CN107809006A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201710989070.8
申请日：2017-10-22
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01Q17/00
CPC classification number: H01Q17/008
Abstract: 本发明公开了一种基于透明导电薄膜的透明超宽带微波吸波器，包括透明基板和镀在透明基板两面的透明导电薄膜，微波入射面对应的薄膜上蚀刻有周期分布的吸波吸波结构，在待吸收频率的电磁波下，该吸波结构的阻抗与电磁波在自由空间的阻抗实现阻抗匹配。本发明吸波器的吸收带宽达到23.4GHz，整体厚度为1.1mm，只是中心频率32.5GHz对应波长的0.11倍，并且对极化角度不敏感。
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公开(公告)号：CN107154733A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710507281.3
申请日：2017-06-28
Applicant: 南京理工大学
CPC classification number: H02M3/07 , H02M1/088 , H02M2001/0012 , H02M2001/0048 , H02M2001/009 , H02M2003/072
Abstract: 本发明公开了一种数字单电感双输出开关变换器及控制方法。装置包括Buck型单电感双输出开关变换器功率级主拓扑结构、A/D采样转换单元、数字控制器、DPWM单元。控制方法如下：A/D采样转换单元分别采样Buck型单电感双输出开关变换器功率级主拓扑结构的模拟输出电压值和模拟电感电流值，并将模拟信号转换成数字信号输入至数字控制器；数字控制器确定输出电压误差值和电感电流误差值，并得到开关周期的占空比值；DPWM单元根据占空比值输出相应的PWM信号驱动Buck型单电感双输出开关变换器功率级主拓扑结构中功率管的开关状态来调节输出电压值。本发明采用差模共模电压控制和平均电流控制结合的方法，提高了数字控制变换器的瞬态响应。
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