公开(公告)号：CN102515763B

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201110355061.6

申请日：2011-11-10

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王春青 ,  李彬 ,  田艳红 ,  王宁 ,  孔令超 ,  吴伟伟

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/468 ,  C04B35/47 ,  C04B35/472 ,  C04B35/26 ,  C04B35/624

Abstract: 一种钙钛矿结构陶瓷溶胶的制备方法，它涉及陶瓷溶胶制备方法。本发明要解决现有的方法所配制的溶胶稳定性不好、成膜性差的问题。本发明钙钛矿结构陶瓷溶胶制备的过程为：一、水解过程：将原料试剂加入到由去离子水、冰乙酸与乙二醇甲醚所形成的混合溶剂中，室温下搅拌直至其充分溶解；二、脱水过程：在剧烈搅拌的条件下，将脱水剂乙酸酐滴加至上述溶液中，再加入聚乙烯醇或聚乙二醇400的稳定剂，室温下持续搅拌一段时间；三、聚合过程：将配制完成的溶液在室温下静置后，得到稳定的溶胶。本发明所配制溶胶稳定期长、成膜性好，其制备工艺简单、成本低，易于产业化。本发明的制备方法应用于钙钛矿结构陶瓷溶胶制备领域。

公开(公告)号：CN102231367A

公开(公告)日：2011-11-02

申请号：CN201110103942.9

申请日：2011-04-26

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王春青 ,  刘威 ,  田艳红 ,  孔令超

IPC: H01L21/70

Abstract: 扫描式薄膜图形激光转移方法，它涉及一种薄膜图形的激光转移方法。本发明解决了薄膜器件或电路制备过程中需要预先加工多层掩模版，成本高昂且工序复杂的问题。本发明的步骤：将过渡层薄膜和源薄膜先后通过溅射、蒸镀、电镀、刷镀、旋涂、化学气相沉积、等离子体镀或分子束外延的方法制作到透明源基板上，过渡层薄膜和源薄膜构成薄膜材料层；将透明源基板设置在目标基板的上方，透明源基板与目标基板之间的垂直距离为0毫米～5毫米；激光束穿透透明源基板，照射在过渡层薄膜上，薄膜材料层受热蒸发，薄膜材料层从透明源基板上脱离；脱离的薄膜材料层向目标基板撞击，并在目标基板的表面形成目标薄膜及图形。本发明适用于薄膜器件或电路制备。

公开(公告)号：CN101159303B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200710144639.7

申请日：2007-11-20

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王春青 ,  田艳红 ,  孔令超

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/50 ,  B23K1/005 ,  B23K1/20 ,  B23K35/26

Abstract: 双束激光辅助LED芯片与散热器直接键合的方法，它涉及LED芯片与散热器的钎焊方法。它解决了传统封装方法中对LED芯片造成热损害，以及键合质量低、定位困难、光学质量差的缺点。它的步骤为：在散热器上形成预设焊盘；光纤支架将激光发射头固定于芯片贴装机的机头上，并使真空吸嘴位于其中心；吸取LED芯片，并置于焊盘上方，使两束激光束聚焦于其上，使之熔化；真空吸嘴下降，继续加热；真空吸嘴下降至芯片金属膜与热焊盘接触，停止加热；键合完成，真空吸嘴复位并吸取下一个LED芯片，重复上述步骤。本方法进行键合质量好，成品率高，定位准确，光学质量较好，而且利用激光作为热源具有功率密度高、焊接速度快、热影响区小、控制精确、易于实现自动化的优点。

公开(公告)号：CN202808471U

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201220403323.1

申请日：2012-08-15

Applicant: 哈尔滨工业大学宜兴环保研究院

Inventor： 马放 ,  孙移鹿 ,  李昂 ,  崔迪 ,  庞长泷 ,  周慧慧 ,  漆梦媛 ,  蔡珺安 ,  彭雪璇 ,  孔令超

IPC: C02F3/12 ,  C02F3/34

CPC classification number: Y02W10/15

Abstract: 一种以菌丝球为载体的好氧反硝化反应器，涉及水处理技术领域，包括封闭式反应器，反应器底部置有曝气头，进水管、出水管分别设置在反应器的上下侧面，反应器内置有生物质载体，所述的生物质载体为菌丝球，菌丝球上挂膜有好氧反硝化菌，本反应器可使硝化细菌与好氧反硝化细菌在全周期好氧的条件下，同时良好的生长繁殖，达到稳定的同步硝化反硝化效果，利用菌丝球为载体，可以解决好氧反硝化菌在系统内竞争力弱，难以形成优势菌群致使其大量流失，造成整个系统稳定运行周期短的问题，对整个反应器系统的长期稳定运行起到关键性作用。